In this paper, LTCC stacked patch antenna with a radial CPW fed slot and grounded-shorting vertical-via wall for 19GHz band wireless LAN is presented. Suggested antenna employed a patch and grounded-shorting vertical-via wall for radiation element, consist of feeding structure which a radial open feature at the end of the CPW feed line. The optimal design parameters of the antenna using by EM simulation program. We can see that enough to bandwidth 560MHz for 19GHz band WLAN antenna specification by the optimized antenna.
본 논문은 새로운 형태의 코프래너 급전형 이중 주파수 안테나 구조로서 단순한 두 개의 모노폴 안테나를 접합시켜 구성한 이중 주파수 모노폴 안테나를 제시한다. 각 공진 주파수는 각각의 모노폴 길이에 의해 결정되며 보다 긴 길이의 모노폴이 첫 번째 낮은 주파수의 공진 모드를, 짧은 길이의 모노폴이 두 번째 높은 주파수의 공진 모드를 형성한다. 임피던스 정합을 일으키는 방법은 CPW 공급선로를 이루는 접지 평면과 모노폴 사이의 간격에 의한 기생적인 신호결합 효과를 이용하였다 시뮬레이션을 통하여 설계된 안테나의 규격을 따라 제작된 안테나는 두 개의 공진 주파수가 약 6.25[GHz]와 23.5[GHz]에서 일어났으며, 두 주파수 사이의 간격이 $370\;%$ 이상인 이중 주파수 모노폴 안테나였으며 VSWR=2 임피던스 대역폭은 각각 $35.2\%,\;41.3\%$로 나타났다. 제안된 안테나 구조은 단순한 모노폴 안테나 구조들을 결합하여 넓게 떨어진 두 주파수 대역에서 동작하게 하며 RF 집적회로를 위한 안테나 구성을 가능하게 하였다.
We present in this Paper a microwave Power sensor fabricated by a standard CMOS process and a bulk micromachining process. The sensor consists of a CPW transmission line, a resistor as a healer, and thermocouple arrays. An input microwave heater, the resistor so that the temperature rises proportionally to the microwave power and tile thermocouple arrays convert it to an electrical signal. The sensor uses air bridged 8round of CPW realized by wire bonding to reduce tile device size and cost and to improve the thermal impedance. Al/poly-Si junctions are used for the thermocouples. Poly-Si is used for tile resister and Aluminium is for transmission line. The resistor and hot junctions of the thermocouples are placed on a low stress silicon nitride diaphragm to minimize a thermal loss. The fabricated device operates properly from 1㎼ to 100㎽\ulcorner of input power. The sensitivity was measured to be ,3.2~4.7 V/W.
본 논문에서는 0.1 $\mum$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT (High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 DC~45 GHz 대역의 광대역 MIMIC(Millimeter-wave Monolithic Integrated Circuit) 분산 증폭기를 설계 및 제작하였다. MIMIC 증폭기의 제작을 위해 Metamorphic HEMT(MHEMT)를 설계 및 제작하였으며, 제작된 MHEMT는 드레인 전류 밀도 442 mA/mm, 최대 전달컨덕턴스(Gm)는 409 mS/mm를 얻었다. RF 특성으로 fT는 140 GHz fmax는 447 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 광대역 MIMIC 분산 증폭기의 설계를 위해 MHEMT의 소신호 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이를 이용하여 MIMIC 분산 증폭기를 설계하였다. 설계된 분산 증폭기는 본 연구에서 개발된 MHEMT MIMIC 공정을 이용하여 제작하였으며, MIMIC 분산 증폭기의 측정결과, DC ~ 45 GHz대역에서 6 dB 이상의 S21 이득을 얻었으며, 입력반사 계수는 45 GHz에서 -10 dB, 출력반사계수는 -7 dB의 특성을 나타내었다. 제작된 분산 증폭기의 칩 크기는 2.0 mm$\times$l.2 mm다.
본 논문에서는 MMIC 응용을 위한 dielectric-supported air-gapped microstrip line (DAML) 구조를 이용하여 dual-mode stepped impedance 링 공진기를 설계 제작하였다. 링 공진기는 표면 마이크로머시닝 기술을 이용하여 만들어졌다. DAML ring resonator는 다층구조로써 공기중에 위치한 신호선과 MMIC 응용에 적합하도록 CPW가 한 평면에 구성되 있으며 DAML-CPW 트랜지션이 자유로운게 특징이다. DAML 링 공진기는 $10{\mu}m$ 높이로 GaAs 기판 으로부터 띄어져 있다. 대역통과 여파기는 dual-mode 공진을 하며 stepped impedance 이용한 구조이다. 측정결과로 중심주파수 97 GHz에선 감쇠특성은 15 dB, 삽입손실은 2.65 dB를 보였으며, 상대 대역폭은 12 %를 나타냈다. 이같은 구조의 대역통과 여파기는 MMIC 와의 직접화에 유리하다.
본 논문에서는 UWB 통신용 CPW 급전 디스크 섹터 안테나를 설계하고 제작한다. 또한 디스크 섹터 안테나의 부채꼴에 사각형 슬릿을 삽입하여 E-평면에서 방향성을 갖도록 하였다. 안테나의 입력 임피던스는 안테나를 구성하는 파라미터인 디스크 섹터의 반경, 디스크 섹터의 중심각, 접지면의 길이와 급전선 부근의 접지면 모서리의 길이를 변화시켜서 $50{\Omega}$을 갖는 급전선과 정합시켰다. 설계된 UWB 통신용 안테나의 크기는 $72mm{\times}26mm$이고, 시뮬레이션을 통한 안테나의 대역폭은 $3{\sim}13GHz$이다. 측정결과로부터 대역폭은 $1.98{\sim}11GHz$이고 제작된 안테나의 반사손실과 이득은 3.5GHz에서 -50.88dB, 1.34dBi, 5.5GHz에서 -12.27dB, 3.35dBi, 8GHz에서 -23.2dB, 3.8dBi이고 10GHz에서 -16.17dB, 5.2dBi를 갖는다.
본 논문에서는 높은 방사 효율을 갖는 co-planar waveguide(CPW) 급전 방식의 영차 공진 안테나를 제작하고 측정하였다. 제안된 안테나의 단위 셀은 직렬 metal-insulator-metal(MIM) 형태의 커패시터와 단락된 병렬 스터브 인덕터로 구성되어 있다. 안테나의 크기를 소형화시키는 동시에 방사 효율을 높이기 위하여 비아를 통하여 접지면과 연결되어지는 두 개의 $90^{\circ}$ 접혀진 단락 스터브 선로를 병렬 인덕터의 구조로 사용하였다. 두 개의 단위셀을 사용하여 설계된 안테나는 composite right/left-handed(CRLH) 전송 선로의 끝단을 개방하여 병렬부에서 주된 방사가 일어나도록 하였다. 제안된 안테나의 영차 공진 주파수는 3.05 GHz이고, 전체 크기는 $0.22\;{\lambda}_0{\times}0.22\;{\lambda}_0$이다. 제작된 안테나의 측정 결과, 영차 공진 주파수 2.97 GHz에서 안테나의 이득과 효율은 각각 3.04 dBi와 75 %로 향상되었다.
본 논문에서는 밀리미터파 대역에서 PPL 모드에 의한 혼신 현상을 억제할 수 있는 새로운 구조의 CB-CPW 전송선로 구조를 제안하였다. 제안된 구조는 주기판으로 사용되어지는 GaAs 기판 밑면에 Si 손실층이 부착된 형태를 갖는다. PPL 모드는 진행하며 도전율 ${\sigma}$를 갖는 Si 손실층에 의해 감쇠되고, 결과적으로 혼신은 억제된다. 모의 실험 결과, 200 um의 두께와 도전율 ${\sigma}$ = 30S/m를 갖는 Si 기판을 손실층으로 사용하였을 때 60GHz에서 -40 dB이하고 혼신을 억제할 수 있음을 확인하였다. 제안된 방법은 가격이 저렴한 Si 기판을 손실층으로 사용하므로써 밀리미터와 대역에서 동작하는 여러 분야에 이용될 수 있으리라 기대된다.
This paper presents the design and simulation results of ohmic contact RF MEMS silicon switch with a high isolation at high frequencies along with the position of a contact part, initial off-state and intermediate off-state including the state where a contact part is placed right over a signal line of coplanar waveguide (CPW). The ohmic contact part is connected with comb drives made of high resistivity single crystalline silicon. The released contact part is $30{\mu}m$ apart from the edge of signal line on the glass substrate along the lateral direction (x-direction) at initial off-state. The electrostatic force of the comb electrode creates the x-directional movement thus initial state is converted to the intermediate off-state. The initial off-state of the switch results in isolations of -31 dB, -24 dB and reflections of -0.45 dB, -0.67 dB at 50 GHz and 110 GHz, respectively. It shows the isolation degradation when the contact part moves right over the signal line of CPW like an initial off-state of a conventional MEMS switch. The isolations and reflections are -31 dB, -24 dB and -0.50 dB, -1.31 dB at 50 GHz and 110 GHz, respectively at the intermediate off-state.
본 연구에서는 60 GHz 대역의 무선 LAN(Wireless Local Area Network) 시스템에서 Balanced 구조를 갖는 증폭기나 믹서에 응용이 가능한 CPW(Coplanar Waveguide)구조의 Tandem 형 3-dB 방향성 결합기를 설계하고 제작하였다. 이는 기존의 edge-coupled 선로를 이용한 3 dB 결합기가 가지는 제작의 어려움과 방향성의 문제를 개선하기 위해 단일 결합선로를 다단으로 평행하게 연결한 구조이다. 우리는 소자의 크기와 제작의 용이함을 고려해, 결합계수가 -8.34 dB를 갖는 단일 결합선로를 2단으로 평행하게 연결한 구조를 채택하였다. 그리고 기존의 Tandem 결합기 제작에서 사용되어왔던 다층 기판 구조나 본딩 구조가 아닌 에어브리지 구조를 이용하여 단일 평면으로 쉽게 구현할 수 있도록 하였고, V-band(50 $\~$75 GHz)내에서 동작할 수 있도록 기생성분을 줄이고 소자 특성을 유지시켰다. 측정결과 V-band에서 완만한 3.5 $\~$4 dB의 결합도와 87.5$^{\circ}{\pm}1^{\circ}$ 의 위상차를, 60 GHz 에서는 30 dB 이상의 방향성을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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