• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권3호
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• pp.21-32
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• 2006

본 논문에서는 누설전력 소비뿐만 아니라 스위칭 전력 소비를 동시에 줄일 수 있는 새로운 저전력 SRAM 회로를 제안한다. 제안된 저전력 SRAM은 대기모드와 쓰기동작에서는 셀의 소스라인 전압을 $V_{SSH}$로 증가시키고 읽기동작에서만 소스라인 전압을 다시 $V_{SS}$가 되도록 동적으로 조절한다. SRAM 셀의 소스라인 전압을 동적으로 조절하면 reverse body-bias 효과, DIBL 효과, 음의 $V_{GS}$ 효과를 이용하여 셀 어레이의 누설전류를 1/100 까지 감소시킬 수 있다. 또한 누설전류를 억제하기 위해 사용된 소스라인 드라이버를 이용하여 SRAM의 쓰기동작에서 비트라인 전압의 스윙 폭을 $V_{DD}-to-V_{SSH}$로 감소시킴으로써 SRAM의 write power를 대폭 감소시킬 수 있고 쓰기동작 중에 있는 셀들의 누설 전류 소비도 동시에 줄일 수 있다. 이를 위해 새로운 write driver를 사용하여 low-swing 쓰기동작 시 성능 감소를 최소화하였다. 누설전력 소비 감소 기법과 스위칭 전력 소비 감소 기법을 동시에 사용함으로써 제안된 SRAM은 특히 미래의 큰 누설전류가 예상되는 70-nm 이하 급 초미세 공정에서 유용할 것으로 예측된다. 70-nm 공정 파라미터를 이용해서 시뮬레이션한 결과 누설전력 소비의 93%와 스위칭 전력 소비의 43%를 줄일 수 있을 것으로 보인다. 본 논문에서 제안된 저전력 SRAM의 유용성과 신뢰성을 검증하기 위해서 $0.35-{\mu}m$ CMOS 공정에서 32x128 bit SRAM이 제작 및 측정되었다. 측정 결과 기존의 SRAM에 비해 스위칭 전력이 30% 적게 소비됨을 확인하였고 사용된 메탈 차폐 레이어로 인해서 $V_{DD}-to-V_{SSH}$ 전압이 약 1.1V 일 때까지 오류 없이 동작함을 관측하였다. 본 논문의 SRAM 스위칭 전력감소는 I/O의 bit width가 증가하면 더욱 더 중요해질 것으로 예상할 수 있다.

• Radiation Oncology Journal
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• 제8권1호
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• pp.85-93
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• 1990

1989년 보건사회부 통계에 의하면 1988년도 한국 성인 남녀의 제일 많은 암 사망원인은 위암으로 밝혀졌다. 위암의 최신의 치료방법은 조기발견에 의한 근치절제술이지만 수술 후 잔존위암, 재발성 위암 및 절제 불가능한 위암의 치료는 난점으로 지적되어 있다. 저자는 1895년 11월부터 1988년 12월까지 메리놀병원 치료방사선과에서 치료를 받았던 36예중 분석이 가능한 25예를 대상으로 다음과 같은 결론을 얻었다. 1, 방사선치료, 복합 항암제 치료, 및 온열치료의 병용요법은 비교적 안전하였으며 병용요법의 독성에 의한 사망은 없었다. 2, 병용요법에 의한 객관적 반응의 결과는 종괴축소로 판별하였으며 종괴절제술을 시행하였던 3예를 제외한 22예에서 측정이 가능하였다. 종괴의 완전 소실을 보인 예는 없었으며 11예($50\%$)에서 $50\%$이상의 종괴 축소를 보였다. 그러나 주관적 반응으로 증상의 소실 혹은 완화를 보인 예는 18예 ($82\%$)이었다. 3, 총 방사선조사 선량과 온열치료시 도달된 최고 온도는 종양반응의 예후 예측인자로 확인되었다. 4000 cGy 이상 조사된 14예중 9예 ($64\%$)에서 부분 반응을 보였으나 4000 cGy 미만의 4예중 1예 ($25\%$)에서 부분반응을 보였다. 온열치료시 도달된 최고 온도가 $41^{\circ}C$ 미만인 8예증 2예 ($25\%$), $41^{\circ}C$ 이상인 12예중 8예 ($67\%$)에서 부분 반응을 보였다. 4, 25예중 3예 ($12\%$)는 현재 생존하고 이중 1예는 절제 불가능했던 위암 환자로 5980 cGy의 방사선치료만 받았던 예로 현재 35개월째 생존하고 있으나 최근 원발 병소의 진행과 원격 전이가 관찰되었다. 나머지 2예는 근치절체술 후 절단면에서 암세포 침윤이 관찰되었던 예로 1예는 방사선치료와 온열치료, 1예는 복합 항암제치료는 시행받았으며 전자는 35개월, 후자는 24개월째 무병 상태로 생존하고 이다. 반응정도에 따른 정중 생존기간은 무반응군은 4.6개월 반응군은 11.5개월이었다.

• 한국진공학회지
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• 제22권2호
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• pp.55-65
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• 2013

본 연구에서는, 동시에 넓은 면적을 조사할 수 있는 형태의 유전체 장벽 방전을 이용한 대기압 면방전 플라즈마 발생장치를 이용하여 곰팡이의 살균 실험을 수행하였다. 실험에 사용한 면방전 플라즈마 발생장치의 파워는 사인파 교류전원을 이용하였으며, 1.4~2.3 kV의 방전전압을 가진다. 또한, 유전체 전기용량의 특성으로 인하여 전압과 전류의 위상차는 약 80도를 갖는다. 생물시료에 미치는 온도의 영향은 공랭식 쿨러를 사용하여 유전체의 열을 배출함으로써 최소화 하였으며, 시료의 온도는 온도측정장치를 사용하여 쿨러(Cooler) 작동 시 최대 10분간 플라즈마를 발생시켜도 37도가 넘지 않음을 확인하였다. 플라즈마에서 생성되는 활성종중 오존($O_3$)의 양은 플라즈마 발생부로부터 1 cm 이내에서 약 25~30 ppm이 측정되었으며, 150 cm 떨어진 지점에서도 5 ppm 정도 측정되었다. 그에 비해 일산화질소(NO)나 이산화질소($NO_2$)는 거의 검지되지 않음을 확인하였다. 증류수 속에 담긴 빵 곰팡이 포자를 면방전 플라즈마 발생장치로 처리하였을 때, 포자의 발아율은 처리시간 및 출력파워가 증가함에 따라 급격히 감소하였으며, MTT (3-(4,5-dimethy lthiazol-2yl)-2,5-diphenyl-2H-tetrazolium bromide) 측정법을 통해 분석한 미토콘드리아 활성도도 처리시간과 출력파워에 비례하여 감소함을 보았다. 반면 포자를 Vogel's minimal 배양액에 넣고 플라즈마 처리를 하면, 앞의 실험과 달리 살균효과가 미비함을 보였는데, 이를 통해 포자를 둘러싸고 있는 환경이 플라즈마의 살균효과에 영향을 미치는 것으로 보여진다. 본 연구를 통하여 유전체 장벽을 이용한 면방전 플라즈마 발생장치는 플라즈마 제트(jet)와는 달리 직접적인 접촉 없이도 미생물 살균이 가능하다는 것을 보여주었으며, 이는 면방전 플라즈마 발생장치로부터 발생하는 활성종들이 곰팡이와 같은 미생물의 비활성화에 주요역할을 하기 때문이라고 본다.

• Radiation Oncology Journal
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• 제7권2호
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• pp.247-257
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• 1989

절제 불가능한 원발성 간암은 여러 가지 다양한 치료법의 시도에도 불구하고 그 예후는 극히 불량하다. 이에 본 저자들은 온열요법에 대한 축적된 경험을 바탕으로 1988년 4월부터 7월까지 본과에 내원한 30명 의 절제 불가능한 원발성 간암 환자들에 대하여 온열 및 방사선 병용요법을 시행하였다. 방사선치료는 일일 조사량 180 cGy씩 3. 5주에 3060 cGy를 조사하였고 온열요법은 8 MHz 유전형온열치료기 (Thermotron RF-8, Cancermia)를 사용하여 주 2회씩 총 5회 시행하되 순서는 방사선 치료를 먼저 한 후 30분 이내에 온열요법이 30~60분간 시행되었다. 그 결과 부분반응이 12예에서 관찰되었고(40%), 증상의 호전이 28예 중 22예에서 관찰되었다(78.6%), 종양의 반응을 예측할 수 있는 인자로서는 형태학적 유형이 가장 유의하게 나타났다(single massive: 10/14, 71.4%, diffuse infiltrative: 2/10, 20% : multinodular : 0/6, 0%, p<0.005). 치료로 인한 심각한 부작용은 관찰되지 않았다. 1년 생존율은 34%였고 정중앙 생존기 간은 6.5개월이었다. 부분반응을 보인 환자군의 생존율 및 정중앙 생존 기간은 각각 50%, 11개월로서 반응을 보이지 않은 환자군의 22%, 5개월과 비교해 볼 때 정중앙 생존기간의 차이가 통계적으로 유의하였다.(p<0.05). 결론적으로 온열 및 방사선 병용요법은 절제 불가능한 원발성 간암의 증상호전 및 국소적 치료에 효과가 있는 것으로 생각되며 생존율 및 부작용 등에 관해서는 앞으로 연구가 더 진행되어야 할 것으로 생각된다.