• 제목/요약/키워드: Channel layer

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WAVE 시스템에서 심볼 시간추적 알고리듬 (Symbol Time Tracking Algorithm for WAVE Systems)

  • 홍대기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권2호
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    • pp.397-406
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    • 2009
  • 차량 간 무선 통신을 목적으로 만들어진 직교 주파수 분할 다중화 (OFDM: Orthogonal Frequency Division Multiplexing)기반 WAVE(Wireless Access for Vehicular Environment) 시스템의 물리층 표준은 기존에 표준화된 IEEE802.11a 무선랜(WLAN: Wireless Local Area Network)의 표준을 따르는 것으로 되어 있다. 따라서 WAVE는 초기 동기 이후 차량 간 다중 경로 페이딩(Multipath Fading) 채널의 영향으로 인하여 심볼 타이밍에 있어서 연속적인 시간 지연이 발생함에 따라 시스템의 수신 성능이 저하되게 된다. 본 논문은 추가적인 심볼 시간 지연을 보상해 주기 위한 심볼 시간 추적(Tracking) 알고리듬을 제안하고 있다. 본 논문에서는 제안된 알고리듬을 최대 지연 시간 (Maximum Timing Delay)이 적용된 최악의 통신환경에 적용하여 모의실험을 수행하였다. 실험결과에 의하면 제안된 알고리듬은 가산성 백색 가우스 잡음 (AWGN: Additive White Gaussian Noise) 채 널 및 페이딩 채널 환경에서 시스템의 수신 성능을 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있다.

고성능 PMOSFET을 위한 Ni-silicide와 p+ source/drain 사이의 barrier height 감소 (Reduction of Barrier Height between Ni-silicide and p+ source/drain for High Performance PMOSFET)

  • 공선규;장잉잉;박기영;이세광;종준;정순연;임경연;이가원;왕진석;이희덕
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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    • pp.157-157
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    • 2008
  • As the minimum feature size of semiconductor devices scales down to nano-scale regime, ultra shallow junction is highly necessary to suppress short channel effect. At the same time, Ni-silicide has attracted a lot of attention because silicide can improve device performance by reducing the parasitic resistance of source/drain region. Recently, further improvement of device performance by reducing silicide to source/drain region or tuning the work function of silicide closer to the band edge has been studied extensively. Rare earth elements, such as Er and Yb, and Pd or Pt elements are interesting for n-type and p-type devices, respectively, because work function of those materials is closer to the conduction and valance band, respectively. In this paper, we increased the work function between Ni-silicide and source/drain by using Pd stacked structure (Pd/Ni/TiN) for high performance PMOSFET. We demonstrated that it is possible to control the barrier height of Ni-silicide by adjusting the thickness of Pd layer. Therefore, the Ni-silicide using the Pd stacked structure could be applied for high performance PMOSFET.

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MAC/PHY 정보를 이용한 실시간 멀티미디어 서비스의 QoS 제어 방식의 표준화를 위한 연구 (Research of QoS Control for Standardization on Real-time Multimedia Service Using MAC/PHY Feedback)

  • 김민건;김준오;서덕영
    • 방송공학회논문지
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    • 제16권5호
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    • pp.738-749
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    • 2011
  • 본 논문에서는 모바일 환경에서 클라이언트의 MAC/PHY 파라미터를 이용하여 QoS(Quality of Service)를 제어하는 프로토콜과 그 효과에 대해 연구한다. 클라이언트는 자신의 MAC/PHY 채널 상황을 측정하여 서버측에 피드백하고 서버는 이를 이용하여 앞으로의 클라이언트의 상황을 예측하고 비트율 제어를 수행하는 방법을 제안한다. 제안 방법을 통해 기존의 RTCP(Real-time Transport Control Protocol)를 이용한 비트율 제어 방법보다 정확하게 가용 비트율을 예측할 수 있다. 정확한 가용 비트율 예측을 통해 비트율 낭비와 전송지연을 감소시키고, 비디오 전송 시 화질을 향상시킬 수 있다. WiMAX 환경에서 실제로 측정된 클라이언트의 CINR(Carrier to Interface Noise Ratio) 데이터를 활용하여 그 효과를 보여준다.

고속 철도 환경을 위한 IEEE 802.15.4/ZigBee 기반 개선된 센서 통신 알고리즘 (Advanced Sensor Communication Algorithm based on IEEE 802.15.4/ZigBee for High Speed Train Environment)

  • 문상미;김보라;사란쉬 말리크;김대진;김철성;황인태
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권10호
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    • pp.3-12
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    • 2013
  • 무선 센서 네트워크(WSN: Wireless Sensor Network)는 철도분야에서 효율적인 관리와 유지보수라는 측면에서 적용되어 사용되고 있다. 하지만 저속 철도 환경에서 사용되고 있는 현재의 IEEE 802.15.4/ZigBee 기반 센서 통신 기술을 차세대 고속철도에서 적용하기에는 열악한 무선 채널 환경에 노출되어 있다. 본 논문에서는 고속 철도 환경에 적합한 센서 통신 알고리즘을 제안한다. 에러율 및 전송률 향상을 위해 IEEE 802.15.4/ZigBee 기반 개선 알고리즘인 Equalizer, MIMO(Multiple Input Multiple Output), Flexible SF(Spreading Factor) 및 Modulation을 사용한다. 또한 IEEE 802.15.4/ZigBee 표준의 2.4GHz 대역 물리계층에서 각 알고리즘에 대한 성능을 비교 분석한다. 모의실험 결과, 제안한 알고리즘을 통해 기존 시스템보다 에러율 및 전송률이 향상 된 것을 볼 수 있다.

OFDM 무선 패킷 통신 시스템에서의 비균일 훈련 심볼 이득 할당에 의한 주파수 오프셋 예측 성능 분석 (Frequency Offset Estimation Performance Analysis in OFDM Packet Communication Systems with Unequal Gain Allocation of Training Sequences)

  • 곽재민
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제44권10호
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    • pp.8-12
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    • 2007
  • 본 논문에서는 IEEE802.11a나 IEEE802.11p의 물리계층과 같은 패킷기반의 OFDM 통신 시스템에 적용할 수 있는 주파수 오프셋 예측기법을 제안하고 성능을 분석하여 기준기법과 비교하였다. 제안 기법에서는 긴 훈련심볼과 짧은 훈련심볼에 할당되는 이득을 전체적으로 일정하게 유지하면서도 이득 할당비를 조절할 수 있도록 하여 채널 상황에 따라 주파수 오프셋 에러에 대한 MSE 성능을 향상시키기 위한 이득 할당비를 알아낼 수 있다. 본 논문에서 고려한 훈련심볼은 IEEE802.11a와 IEEE802.11p의 표준화 그룹에서 적용된 프리앰블을 적용하였다. 시뮬레이션 결과에 의해, 채널 SNR 상황에 따라 주파수 오프셋 에러를 최소화하기 위한 긴 훈련심볼 대 짧은 훈련심볼의 전력비가 다르며, 제안한 기법에 의한 주파수 오프셋 에러에 대한 MSE 성능이 기존의 기법보다 우수함을 확인하였다.

Non-monotonic Size Dependence of Electron Mobility in Indium Oxide Nanocrystals Thin Film Transistor

  • Pham, Hien Thu;Jeong, Hyun-Dam
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제35권8호
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    • pp.2505-2511
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    • 2014
  • Indium oxide nanocrystals ($In_2O_3$ NCs) with sizes of 5.5 nm-10 nm were synthesized by hot injection of the mixture precursors, indium acetate and oleic acid, into alcohol solution (1-octadecanol and 1-octadecence mixture). Field emission transmission electron microscopy (FE-TEM), High resolution X-Ray diffraction (X-ray), Nuclear magnetic resonance (NMR), and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) were employed to investigate the size, surface molecular structure, and crystallinity of the synthesized $In_2O_3$ NCs. When covered by oleic acid as a capping group, the $In_2O_3$ NCs had a high crystallinity with a cubic structure, demonstrating a narrow size distribution. A high mobility of $2.51cm^2/V{\cdot}s$ and an on/off current ratio of about $1.0{\times}10^3$ were observed with an $In_2O_3$ NCs thin film transistor (TFT) device, where the channel layer of $In_2O_3$ NCs thin films were formed by a solution process of spin coating, cured at a relatively low temperature, $350^{\circ}C$. A size-dependent, non-monotonic trend on electron mobility was distinctly observed: the electron mobility increased from $0.43cm^2/V{\cdot}s$ for NCs with a 5.5 nm diameter to $2.51cm^2/V{\cdot}s$ for NCs with a diameter of 7.1 nm, and then decreased for NCs larger than 7.1 nm. This phenomenon is clearly explained by the combination of a smaller number of hops, a decrease in charging energy, and a decrease in electronic coupling with the increasing NC size, where the crossover diameter is estimated to be 7.1 nm. The decrease in electronic coupling proved to be the decisive factor giving rise to the decrease in the mobility associated with increasing size in the larger NCs above the crossover diameter.

남극 남쉐틀랜드 군도 대륙주변부의 가스수화물 AVO 반응분석 (AVO Analysis on Gas Hydrates in the Continental Margin off the South shetland Islands, Antarctica)

  • 구경모;홍종국;진영근;박민규;남상헌;이정모
    • 지구물리
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    • 제9권4호
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    • pp.417-426
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    • 2006
  • 1993년 남극 하계 기간 동안 남쉐틀랜드 대륙주변부에서 한국해양연구원의 종합연구선 온누리호를 이용하여 탄성파 탐사를 실시하였으며 약 800 km의 탄성파자료를 획득하였다. 탄성파 자료에서 음의 반사계수를 보이며 상대적으로 강한 진폭을 갖는 BSR이 해저면 700 ms에서 발견되었으며 이는 가스수화물의 기저면으로 간주된다. BSR 경계면에서의 물성을 밝히기 위하여 AVO 분석을 수행하였다. 탄성파 자료에 대하여 실진폭 회수, surface consistence amplitude 보정, 입사각 변환 등을 수행하고, 각각의 CDP 자료에 대하여 AVO 절편 및 AVO 기울기를 구하였다. AVO 절편의 단면도는 BSR 경계면에서 극성이 음이고 강한 반사도를 보이며 중합단면도보다 BSR 경계면의 연속성이 뚜렷하였다. AVO 분석자료를 P-G 도면으로 표시한 결과, BSR이 뚜렷한 곳의 하부에는 가스로 채워졌음을 시사한다.

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IEEE 802.11n 무선 랜에서 재전송 프레임 수를 줄이기 위한 향상된 Block ACK 방법 (Efficient Block ACK Scheme for Reducing the Number of Retransmitted Frames in IEEE 802.11n Wireless LANs)

  • 이현웅;김선명
    • 한국시뮬레이션학회논문지
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    • 제23권4호
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    • pp.65-74
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    • 2014
  • IEEE 802.11n 표준은 네트워크 성능을 향상시키기 위해 MAC과 물리 계층에서 새로운 방법들을 제안하였다. MAC 계층에서 성능 향상을 위해 제안된 주요 방법은 프레임 집적(Frame Aggregation)과 Block ACK이다. IEEE 802.11n 표준에도 여전히 문제점은 존재한다. Block ACK 요청 프레임이나 Block ACK 응답 프레임이 손실되거나 에러가 포함되어 수신되면, 전송 단말은 집적된 큰 프레임에 포함된 작은 프레임들의 성공적인 전송 여부를 알지 못하기 때문에 모든 작은 프레임을 재전송한다. 이는 성공적으로 전송된 프레임도 재전송될 수 있기 때문에 네트워크의 성능 저하를 초래할 수 있다. 이 문제를 해결하기 위해 본 논문에서는 RRM(Reduced Retransmissions of MPDUs) 방법을 제안한다. 제안된 방법에서 송신 단말이 Block ACK 응답을 못 받으면 모든 프레임을 재전송하는 대신에 다음 데이터 프레임 하나를 전송하고 다시 Block ACK를 요청한다. 응답을 받은 후에 에러가 발생한 프레임에 대해서만 재전송을 수행한다. 제안된 방법의 성능을 시뮬레이션을 통해 분석한다. 시뮬레이션 결과, 제안된 방법이 다양한 패킷 에러 환경에서 효과적이고 네트워크 성능을 향상 시키는 것을 보여주었다.

딥러닝 기반의 수중 IoT 네트워크 BER 예측 모델 (Deep Learning based BER Prediction Model in Underwater IoT Networks)

  • 변정훈;박진훈;조오현
    • 융합정보논문지
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    • 제10권6호
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    • pp.41-48
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    • 2020
  • 수중 IoT 네트워크에서 센서 노드는 지속적인 전력 공급이 어렵기 때문에 제한된 상황에서 소비 전력과 네트워크 처리량의 효율성이 매우 중요하다. 이를 위해 기존의 무선 네트워크에서는 SNR(Signal Noise Rate)과 BER(Bit Error Rate)의 높은 연관성을 기반으로 적응적으로 통신 파라미터를 선택하는 AMC(Adaptive Modulation and Coding) 기술을 적용한다. 하지만 본 논문의 실험 결과, 수중에서 SNR과 BER 사이의 상관 관계가 상대적으로 감소함을 확인하였다. 따라서 본 논문에서는 SNR과 함께 다중 파라미터를 동시에 사용하는 딥러닝 기반 BER 예측 모델(MLP, Multi-Layer Perceptron)을 적용한다. 제안하는 BER 예측 모델은 처리량이 가장 높은 통신 방법을 찾아낼 수 있고, 시뮬레이션 결과 85.2%의 높은 정확도와 네트워크 처리량은 기존 처리량보다 4.4배 높은 성능을 보여주는 우수한 성능을 확인하였다.

UV Responsive Characteristics of n-Channel Schottky Barrier MOSFET with ITO as Source/Drain Contacts

  • Kim, Tae-Hyeon;Lee, Chang-Ju;Kim, Dong-Seok;Sung, Sang-Yun;Heo, Young-Woo;Lee, Jung-Hee;Hahm, Sung-Ho
    • 센서학회지
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    • 제20권3호
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    • pp.156-161
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    • 2011
  • We fabricated a schottky barrier metal oxide semiconductor field effect transistor(SB-MOSFET) by applying indium-tin-oxide(ITO) to the source/drain on a highly resistive GaN layer grown on a silicon substrate. The MOSFET, with 10 ${\mu}M$ gate length and 100 ${\mu}M$ gate width, exhibits a threshold gate voltage of 2.7 V, and has a sub-threshold slope of 240 mV/dec taken from the $I_{DS}-V_{GS}$ characteristics at a low drain voltage of 0.05 V. The maximum drain current is 18 mA/mm and the maximum transconductance is 6 mS/mm at $V_{DS}$=3 V. We observed that the spectral photo-response characterization exhibits that the cutoff wavelength was 365 nm, and the UV/visible rejection ratio was about 130 at $V_{DS}$ = 5 V. The MOSFET-type UV detector using ITO, has a high UV photo-responsivity and so is highly applicable to the UV image sensors.