• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.98.1-98.1
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• 2012

CdS/CdTe 박막 태양전지의 경우 높은 광흡수 계수를 가지고 있는 CdTe 다결정 박막을 흡수층으로이용 한다. CdTe 다결정 박막의 경우 CdS/CdTe 계면과 박막 내부에 많은 결함들이 존재 하며, CdTe 박막 내부에 존재하는 캐리어의 수를 증가 시키기 위하여 $CdCl_2$ 활성화 공정을 거치게 된다. 이때 박막의 물성 변화를 분석 하기 위하여, X-Ray Diffractometer (XRD), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)를 이용하여 박막 표면 분석을 진행 하였다. 이를 통해 박막 표면에서 산소가 Cd와 Te과 결합하면서 산화막이 생성되는 것을 확인하였다. 박막 표면에 생성된 산화막은 후면 금속 전극 형성을 위해, 용액 공정을 통하여 제거 되는데, 이때 CdTe 박막 표면에서 Cd이 용액에 의해 제거 되는 것을 확인 하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권8호
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• pp.663-668
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• 2003

CdTe quantum dots(QDs) were synthesized in aqueous solution by colloidal method. The synthesized CdTe QDs were identified to be cubic-structured ones by x-ray diffraction(XRD). The photoluminescence(PL) was performed for CdTe QDs prepared as a function of Te precursor concentration, condensation time and aging time. The PL intensity is strongly dependent on Te precursor concentration, indicating that the ratio of Te to Cd ions affects the particle size and size distribution of the CdTe QDs. Our PL study reveals that the intensity of PL peaks strengthens as the condensation time elongates, implying that annealing by thermal energy transferred during condensation would eliminate defects which act as killing centers in CdTe particles. Our photocurrent study suggests that the CdTe QDs materials are one of the prospective materials for optoelectronics including photodetectors.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권1호
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• pp.89-93
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• 1999

나노 구조를 갖는 다공질 규소의 표면과 투명하고 전도성을 갖는 접촉방법을 얻기 위해 다공질 규소 표면에 CdTe 화합물 박막을 전착시키는 방법을 시도하였다. CdTe 화합물 박막은 1 M의 $CdSO_4$와 1mM의 $TeO_4$가 혼합된 전해액 속에서 전착 전위 2-2.3V(vs. Ag/AgCl)로 다공질규소의 표면에 전착시켰다. X선 회절 측정결과 다공질규소 표면에 CdTe 화합물 박막이 생성되었음이 확인되었고, AES 분석결과 표면에서 약 80nm 깊이까지 Cd 및 Te 원소가 균일하게 존재하였다. 그리고 CdTe 화합물 박막이 전착된 다공질규소의 PL 특성은 발광의 세기는 약간 검소하였고 최대파장값은 고에너지 쪽으로 이동하였다. 이 결과로 보아 CdTe 전착 박막이 나노 구조를 갖는 다공질규소와 투명하고 전도성을 갖는 접촉물질로 이용될 수 있음이 밝혀졌다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.195-197
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• 2002

CdTe quantum dots(QDs) were synthesized in aqueous solution by colloidal method. Photoluminescence(PL) spectra of the synthesized CdTe QDs revealed the intensity of PL peaks was stronger as the condensation time was longer. This result was thought because annealing effect by thermal energy transferred during condensation eliminated defects which act as traps and recombination centers in CdTe particle. PL intensity has stron dependence of Te precursor concentration. It confirmed the ratio of Te ion to Cd ion added during synthesis affected the particle size and size distribution of the CdTe QDs. Finally, the synthesized CdTe QDs were identified to be cubic structured CdTe quantum dots by X-ray diffraction(XRD).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1989년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.56-58
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• 1989

All-polycrystalline Cd$_1$-xZnxS/CdTe solar cells have been fabricated by coating CdTe slurries with 4.5 wt% of CdCl$_2$on the sintered Cd$_1$-xZnxS films and by sintering CdTe layer at 6$25^{\circ}C$ for lh in nitrogen atmosphere. Solar efficiency of the sintered Cd$_1$-xZnxS/CdTe solar cells increases as the Zn content increases up to x=0.06 and then decreases with further increase in the Zn content. A solar efficiency of 12.5% under a solar intensity of 76mW/$\textrm{cm}^2$ was observed in a Cd 0.94 Zn0.06S/CdTe solar cell. By optimizing the amount of CdCl$_2$in the slurry and sintering conditions, it is possible to produce Cd$_1$-xZnxS/CdTe solar cells with efficiency higher than 12%.

• 태양에너지
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• 제11권3호
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• pp.74-83
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• 1991

본 논문은 substrate의 온도를 $200{\pm}1^{\circ}C$ 정도로 유지하며 진공저항 가열 증착법을 이용하여 (p)ZnTe/(n)Si 태양전지와 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si 복접합 박막을 제작한 후 그 전기적 특성을 조사, 비교하였다. 제작한 (p)ZnTe/(n)Si 태양전지와(n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si 복접합 박막에 대하여 $100[mW/cm^2]$의 광조사 하에서 특성을 조사한바 다음과 같은 결과를 얻었다. 단략전류$[mA/cm^2]$ (p)ZnTe/(n)Si:28 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:6.5 개방전압[mV] (p)ZnTe/(n)Si:450 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:250 충실도, FF (p)ZnTe/(n)Si:0.65 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:0.27 변환효율[%] (p)ZnTe/(n)Si:8.19 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:2.3 제작된 박막은 열처리에 의해 성능이 향상되지만 (p)ZnTe/(n)Si 태양전지는 약 $470^{\circ}C$ 이상의 온도와 15분 이상의 열처리 시간에서 그리고 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si 복접합 박막은 약 $580^{\circ}C$ 이상의 온도와 15분 이상의 열처리 시간에서는 박막의 각종 구조결함으로 인한 감소현상을 나타내었다. 열처리 온도의 증가에 따라 박막의 표면저항은 감소하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제14권7호
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• pp.1647-1652
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• 2010

CdTe 및 Cu(In,Ga)$Se_2$ 박막 태양전지의 창층으로 널리 이용되는 CdS에서 Cd의 일부를 Zn으로 치환하면 두 물질 사이의 전자 친화력의 정합이 향상되고 에너지 밴드 갭이 증가하여 개방전압 및 광전류를 증가시킬 수 있다. 본 연구에서는 태양전지와 같은 광전소자에 적용되는 CdZnS와 CdTe로 구성되는 이종접합 소자를 제작하고 접합에서의 전류 전도기구를 조사하기 위해 온도에 따른 전류-전압 특성을 분석하였다. CdS/CdTe 접합의 전류 흐름은 계면 재결합과 터널링의 조합에 의해 조절되지만 CdZnS/CdTe 접합의 경우 상온 이상의 온도에서는 공핍층에서의 생성/재결합, 상온 이하의 온도에서는 누설 전류나 터널링에 의해 전류 흐름이 제한됨을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 추계학술대회 논문집
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• pp.49-54
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• 1992

Devices of ITO/CdS/CdTe/Te/Al were prepared by Electron-Beam deposition under a vacuum of $7{\times}10^{-6}$[torr]. Optical, Electrical, Structural and Photovoltaic properties of thin film CdS/CdTe at substrate. temperature 300~500[$^{\circ}C$] were also investigated, The structure of CdTe films deposited was of the zincblende type a preferential orientation of the (111) plane parallel to the substrate, the CdTe dark resistivity was about $10^6[{\Omega}cm]$. The conversion, efficiency of the cell increased with increasing substrate temperature. The best-fabricated Cell was a conversion efficiency of 9.1[%].

• 한국진공학회지
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• 제1권1호
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• pp.50-59
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• 1992

X선 광전자 분광방법(XPS)에 의하여 CdTe의 절개된 (110) 표면과 스퍼터링된 표 면을 산소에 노출시키면서 CdTe 표면의 산화과정의 초기단계에 대하여 고찰하였다. Te 3d5/2, Cd 3d5/2, O 1s, Cd MNN 오제 스펙트럼 등의 분석으로부터 산화의 초기단계에서 산 소원자 두 개가 Te 원자 한 개에 결합하고 있음을 보았다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2011년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.106.2-106.2
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• 2011

다층 박막 구조로 이루어진 CdS/CdTe 태양전지의 경우, 각각의 박막이 다양한 제조 공정을 거치면서 물성특성의 변화를 겪게 된다. 각각의 박막이 고온의 열처리 공정과, $CdCl_2$ 용액 처리 및 후면 산화막 제거 공정 등을 거치게 되면서 겪게 되는 물성 변화 분석을 살펴보고자 한다. 각각의 박막 제조 방식은 일반적으로 사용되는 방식으로, CdS의 경우는 용액성장법(Chemical Bath Deposition, CBD), CdTe의 경우는 근접승화법(Closed Space Sublimaition, CSS)을 사용했으며, X-Ray Diffractometer (XRD), Raman spectroscopy, Field Emission Scanning Electron Microscope (FE-SEM), Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) 등을 이용하여 분석하였다. 각각의 셀 제조 공정을 거치면서 CdS, CdTe 박막들은 결정, 광 특성, 성분 변화를 보였다.