• 한국진공학회지
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• 제4권4호
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• pp.417-424
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• 1995

전자 회전 공명 플라즈마 발생 장치에서 CF4를 방전시켰을 때 각종 플루오로카본 래디칼의 절대적, 상대적 밀도 변화를 수소 철가율, 동작 압력 그리고 축방향에 따라 appearace mass spectrometry(AMS)를 통해 조사하였으며, 플루오린 원자의 상대적 밀도 변화가 actinometry법에 의해 조사되었다. 수소첨가에 따른 CF2 래디칼의 거동을 actinometry와 AMS로 살펴보았을 때 서로 일치하는 경향을 얻었으며 마이크로웨이브전력 500W, 압력 7.5mTorr에서 CF3와 CF2 래디칼의 밀도가 CF에 비해 높았으며 각각 2X1013/㎤, 1X1013/㎤의 값을 가졌다. 수소를 첨가함에 따라 플루오린 원자와 CF3의 밀도는 감소하는 반면 CF2와 CF의 밀도는 현저히 증가하여 수소가 40% 첨가된 경우 CF2의 밀도가 CF3보다 커짐을 확인하였다. 또한, CF2가 증가하면서 C2F4의 존재가 확인되었으며, 수소가 30% 첨가된 경우 축방향을 따라 C2F4래디캄만이 증가하였고 플루오린 원자는 감소하는 반면 다른 CFx(x=1~3)래디칼은 거의 변화가 없었다. 이러한 실험 결과를 토대로 CF4+H2 플라즈마를 이용한 산화막 식각 특성이 설명되었다.

• 한국진공학회지
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• 제7권4호
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• pp.374-380
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• 1998

글로벌 모델을 사용하여 $CF_4$ 플라즈마 내부에서의 각 중성 및 이온 라디칼 밀도를 계산하였다. 중성 입자로서는 플루오린 원자가 가장 많고, 높은 입력 전력 조건의 경우 CF 나 $CF^+$와 같은 저 분자 해리종이 주종을 이룬다. 압력이 증가 할수록 하전 입자의 밀도는 증가하나 전자 온도의 감소로 이온화율은 감소한다. 공급 가스인 $CF_4$의 해리율은 압력에 따 라 증가한후 다시 감소하는 양상을 보인다. 전자 온도 및 밀도는 입력유량에 대해서 거의 변화가 없다. $CF_4$의 해리율은 유량 증가에 따라 선형적으로 감소하며 이는 $CF_3$의 증가와 CF의 감소로 이어진다. 식각 실험 결과와의 비교를 통해 플루오로 카본 이온종 및 높은 C/F비를 갖는 중성 라디칼의 상대적 밀도 증가가 $SiO_2$/Si식각 선택도 향상에 주요함을 알 수 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권5호
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• pp.393-397
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• 2002

Polyimide (PI) films have been studied widely as the interlayer dielectric materials due to a low dielectric constant, low water absorption, high gap-fill and planarization capability. The polyimide film was etched using inductively coupled plasma system. The etcying characteristics such as etch rate and selectivity were evaluated at different $CF_4/(CF_4+O_2)$chemistry. The maximum etch rate was 8300 ${\AA}/min$ and the selectivity of polyimide to SiO$_2$was 5.9 at $CF_4/(CF_4+O_2)$ of 0.2. Etch profile of polyimide film with an aluminum pattern was measured by a scanning electron microscopy. The vertical profile was approximately $90^{\circ}$ at $CF_4/(CF_4+O_2)$ of 0.2. As 20% $CF_4$ were added into $O_2$ plasma from the results of the optical emission spectroscopy, the radical densities of fluorine and oxygen increased with increasing $CF_4$ concentration in $CF_4/O_2$ from 0 to 20%, resulting in the increased etch rate. The surface reaction of etched PI films was investigated using x-ray photoelectron spectroscopy.

• 원예과학기술지
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• 제31권6호
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• pp.740-747
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• 2013

2012년 충남 부여에서 Fulvia fulva 저항성 유전자 Cf-9를 가지고 있는 토마토 품종('큐티', '도태랑다이아', '유니콘', '라피토')에서 잎곰팡이병이 크게 발생하였다. 이들 4개 Cf-9 토마토 품종으로부터 총 15개 균주를 분리하였다. 이들은 모두 형태적 특성이 같았으므로 이들 중 9개 균주를 선발하여 ITS rDNA 염기서열을 분석하여 동정한 결과, 모든 균주는 F. fulva임을 알 수 있었다. Cf-4, Cf-5 그리고 Cf-9 저항성 품종에 대한 분리한 15개 균주의 병원성을 검정하였다. 모든 균주들은 Cf-9 품종인 '큐티'와 '슈퍼도태랑' 그리고 Cf-5 품종 '요요캡틴'에서 강한 병원성을 나타냈다. 반면에 Cf-4 품종인 '슈퍼도태랑'에서는 5개의 균주만이 병원성을 나타내었고, 나머지 균주들에 대해서 이 품종은 저항성을 보였다. 그리고 Cf-9 품종에는 감수성을 그리고 Cf-4 품종엔 저항성을 나타내는 두 균주를 선발하여 Cf-9 품종으로 보고된 시판 중인 토마토 17개 품종에 대한 이들의 병원성을 조사하였다. 이들 중 15개 품종은 감수성을, 그리고 2개 품종은 저항성을 보였다. 이는 저항성 두 품종이 다른 저항성 유전자를 가지고 있기 때문으로 생각되었다. 본 논문은 우리나라에서 Cf-9 토마토 품종에 잎곰팡이병을 일으키는 F. fulva 균주의 발생을 처음으로 보고하는 것이다.

• 한국환경과학회지
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• 제22권9호
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• pp.1097-1103
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• 2013

Tetrafluoromethane($CF_4$) have been widely used as etching and chemical vapor deposition gases for semiconductor manufacturing processes. $CF_4$ decomposition efficiency using microwave system was carried out as a function of the microwave power, the reaction temperature, and the quantity of $Al_2O_3$ addition. High reaction temperature and addition of $Al_2O_3$ increased the $CF_4$ removal efficiencies and the $CO_2/CF_4$ ratio. When the SA30 (SiC+30wt%$Al_2O_3$) and SA50 (SiC+50wt%$Al_2O_3$) were used, complete $CF_4$ removal was achieved at $1000^{\circ}C$. The $CF_4$ was reacted with $Al_2O_3$ and by-products such as $CO_2/CF_4$ and $AlF_3$ were produced. Significant amount of by-product such as $AlF_3$ was identified by X-ray powder diffraction analysis. It also showed that the ${\gamma}-Al_2O_3$ was transformed to ${\alpha}-Al_2O_3$ after microwave thermal reaction.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.210-210
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• 1999

그리드 전압을 +20V에서 -20V까지 변화시켜 줌을 이용해 확산 영역의 전자의 온도를 2-0.6eV까지 제어할 수 있었으며, 전자 밀도는 1010cm-3 - 1011cm-3, 플라즈마 전위는 3-25V까지 제어할 수 있었다. <그림1>은 실험결과이다. 그 외 전자의 온도는 입력 전력의 주파수 및 크기에는 거의 무관하나 압력에 반비례하였으며, 밀도는 전력의 크기에 비례하고, 압력에 반비례하나, 전력의 주파수에는 무관하였다. 그리드 전압이 20V에서 -20V로 변함에 따라 전자의 온도가 떨어져 높은 에너지를 가진 전자들이 줄어들게 되어 CF3+의 양은 많아지고 CF2+와 CF+의 양은 상대적으로 줄어들어 CF3+와 CF2+ 비는 4-18 CF3+와 CF+ 비는 2-5까지 변화하였으며, 변화모양은 전자 온도에 크게 의존하였다. <그림2>는 결과를 나타낸 것이다. 그 외 CF3+ / CF2+ 와 CF3+ / CF+는 입력 전력의 크기에 반비례하며, 압력, 가스 주입량에 따라서도 이온들의 분포 변하였다. 그러나 입력 전력의 주파수와는 무관하였다. Appearance mass spectrometry를 이용한 결과 CF, CF 중성종의 분포도 그리드 전압에 따라 변하여 그리드 전압이 높은 경우 더 많이 존재하였다.

• 공업화학
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• 제10권2호
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• pp.242-246
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• 1999

${\gamma}-chromia$ 촉매상에서 이염화이불화메탄 ($CF_2Cl_2$)과 사염화메탄 ($CCl_4$)을 불화수소로 불화하여 얻은 생성물의 분포에 대해 반응온도와 접촉시간, 그리고 반응주입 몰비 (HF/$CF_2Cl_2$ 또는 HF/$CCl_4$)의 영향을 조사하였다. 이염화이불화메탄의 불화반응은 주입 몰비 (HF/$CF_2Cl_2$)가 3 이상에서 접촉시간과 반응온도가 증가함에 따라 사불화메탄의 수율이 증가하여 반응온도 $370^{\circ}C$ 이상과 접촉시간 3초 이상에서 100%에 가까운 수율을 얻었다. 사염화메탄의 불화반응의 경우에는 이염화이불화메탄의 불화반응보다 반응온도가 높은 $500^{\circ}C$와 접촉시간 3초, 그리고 과량의 불화수소가 포함된 HF/$CCl_4$의 몰비 5에서 사불화메탄의 수율이 90% 이상 얻어졌다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제27권3호
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• pp.373-375
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• 2006

$CF_4$ gas is one of the most common chemicals used for dry etching in semiconductor manufacturing processes. For application to the etching process and environmental control, the low-pressure inductively coupled plasma (LP-ICP) was employed to obtain the spectrum of $CF_4$ gas. In terms of the analysis of the spectra, trace CF radical by A-X and B-X transitions was detected. The other $CF_x$ radicals, such as $CF_2$ and $CF_3$, were not seen in this experiment whereas strong C and $C_2$ emissions, dissociation products of $CF_4$ gas, were observed.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체재료 기술교육
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• pp.74-77
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• 2002

Ferroelectric Random Access Memory(FRAM) and MEMS applications require noble metal or refractory metal oxide electrodes. In this study, Ru thin films were etched using $O_2$+10% $CF_4$ plasma in an inductively coupled plasma(ICP) etching system. The etch rate of Ru thin films was examined as function of rf power, DC bias applied to the substrate. The enhanced etch rate can be obtained not only with increasing rf power and DC bias voltage, but also with small addition $CF_4$ gas. The selectivity of $SiO_2$ over Ru are 1.3. Radical densities of oxygen and fluorine in $CF_4/O_2$ plasma have been investigated by optical emission spectroscopy(OES). The etching profiles of Ru films with an photoresist pattern were measured by a field emission scanning electron microscope (FE-SEM). The additive gas increases the concentration of oxygen radicals, therefore increases the etch rate of the Ru thin films and enhances the etch slope. In $O_2$+10% $CF_4$ plasma, the etch rate of Ru thin films increases up to 10% $CF_4$ but decreases with increasing $CF_4$ mixing ratio.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.238-239
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• 2011

최근 반도체 산업은 더 높은 성능의 회로 제작을 통해 초고집적화를 추구하고 있다. 이를 위해서 회로 설계의 최소 선폭과 소자 크기는 지속적으로 감소하고 있고 이를 위한 배선 기술들은 플라즈마 공정을 이용한 식각공정에 크게 의존하고 있다. 식각공정에 있어서 반응가스의 조성은 식각 속도와 선택도를 결정하는 중요한 요소이다. 본 연구에서는 CIS QMS (closed ion source quadrupole mass spectrometer)를 이용하여 CF4+Ar를 이용한 실리콘 산화막의 플라즈마 식각 공정 시 생성되는 라디칼과 이온 종들을 측정하였다. Ar 이온이 기판표면과 충돌하여 기판물질간의 결합을 깨놓으면, 반응성 기체 및 라디칼과의 반응성이 커져서 식각 속도를 향상 시키게 된다. 본 실험에서는 2 MHz의 RPS (remote plasma source)를 이용하여 플라즈마를 발생시키고 13.56 MHz의 rf 전력을 기판에 인가하여 식각할 웨이퍼에 바이어스 전압을 유도하였다. CF4/(CF4+Ar)의 가스 혼합비가 커질수록 식각 부산물인 SiF3의 양은 증가 하였으며, CF4 혼합비가 0일 때(Ar 100%) 비하여 1일 때(CF4 100%) SiF3의 QMS 이온 전류는 106배 증가하였다. 이때의 Si와 결합하여 SiF3를 형성하는 F라디칼의 소모는 0.5배로 감소하였다. 또한 RPS power가 800 W일 때 플라즈마에 의해서 CF4는 CF3, CF2, CF로 해리 되며 SiO2 식각 시 라디칼의 직접적인 식각과 Si_F2의 흡착에 관여되는 F라디칼의 양은 CF3 대비 7%로 검출되었고, 식각 부산물인 SiF3는 13%로 측정되었다. Ar의 혼합비를 0 %에서 100%까지 증가시켜 가면서 측정한 결과 F/CF3는 $1.0{\times}105$에서 $2.8{\times}102$로 변화하였다. SiF3/CF3는 1.8에서 6.3으로 증가하여 Ar을 25% 이상 혼합하는 것은 이온 충돌 효과에 의한 식각 속도의 증진 기대와는 반대로 작용하는 것으로 판단된다.