알루미늄 기판 및 양극산화 공정을 사용하여 LED Chip on Board(COB) 패키지를 제작하였다. 선택적 양극산화 공정을 적용하여 알루미늄 기판 상에 알루미나를 형성하고 이를 COB 패키지 절연층으로 사용하였으며, 비아홀 내부가 충진된 구조의 Thermal Via를 구현하였다. 패키지 기판 종류에 따른 열저항 및 발광효율 변화를 파악하기 위해 알루미늄 기판과 알루미나 기판을 제작하고 이를 각각 비교 분석하였다. Thermal Via가 적용된 알루미늄 기판이 51%의 열저항 개선 및 14%의 발광효율 향상 특성을 보여주었다. 이러한 결과는 선택적 양극산화 공정 및 Thermal Via 구조적용으로 COB 패키지의 방열 특성이 향상되었음을 의미한다. 또한 동일한 전력 소모시 LED 칩 개수에 따른 COB 패키지의 열저항 및 발광효율 변화를 분석함으로써 다수 칩의 효율적인 배치가 열저항 및 발광효율을 증가시킬 수 있음을 확인하였다.
본 논문에서는 열 해석 시뮬레이션 프로그램인 COMSOL Multiphysics를 활용하여, LED Module의 제작 시, 가장 선호되는 패키지 종류인 COB Type과 보드를 생략한 COH Type의 열 해석 시뮬레이션을 진행한다. LED Module의 시뮬레이션 결과 방열판을 통과하는 위치에 따라 COB Type은 Max. 약 $78^{\circ}C$ ~ Min. 약 $62^{\circ}C$, COH Type은 Max. 약 $88^{\circ}C$ ~ Min. 약 $67^{\circ}C$에서 온도가 안정이 됨을 확인하였다. COB Type과 비교하여 Max. 온도는 약 $10^{\circ}C$ 차이가 나지만, Min. 온도에서 약 $5^{\circ}C$정도로 격차가 감소함을 확인하였으며, LED Point 온도특성곡선을 확인 한 결과 COB Type은 Max. 약 $100^{\circ}C$ ~ Min. 약 $77^{\circ}C$, COH Type은 Max. 약 $100^{\circ}C$ ~ Min. 약 $86^{\circ}C$온도가 안정이 됨을 확인하였으며, COB Type에 비해 COH Type이 약 $10^{\circ}C$ 온도가 높게 측정되었다.
In this paper, thermal analysis of heatsink for 30 W class Chip-on-Board (COB) LED light source is performed by using SolidWorks Flow Simulation package. In order to increase the convection heat transfer, number of fin and shape of the heatsink is optimized. Furthermore, a copper spread is applied between the COB LED light source and the heatsink to mitigate the heat concentration on the heatsink. With the copper spread, the junction temperature between the COB LED light source and the heatsink is $50.9^{\circ}C$, which is $5.4^{\circ}C$ lower than the heatsink without the copper spread. Due to the improvement of the junction temperature, the light output is improved by 5.8% when the LED light source is stabilized. The temperature difference between the simulation and measured result of the heatsink with the copper spread is within $2^{\circ}C$, which verifies the validity of the thermal design method using a simulation package.
The light emitting diodes(LED) package of new structure is proposed to promote the reliability and lifespan by maximize heat dissipation occurred on the chip. We designed and fabricated the LED packages mixing the advantages of chip on board(COB) based on conventional metal printed circuit board(PCB) and the merits of Si sub-mount using base as a substrate. The proposed LED package samples were selected for the superior efficiency of the material through the sealant properties, chip characteristics, and phosphor properties evaluations. Reliability test was conducted the thermal shock test and flux rate according to the usage time at room temperature, high-temperature operation, high-temperature operation, high-temperature storage, low-temperature storage, high-temperature and high-humidity storage. Reliability test result, the average flux rate was maintained at 97.04% for each items. Thus, the Si sub-mount based LED package is expected to be applicable to high power down-light type LED light sources.
COB(chip-on-board) 플립칩 패키지에 있어서 NCP(non-conductive paste)의 적용성을 확보하기 위해 자체 포뮬레이션한 NCP와 상용 NCP에 대하여 보드레벨 플립칩 패키지를 제작하고 고온고습 및 열충격 신뢰성을 평가하였다. 실험결과 보다 작은 입도의 용융 실리카를 첨가한 NCP 시제품들이 고온고습 신뢰성에 유리한 것을 알 수 있었다. 또한, NCP 접속부에 있어서 열응력에 의한 피로보다 흡습에 의한 에폭시의 팽창이 접속부 파손에 보다큰 영향을 미치는 것으로 나타났으며, NCP의 접착강도가 높을수록 NCP 플립칩 패키지의 열충격 신뢰성이 향상되는 것을 알 수 있었다.
모바일 정보통신기기를 중심으로 실장모듈의 초소형화, 고집적화로 인해 접속단자의 피치가 점점 미세화 됨에 따라 플립칩 본딩용 접착제에 함유되는 무기충전제인 실리카 필러의 크기도 미세화되고 있다. 본 연구에서는 NCP (non-conductive paste)의 실리카 필러의 크기가 COB(chip-on-board) 플립칩 패키지의 신뢰성에 미치는 영향을 조사하였다. 실험에 사용된 실리카 필러는 Fused silica 3 종과 Fumed silica 3종이며 response surface 실험계획법에 따라 혼합하여 최적의 혼합비를 정하였다. 테스트베드로 사용된 실리콘 다이는 투께 $700{\mu}m$, 면적 5.2$\times$7.2mm로 $50\times50{\mu}m$ 크기의 Au 도금범프를 $100{\mu}m$ 피치, peripheral 방식으로 형성시켰으며, 기판은 패드를 Sn으로 finish 하였다. 기판을 플라즈마 전처리 후 Panasonic FCB-3 플립칩 본더를 이용하여 플립칩 본딩을 수행하였다. 패키지의 신뢰성 평가를 위해 $-40^{\circ}C{\sim}80^{\circ}C$의 열충격시험과 $85^{\circ}C$/85%R.H.의 고온고습시험을 수행하였으며 Die shear를 통한 접합 강도와 4-point probe를 통한 접속저항을 측정하였다.
In this paper, the band structural design that is typically in a line was arranged in a ring shape, so as to configure the high power LED lighting in such a way as to form a concentrated light distribution angle of less than 15 degrees. The parabolic aluminized reflector PAR38 that facilitates design using area and the area of the optical system to the same extent, applied a multiple light-source condenser lens optical system for the control of integration. The LED used here implemented a single linear light source using ans LED module with ans LED, flip-chip chip-scale package. The optical system was designed based on the energy star standard.
In this paper, we focus on optimization of a boron ($^{11}B$)-implanted n type Si epi substrate for obtaining near-zero temperature coefficient of resistance (TCR) at temperature range from 25 to $125^{\circ}C$. The $^{11}B$-implantation on the N type-Si epi substrate formed isolation from the rest of the N-type Si by the depletion region of a PN junction. The TCR increased as the temperature of rapid thermal anneal (RTA) was increased at the temperature range from $900^{\circ}C$ to $1000^{\circ}C$ for the $p^+$ contact with implantation at dose of $1E16/cm^2$, but sheet resistance of this film was decreased. After the optimization of anneal process condition, the TCR of $1126.7{\pm}30.3$ (ppm/K) was obtained for the $p^-$ resistor-COB package chips contained $p^+$ contact with the implantation of $5E14/cm^2$. This shows the potential of the $^{11}B$-implanted n type Si epi substrate as a resistor for pressure sensor in thermal stable environment applications..
LED는 광학특성을 유지하기 위해서 최적의 방열설계가 요구된다. 이 논문에서는 입력FR-4의 Top Layer의 면적을 506.25[$mm^2$]이상으로 확대함으로써, 인가 전력 0.5W 조건하에서 FR-4 PCB로 MCPCB와 유사한 방열 특성을 발휘할 수 있음을 열화상카메라를 통한 측정 및 전산모사를 이용하여 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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