In this paper, we showed parasitic effects in the millimeter wave package, and proposed a suppression method of parasitic effects using Si lossy layer. From CB-CPW used as a transmission line of the MIMIC package, PPL mode is generated and this causes the parasitic effects considered from this paper. Parasitic effects caused by PPL mode such as resonance, radiation, and crosstalk in the single and multi-chip package ran affect to the performance of MIMIC seriously. To suppress these parasitic effects, we adapted Si lossy layer $\rho$ . The PPL mode can be suppressed by the lossy layer, and it eliminates the parasitic effects. It is expected that showed results ran be used as luxurious data for design MIMICs and various types of millimeter wave applications.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.18
no.1
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pp.16-20
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2017
A RF-MEMS (radio-frequency microelectromechanical-system) based DPDT (double pole double throw) switch for the Ku band has been designed and analyzed for this article. The switch topology is based on the FG-CPW (finite ground-coplanar waveguide) configuration of a microstrip-transmission line. An FEM-based multiphysics solver is used for the evaluation of the spring constant, stress distribution, and pull-in voltage regarding the requirements of the switch-beam unit. The electromagnetic performance of the switch is investigated for a $675{\mu}m$ thick silicon substrate. For the operational frequency of 14.5 GHz, an insertion loss better than -0.3 dB, a return loss better than -40 dB, and input/output- and output-port isolations better than -35 dB are achieved for the switching unit.
This paper presents the design and performance of low pull-in voltage MEMS switches for commercial cellular/PCS applications. The switches have all-metal (3 ${\mu}m$ thick Au) movable plates over CPW(Coplanar Waveguide) transmission line. The stress gradient in a movable plate is considered in mechanical design to obtain an accurate pull-in voltage. Series metal-to-metal contact switches are fabricated and evaluated. Those switches exhibit the low loss(<0.2 dB @1.9 GHz) with good isolation(55 dB @1.9 GHz).
This paper describes the design and the simulation of a V-band single pole double throw (SPDT) FET switch fur millimeter-wave applications using drain impedance transformation network with CPW transmission line. The designed switch has about 10% bandwidth at 60GHz. Insertion loss is better than 3dB fur the ON state and Isolation is larger than 30dB fer the OFF state. The maximum isolation is 43.4dB at 60GHz with input power of 10dBm. The yield analysis is done considering the effects of pHEMT variations.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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v.38
no.1
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pp.70-77
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2014
In this work, we studied basic characteristics of transmission lines employing various PSS (periodic strip structure) on silicon substrate for application to a miniaturization of RF components. According to the results, the transmission lines employing various PSS showed wavelength shorter than conventional coplanar waveguide due to their strong wave characteristics. Especially, with-contact structure was most effective for a miniaturization of RF component. Concretely, the size of the transmission line employing with-contact was only 4.39 % of the conventional coplanar waveguide, According to the bandwidth extraction result, the bandwidth of the transmission lines employing various PSS structures were wider than 384 GHz. Above results indicate that the transmission lines employing various PSS can be effectively used for application to a broadband and miniature RF component, and especially, with-contact is most effective for a miniaturization of RF components.
The Journal of The Korea Institute of Intelligent Transport Systems
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v.8
no.2
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pp.67-74
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2009
In this paper, the multi-band antenna with CPWG(Coplanar Waveguide with Ground) feed for telematics mobile devices is designed and fabricated. The proposed antenna improves the return loss characteristic by using open-circuited stub matching and rectangular slot in the radiation patch. In addition, CPWG structure makes up for the drawback of the CPW which is variation of impedance matching according to the gap variation of the feed line and the ground. The fabricated antenna has 1.4GHz ($1.43GHz{\sim}2.83GHz$, 65%) band width on -10dB (VSWR<2) and the maximum gains are 0.8dBi, 1.34dBi, 2.41dBi, 2.53dBi, 2.6dBi and 1.51dBi on each resonant frequency that are GPS $(1.564GHz{\sim}1.585GHz)$, PCS/DCS $(1.710GHz{\sim}1.984GHz)$, WCDMA $(2.170GHz{\sim}2300GHz)$, Bluetooth/Wi-Fi/WLAN $(2.4GHz{\sim}2.483GHz)$, WiBro $(2.3GHz{\sim}2.4GHz)$, SDMB $(2.605GHz{\sim}2.655GHz)$. It also has an omni-directional radiation pattern of H-Plane.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.24
no.6
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pp.35-42
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2010
We use conformal mapping method to derive the analytical expressions for calculating electrostatic fields and electric potentials surrounding the conductor-backed coupled coplanar waveguide(CBCCPW) structure. Using the derived expressions, the electrostatic fields and potentials are computed at various points of the CBCCPW's geometry and the field and potential distributions are analyzed. The proposed method provides a faster and simpler calculation of the field distributions than the full-wave analysis method because no iterations are required. This method can be widely applied to the analysis of microwave integrated circuits using coupled line, such as coupler, filter, and microstrip antenna.
The high performance 94 GHz MMIC(Monolithic Micro-wave Integrated Circuit) single balanced mixer was designed and fabricated, using MHEMT structure based diodes and a CPW(Coplanar Waveguide) tandem coupler. A novel single-balanced structure of diode mixer is proposed in this work, where a 3-dB tandem coupler with two section of parallel-coupled line. Implemented air-bridge crossover structures achieve wide frequency operation and the fabricated mixer exhibits excellent LO-RF isolation, larger than 30 dB, in the 5 GHz bandwidth of 91-96 GHz. A good conversion loss of 7.4 dB is measured at 94 GHz. The proposed MHEMT-based diode mixer shows superior LO-RF isolation and conversion loss to those of the W-band mixers reported to date.
Park, Jae-Hyoung;Kim, Hong-Teuk;Kwon, Young-Woo;Kim, Yong-Kweon
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.11
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pp.627-634
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2000
In this paper, new micromachined tunble bandpass filters for multi-band millimeter-wave telecommunication systems are proposed. Two types of mm-wave tunable filters are fabricated using micromachning technology and the responses of the filters are measured. One is two-pole lumped elements filter and the other two-pole resonators filter. Frequency tunability of the filter is achieved by changing the gap between a common CPW ground plate and the movable cantilever beam connected to the transmission line with the controllable renge of 2.5${\mu}m$. The deflection of cantilever beam is measured with the applied DC voltage. With the applied bias voltage from 0 to 50 V, the fabricated filters show 0.6 GHz(2.3%) at 26.6 GHz, and 0.8 GHz(2.5%) at 32 GHz center frequency shift for the lumped elements and resonators filter, respectively. The life time of the fabricated gold cantilever structure are tested.
Park, Jae-Hyoung;Kim, Hong-Teuk;Kwon, Young-Woo;Kim, Yong-Kweon
Proceedings of the KIEE Conference
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1999.07g
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pp.3271-3273
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1999
In this paper, new micromachined tunable bandpass filters for multi-band millimeter-wave telecommunication systems are proposed. Two types of mm-wave tunable filters are fabricated using micromachining technology and the responses of the filters are measured. One is two-pole lumped elements filter and the other two-pole resonators filter. Frequency tunability of the filter is achieved by changing the gap between a common CPW ground plate and the movable cantilever beam connected to the transmission line with the controllable range of 2.5 ${\mu}m$. The deflection of cantilever beam is measured with the applied DC voltage. With the applied bias voltage from 0 to 50 V, the fabricated filters show 0.6 GHz(2.3 %) at 26.6 GHz, and 0.8 GHz(2.5%) at 32 GHz center frequency shift for the lumped elements and resonators filter, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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