친유기 합성 층상실리케이트(STN)의 함량(1~9 wt%)을 변화하며 폴리아믹산/STN 나노복합재용액을 DMAc 및 THF/MeOH 혼합용매에서 각각 제조하였고, 이를 폴리에스테르 필름에 코팅하여 열적 이미드화 및 화학적 이미드화 반응을 통하여 폴리에스테르/폴리이미드 나노복합필름을 제조하였다. XRD 및 TEM을 이용하여 제조된 폴리에스테르/폴리이미드 나노복합필름의 미세 구조를 조사한 결과 박리형 폴리이미드 나노복합재가 제조되었음을 확인하였다. 표면의 모폴로지 변화는 AFM을 통하여 확인하였으며, 열적 및 기계적 특성은 TGA, DMA와 UTM을 통하여 측정하였다. 또한 STN이 첨가됨에 따라 폴리에스테르/폴리이미드 나노복합필름의 수분투과도는 감소하였고, 화학적 이미드화에 의해 제조된 필름이 열적 이미드화에 의한 필름에 비해 좀더 우수한 수분 차단성을 보였다. 또한 상대적으로 비점이 낮은 THF/MeOH 혼합용매 시스템의 경우가 DMAc를 용매로 사용한 경우보다 더 향상된 수분 차단성을 보였다.
We have developed a cost-effective and facile method to manufacture a pouch-type chemical vapor sampler. Originally, the sampler was developed by U. S. Army Natick Soldier Research, Development, and Engineering Center(NSRDEC) to determine the protective capability of individual protective ensembles or Man-in-Simulant Test (MIST). They used a selectively permeable high density polyethylene(HDPE) as front membrane and aluminum/ Nylon barrier film as an impermeable back sheet in order to mimic the actual adsorption process that occurs when the skin is exposed to chemical weapons. However, it costs over twenty dollars per sampler and the minimum of quantity is 2500 per order. In addition, it is inconvenient to employ a variety of adsorbents into the sampler, which could prevent MIST researchers to do various tests for development of MIST methodologies. Here, we report the simple method to manufacture the sampler in a laboratory scale. All the materials we used are easily obtainable and inexpensive. In addition, all the procedures we perform are generally known. We used methyl salicylate(MeS) vapor to be adsorbed into the sampler and employed several different adsorbents to evaluate the performance of samplers. The results obtained by home-made samplers and commercially avaliable one showed no significant differences. Also, MeS vapor was selectively adsorbed into the sampler depending on adsorbents. We conclude that home-made samplers are capable of collecting any kind of chemical vapor for a variety of purposes.
연속식 흡착장치를 사용하여 산처리로 세공구조를 변화시킨 Zeolite 5A의 toluene vapor 평형흡착량과 흡착제의 세공직경에 따른 표면적과의 상관관계를 고찰하였다. 산처리에 의해 미세세공이 형성되기도 하지만 기존 미세세공의 직경이 점차 확대되었으며, 산의 농도가 높을수록 미세세공이 중간세공 이상으로의 변화가 많았다. 산처리한 Zeolite 5A의 toluene vapor 평형흡착량은 $15{\sim}\;mg/g70$ 사이였고 산처리에 의해 평형흡착량이 약 5배까지 증가하였으며, toluene vapor는 주로 직경 $15\;{\AA}$ 이상의 세공 표면적에 비교적 잘 흡착되는 것으로 판단되었다. Toluene vapor 평형흡착량과 총 누적표면적(total cumulative surface area)은 상관관계가 없었으며, 직경 $15\;{\AA}$ 이상의 누적표면적과는 가장 높은 상관관계(0.997)를 나타내었다.
문헌에 보고된 기존의 비활성 기체의 증기압 측정값을 이용하여 환원증기압과 환원온도 형태의 아래와 같은 식의 상수 A, B, C, D와 지수 n을 구하는데 사용하였다: $InP_r=A+{\frac{B}{T_r}+CInT_r+DT_n^r}$ 오차분석법에 의해 위 식에 적용되는 비활성 기체의 각 기체 Ar, Kr, Xe, He과 Ne에 대한 가장 정확한 지수와 4개의 상수를 얻었다. 위 식을 통해 각 기체의 증기압을 계산하기 위해서 필요한 것은 정상 끓는점, 임계압력 및 임계온도뿐이며 5개의 비활성 기체의 406개 증기압 실험값에 적용하여 본 결과 전체 평균편차가 0.31% 였다. Ar, Kr, Xe에 대한 평균편차는 각각 0.24%, 0.09%, 0.22%였으며, Ne은 1.31%, He은 0.61%이다. 이러한 결과는 He과 연관된 큰 양자효과와 Ne에 대한 적은 양자효과 때문에 예상된 것이다.
Following Silicon Carbide, single crystal diamond continues to attract attention as a next-generation semiconductor substrate material. In addition to excellent physical properties, large area and productivity are very important for semiconductor substrate materials. Research on the increase in area and productivity of single crystal diamonds has been carried out using various devices such as HPHT (High Pressure High Temperature) and MPECVD (Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). We hit the limits of growth rate and internal defects. However, HFCVD (Hot Filament Chemical Vapor Deposition) can be replaced due to the previous problem. In this study, HFCVD confirmed the distance between the substrate and the filament, the accompanying growth rate, the surface shape, and the Raman shift of the substrate after vapor deposition according to the vapor deposition temperature change. As a result, it was confirmed that the difference in the growth rate of the single crystal substrate due to the change in the vapor deposition temperature was gained up to 5 times, and that as the vapor deposition temperature increased, a large amount of polycrystalline diamond tended to be generated on the surface.
Many researchers studied cell culturing on surfaces with chemical functional groups. Previously, we reported surface properties of plasma polymerized ethylenediamine (PPEDA) films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition with various plasma conditions. Surface properties of PPEDA films can be controlled by plasma power during deposition. In this work, to analyze correlation of cell adherence/proliferation with surface property, we cultured rat intestinal epithelial cells-18 on the PPEDA films deposited with various plasma powers. It was shown that as plasma power was decreased, density of cells cultured on the PPEDA film surface was increased. Our findings indicate that plasma power changed the amine density of the PPEDA film surface, resulting in density change of cells cultured on the PPEDA film surface.
Lee, Bo H.;Cho, Yeon H.;Shin, Hyun-Jung;Kim, Jin-Yeol;Lee, Jae-gab;Lee, Hai-won ;Sung, Myung M.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제27권10호
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pp.1633-1637
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2006
We demonstrate a selective vapor-phase deposition of conductive poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) thin films on patterned $FeCl_3$. The PEDOT thin films were grown on various substrates by using the vapor-phase polymerization of ethylenedioxythiophene (EDOT) with $FeCl_3$ catalytic layers at 325 K. The selective deposition of the PEDOT thin films using vapor-phase polymerization was accomplished with patterned $FeCl_3$ layers as templates. Microcontact printing was done to prepare patterned $FeCl_3$ on polyethyleneterephthalate (PET) substrates. The selective vapor-phase deposition is based on the fact that the PEDOT thin films are selectively deposited only on the regions exposing $FeCl_3$ of the PET substrates, because the EDOT monomer can be polymerized only in the presence of oxidants, such as $FeCl_3$, Fe($CIO_4$), and iron(II) salts of organic acids/inorganic acids containing organic radicals.
Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDCs) have attracted significant attention due to their unique and exotic properties attributed to their low dimensionality. In particular, semiconducting 2D TMDCs such as $MoS_2$, $WS_2$, $MoSe_2$, and $WSe_2$ have been demonstrated to be feasible for various advanced electronic and optical applications. In these regards, process to synthesize high quality 2D TMDCs layers with high reliability, wafer-scale uniformity, controllable layer number and excellent electronic properties is essential in order to use 2D TMDCs in practical applications. Vapor deposition techniques, such as physical vapor deposition, chemical vapor deposition and atomic layer deposition, could be promising processes to produce high quality 2D TMDCs due to high purity, thickness controllability and thickness uniformity. In this article, we briefly review recent research trend on vapor deposition techniques to synthesize 2D TMDCs.
Early-detection and monitoring of toxic chemical gas cloud with chemical detector is essential for reducing the number of casualties. Conventional method for chemical detection and reconnaissance has the limitation in approaching to chemically contaminated site and prompt understanding for the situation. Stand-off detector can detect and identify the chemical gas at a long distance but it cannot know exact distance and position. Chemical detection UAV is an emerging platform for its high mobility and operation safety. In this study, we have conducted chemical gas cloud detection with the stand-off chemical detector and the chemical detection UAV. DMMP vapor was generated in the area where the cloud can be detected through the field of view(FOV) of stand-off chemical detector. Monitoring the vapor cloud with standoff detector, the chemical detection UAV moved back and forth at the area DMMP vapor being generated to detect the chemical contamination. The hybrid detection system with standoff cloud detection and point detection by chemical sensors with UAV seems to be very efficient as a new concept of chemical detection.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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