CNT (carbon nanotube) resistors with low resistance and negative TCR (temperature coefficient of resistance) were fabricated with yarned CNT (carbon nanotube) fibers. The CNT fibers were prepared by yarning CNTs grown on the silicone substrate by CVD (chemical vapor deposition) method. The CNT resistors were fabricated by winding CNT fibers on the surface of ceramic rod. Both metal terminals were connected with the CNT fiber wound on the ceramic rod. We measured electrical resistance and thermal stability with the number of CNT fibers wound. The CNT resistor system shows linearly decreased resistance with the number of CNTs wound on the ceramic rod and saturated at 20 strands. The CNT resistor system has negative TCR between $-1,000{\sim}-2,000ppm/^{\circ}C$ and stable frequency properties under 100 kHz.
We investigated the characteristics of the Hafnium silicate (Hf-silicate) film which is grown by ALD (atomic layer deposition). The Hf-silicate films that were annealed by the RTP. The physical and electrical properties of nitrided Hf-silicate films, incorporated by NO gas and $NH_3$ gas annealing, were investigated by XPS, TEM and I-V measurement. We confirmed the nitrogen incorporation during NO gas annealing treatment effectively enhances the thermal stability of Hf-silicate. The tendency of nitnitridation in NO gas and $NH_3$ is different. Leakage current is improved in post NO gas annealing.
The initial electrochemical performance of ceramic fuel cell with thin-film electrolyte fabricated by plasma-enhanced atomic layer deposition method was evaluated in terms of peak power density ratio, open circuit voltage ratio, and activation/ohmic resistance ratios at 500℃. Hydrogen and air were used as anode fuel and cathode fuel, respectively. The peak power density ratio reduced as ~52% for 30 min, which continually decreased as time increased but degradation rate gradually decreased. The open circuit voltage ratio decreased with respect time; however, its behavior was evidently different from the reduction behavior of the peak power density. The activation resistance ratio increased as ~127% for 30 min, which was almost similar with the reduction behavior of the peak power density ratio.
Single-crystal diamond obtained by chemical vapor deposition (CVD) exhibits great potential for use in next-generation power devices. Low defect density is required for the use of such power devices in high-power operations; however, plastic deformation and lattice strain increase the dislocation density during diamond growth by CVD. Therefore, characterization of the dislocations in CVD diamond is essential to ensure the growth of high-quality diamond. In this work, we analyze the characteristics of the dislocations in CVD diamond through synchrotron white beam X-ray topography. In estimate, many threading edge dislocations and five mixed dislocations were identified over the whole surface.
Zirconia films stabilized b $Y_2O_3$, YSZ, films were deposition by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) onto various kind of substrates. $Y_2O_3$, $ZrO_2$and the mixtures of these two were deposited and characterized. The deposition rate, the film composition and the structure could be systematically varied through the $Y(C_{11}H_{19}O_2)_3$, Zr(O.t-$C_H_9)_4$source gas ratios and the deposition temperature. The Y/Zr ratio in YSZ film could be adjusted by controlling the ratio of $Y(C_{11}H_{19}O_2)_3$, Zr(O.t-$C_4H_9)_4$partial pressures. This is because the ratios of the deposition rates of Y and Zr atoms in $Y_2O_3$and $ZrO_2$films to those in YSZ films, Ф, are constant irrespective of the input gas concentration. However, the Y/Zr ratio was found to be smaller than that estimated based on the deposition rates of un-mixed $Y_2O_3$and $ZrO_2$films. This is because the Фs of Y and Zr atoms are not equal. The activation energy of $Y_2O_3$component in YSZ films was similar to that of $ZrO_2$component in YSZ films. These YSZ values were more than 4 times larger than those of un-mixed $Y_2O_3$or $ZrO_2$films.
Zhao, Wei;Nam, Seo Dong;Pokhrel, Ashish;Gong, Jianghong;Kim, Ik Jin
한국세라믹학회지
/
제50권1호
/
pp.1-17
/
2013
Since their first discovery, carbon nanotubes (CNTs) have become a material central to the field of nanotechnology. Owing to their splendid physical, structural and chemical properties, they have the potential to impact a wide range of applications, including advanced ceramics, nanoelectronic devices, nanoscale sensors, solar cells, battery electrodes, and field emitters. This review summarizes the synthetic methods of preparing CNTs and focuses on the chemical vapor deposition (CVD) method, especially catalytic CVD. In order to stabilize and disperse the catalyst nanoparticles (NPs) during synthesis, zeolite was implemented as the template to support metal-containing NPs, so that both CNTs in the bulk and on a 2D substrate were successfully synthesized. Despite more challenges ahead, there is always hope for widespread ever-new applications for CNTs with the development of technology.
Kim, Jong-Ho;Lee, Hyeon-Keun;Park, Ji-Yeon;Kim, Weon-Ju;Kim, Do-Kyung
한국세라믹학회지
/
제45권9호
/
pp.518-523
/
2008
The mechanical properties of silicon carbide deposited by chemical vapor deposition process onto a graphite substrate are studied using nanoindentation techniques. The silicon carbide coating was fabricated in a chemical vapor deposition process with different microstructures and thicknesses. A nanoindentation technique is preferred because it provides a reliable means to measure the mechanical properties with continuous load-displacement recording. Thus, a detailed nanoindentation study of silicon carbide coatings on graphite structures was conducted using a specialized specimen preparation technique. The mechanical properties of the modulus, hardness and toughness were characterized. Silicon carbide deposited at $1300^{\circ}C$ has the following values: E=316 GPa, H=29 GPa, and $K_c$=9.8 MPa $m^{1/2}$; additionally, silicon carbide deposited at $1350^{\circ}C$ shows E=283 GPa, H=23 GPa, and $K_c$=6.1 MPa $m^{1/2}$. The mechanical properties of two grades of SiC coating with different microstructures and thicknesses are discussed.
100-500KHz범위의 주파수전원을 인가하여 발생한 플라즈마를 이용하여 질화붕소(boron nitride)막의 합성시 육방정상(hexagonal phase)과 입방정상(cubic phase)의 생성거동을 관찰하였다. BCl3와 NH3를 붕소와 질소의 공급기체로 선택하였고 Ar과 수소를 carrier기체로 사용하였다. 합성변수로는 플라즈마전원의 전압, 기판의 bias, 합성압력, 기체의 조성, 기판의 온도이었는데, 합성된 박막은 FT-IR결과로부터 육방정과 입방정의 혼합상으로 나타났고, 각 상의 분률은 변수의 크기에 의존하였다. TEM분석결과 육방정으로만 구성된 박막은 비정질상으로 이루어졌으며, 입방정과 육방정의 혼합상의 경우는 비정질기지상에 수십 nanometer크기의 입방정입자가 분산된 구조를 하고 있었다.
(110) 배향 TiO$_2$ 단결정 위에 성장시킨 CrO$_2$(110) 박막의 결정 구조, 미세구조와 자기적 특성의 상관 관계에 대해 연구하였다. 소스 물질로는 CrO$_3$ 분말을 사용하였으며, 열분해 화학증착법으로 CrO$_2$박막을 형성하였다. (110) 배향된 TiO$_2$루타일 단결정 위에 형성된 CrO$_2$ 박막은 (110) 방향으로 우선 배향되었고, 미세구조적으로 평활한 박막을 형성하였다. 흘려주는 산소량이 많을수록 CrO$_2$ 박막의 두께가 두꺼워지고 저항치가 낮았으며, 음의 자기저항치의 변화 및 자기 이력 곡선에서 보자력과 잔류 자화 값이 감소하는 경향을 보였다.
Sb doped SnO2(ATO: Antinomy doped Tin Oxide) thin films were prepared by a DC magnetron spttuering method using an oxide target and the electrical characteristics of ATO films were investigated. The experimen-tal conditions are as follows :Ar flow rate ; 0~100 sccm deposition tempera-ture ; 250~40$0^{\circ}C$ DC sputter powder ; 150~550W and sputteing pressure ; 2~7 mTorr, The thickness of depositied ATO films were 600$\AA$~1100 $\AA$ ranges. The resistivity of ATO films was decreased due to the increase of the crystallinity of ATO films with deposition temperature. The decrease of carrier concentration of films with the increase of oxygen flow rate and working pressure is responsible for the increase of resistivity. Increasing of sputtering power raised the resistivity of films by decreasing the carrier mobility.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.