• Journal of Positioning, Navigation, and Timing
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• 제8권4호
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• pp.153-164
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• 2019

This paper presents the development of an end-to-end numerical simulator for signal design of the next generation global navigation satellite system (GNSS). The GNSS services are an essential element of modern human life, becoming a core part of national infra-structure. Several countries are developing or modernizing their own positioning and timing system as their demand, and South Korea is also planning to develop a Korean Positioning System (KPS) based on its own technology, with the aim of operation in 2034. The developed simulator consists of three main units such as a signal generator, a channel unit, and a receiver. The signal generator is constructed based on the actual navigation satellite payload model. For channels, a simple Gaussian channel and land mobile satellite (LMS) multipath channel environments are implemented. A software receiver approach based on a commercial GNSS receiver model is employed. Through the simulator proposed in this paper, it is possible to simulate the entire transceiver chain process from signal generation to receiver processing including channel effect. Finally, numerical simulation results for a simple example scenario is analyzed. The use of the numerical signal simulator in this paper will be ideally suited to design a new navigation signal for the upcoming KPS by reducing the research and development efforts, tremendously.

• 한국통신학회논문지
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• 제35권4C호
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• pp.321-328
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• 2010

본 논문에서는 이동 통신에서 주로 쓰이는 하향/상향링크(downlink/uplink)처럼 상호 간의 상관관계가 존재하는 두 개의 채널에 대한 시뮬레이션 방법을 제안한다. 제안된 방법은 기존 방법의 문제점인 채널 간의 상관관계가 수학적 기준모델과 일치하지 않는 점을 개선한 방법이다. 레일리 페이딩 채널 시뮬레이션 모델은 유한개의 삼각함수의 합을 이용한 SOS(Sum-of-Sinusoids) 방법을 사용하였다. 이 방법은 페이딩 신호의 샘플들을 발생할 때 효율적인 방법으로 알려져 있으며 수학적 기준모델에 대한 정확한 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있다. 제안된 모델은 기준모델의 이론적인 상관관계와 시뮬레이터로부터 얻은 채널 간의 상관관계의 오차를 줄이기 위해 MSE를 최소화하는 방식을 이용하면서 평균전력을 이론치와 같게 유지하는 방법이다. 실험결과를 통해 제안한 방법이 기존의 방법보다 기준모델의 수학적 상관관계를 더욱 정확히 모사하는 것을 확인하였다.

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
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• 제21권1E호
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• pp.18-24
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• 2002

This paper discusses the development of an acoustic vector channel simulator for the performance analysis of an acoustic digital communication system. The channel simulator consists of transmission module, acoustic channel model, receiver, beamformer, and adaptive equalizer. The source signal (QPSK) is generated by the specified parameters. The transmitted signal generates multipath signals which have a different delay, amplitude and doppler frequency. The paper presents in details the approach to the performance analysis of an acoustic digital communication system according to the antenna structure and the various baseband signal processing techniques.

• 정보학연구
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• 제6권3호
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• pp.1-10
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• 2003

본 논문은 전력선 통신 실험을 보다 빠르고 효율적으로 수행할 수 있는 전력선 채널 모델링에 관한 것이다. 용량성 부하 채널 시뮬레이터는 댁내망 전력선 모뎀 개발에 있어서 필수적인 실험 장비이다. 실제 전력선 채널 환경을 모델링한 이 실험 장비를 이용한 총 245 개의 용량성 부하 채널에 대하여 주파수 응답법에 의한 채널 모델링을 행하였다. 용량성 부하 채널 시뮬레이터를 사용한 실험 데이터 결과와 모델링된 채널 필터를 통과한 결과를 비교하였을 때 큰 오차 없이 실제 전력선 통신상의 용량성 부하 실험을 대체할 수 있음을 확인하였다.

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 2004년도 추계종합학술대회 논문 초록집
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• pp.76-76
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• 2004

• 한국통신학회논문지
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• 제25권3B호
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• pp.408-422
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• 2000

본 논문에서는 안테나 배열을 사용하는 통신시스템을 위한 일반화된 벡터 채널 모델을 제안한다. 제안된 채널 모델에서는 실제적인 채널에서 발생할 수 있는 경로 감쇄, 전파 음영(shadowing)의 시간-공간적인 변화, 다중경로 페이딩, 도플러현상, 국지적인 산란체(scatterer)들의 공간적인 분포와 지배적인 원격 산란체들에 의한 지연 확산을 고려한다. 실제적인 채널 환경을 반영하기 위하여 이산 경로 모델을 사용하며, 각각의 이산 경로 신호는 독립적인 전파 음영과 페이딩, 도플러 영향을 받으며, 서로 다른 입사각을 가지고 안테나 배열에 수신된다. 제안된 모델을 바탕으로 수신되는 신호들에 대한 시간-공간적인 상관값에 대한 관계식을 유도하고, 공간 채널 시뮬레이터를 구성한다. 이론적인 상관값과 시뮬레이터를 통하여 얻은 결과를 비교함으로써 시뮬레이터의 유효성을 검증하고, 구성된 시뮬레이터를 사용하여 다양한 채널 환경하에서의 채널 특성의 변화를 분석한다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(3)
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• pp.161-164
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• 2000

This paper presents an implementation of internet gateway system, named AX-2000 and call simulator. AX-2000 plays a important role in internet telephony technology and is composed of various board such as MPU, AVU. DVU, AMU. FXS, FXO, EM. Also AX-2000 supports G.729.a, G.723.1 for voice compression, G3 FAX Relay(T.38) and H.323. A capability of AX-2000 is 8 analog voice channel or 30 digital voice channel. For functional verification of AX-2000 voice interface, call simulator is designed. The call simulator makes actual call path between SUT(system under test) and reference AX-2000 system, then through call path examines functions of voice interface.

• 한국정보과학회논문지:정보통신
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• 제37권6호
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• pp.466-476
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• 2010

본 논문은 ITU가 추진 중인 4세대 이동통신 표준(IMT-Advanced) 이 향후 개정될 때에도 변경된 사항을 용이하게 반영 가능한 시뮬레이션 아키텍처를 새롭게 제시하고 이를 바탕으로 시뮬레이터를 구현하였다. 그리고 Winner+가 개발한 Matlab기반 시뮬레이터와 비교하여 신뢰성을 검증하였다. 아울러 4세대 이동통신 표준 평가 항목에 대해 모의실험을 통하여 결과 값을 얻고 이를 IEEE와 3GPP가 자체 실시한 평가결과 값과 비교하여 본 시뮬레이터의 우수성을 입증하였다.

• 한국재료학회지
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• 제18권5호
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• pp.272-276
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• 2008

In submicron MOSFET devices, maintaining the ratio between the channel length (L) and the channel depth (D) at 3 : 1 or larger is known to be critical in preventing deleterious short-channel effects. In this study, n-type SOI-MOSFETs with a channel length of $0.1\;{\mu}m$ and a Si film thickness (channel depth) of $0.033\;{\mu}m$ (L : D = 3 : 1) were virtually fabricated using a TSUPREM-4 process simulator. To form functioning transistors on the very thin Si film, a protective layer of $0.08\;{\mu}m$-thick surface oxide was deposited prior to the source/drain ion implantation so as to dampen the speed of the incoming As ions. The p-type boron doping concentration of the Si film, in which the device channel is formed, was used as the key variable in the process simulation. The finished devices were electrically tested with a Medici device simulator. The result showed that, for a given channel doping concentration of $1.9{\sim}2.5\;{\times}\;10^{18}\;cm^{-3}$, the threshold voltage was $0.5{\sim}0.7\;V$, and the subthreshold swing was $70{\sim}80\;mV/dec$. These value ranges are all fairly reasonable and should form a 'magic region' in which SOI-MOSFETs run optimally.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권1호
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• pp.48-52
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• 2014

In this paper, scaling down characteristics of vertical channel phase random access memory are investigated with device simulator and finite element analysis simulator. Electrical properties of select transistor are obtained by device simulator and those of phase change material are obtained by finite element analysis simulator. From the fusion of both data, scaling properties of vertical channel phase change random access memory (VPCRAM) are considered with ITRS roadmap. Simulation of set reset current are carried out to analyze the feasibility of scaling down and compared with values in ITRS roadmap. Simulation results show that width and length ratio of the phase change material (PCM) is key parameter of scaling down in VPCRAM. Thermal simulation results provide the design guideline of VPCRAM. Optimization of phase change material in VPCRAM can be achieved by oxide sidewall process optimization.