• Journal of Animal Science and Technology
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• 제47권6호
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• pp.985-1000
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• 2005

리놀렌산(C18:3)과 리놀산(C18:2)의 biohydrogenation 과 반추위 내에서의 이들 지방산의 bypass를 검토하기 위하여 3 구로 나누어 티모시 조사료를 반추위액과 함께 in vitro상에서 39℃, 0, 3, 6, 9, 24, 36 시간 동안 혐기 배양 시험을 하였다. 첫번째 시험의 목적은 C18:2과 C18:3의 in vitro biohydrogenation에 대한 조사료의 성장 단계(stem elongation, early heading, late heading, early flowering)와 질소 시비(0 and 120kg N ha－1)의 영향을 시험하는 것이었다. 수소첨가가능분획(hydrogenable fraction), C18:2과 C18:3의 효과적인 소실과 bypass는 stem elongation 시 수확된 티모시에서 높았고, 성숙함에 따라 일정하게 감소하였다. 질소시비구는 C18:3의 수소첨가가능분획, C18:2과 C18:3의 효과적인 소실과 bypass가 증가하였다. 그러나 C18:2과 C18:3의 소실율은 성숙과 질소시비(P≻0.1)에 의해 영향을 받지 않았다. 2번째 시험에서는 in vitro C18:2과 C18:3 biohydrogenation에 대한 티모시 보존 방법의 영향을 보았다. 사일리지는 C18:2과 C18:3를 가장 효과적으로 소실시켰으며, 건초는 가장 효과가 낮았다. C18:2과 C18:3의 biohydrogenation 된 양은 건초에서 보다 헤일리지와 사일리지에서 더 높았다. 티모시 헤일리지와 비교하였을 때 C18:3의 bypass는 신선 목초, 시든풀, 건초에서 더 높았다. C18:2의 bypass는 건초와 헤일리지에 비해 신선목초와 사일리지가 더 높았다. 3번째 시험에서는 C18:2과 C18:3의 소거와 bypass에 대한 티모시 헤일리지와 사일리지에 대한 개미산 첨가와 Lactobacillus plantarum 접종의 효과를 검토하였다. 개미산의 첨가는 헤일리지와 사일리지에 있어서 C18:3의 biohydrogenation 비율을 증가시켰으나 사일리지에 있어서 C18:2의 수소첨가 가능분획을 감소시켰다. 이러한 3가지 배양구의 결과는 티모시에 있어 C18:2과 C18:3의 수소첨가 가능분획과 bypass가 성숙도에 따라 감소하였고 질소시비에 따라 증가하였음을 보여 준다. 헤일리지와 사일리지에서 건초에서 보다 C18:2과 C18:3의 더 많은 양이 biohydrogenation 되었으며 C18:3의 반추위 소실은 헤일리지에서 보다 신선목초, 시든풀, 건초에서 더 높았다.

• 멤브레인
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• 제25권1호
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• pp.42-47
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• 2015

PEBAX[poly(ether-block-amide)]에 NaY zeolite를 첨가하여 PEBAX-NaY zeolite 복합막을 제조하고 제조한 복합막에 대한 $C_3H_6$와 $C_3H_8$의 투과도와 선택도($C_3H_6/C_3H_8$)에 대하여 조사하였다. SEM관찰에 의하면 PEBAX-NaY zeolite 복합막 내에 NaY zeolite는 $0.5{\sim}2.5{\mu}m$의 덩어리 상태로 분산되어 있었다. TGA측정에 의하면 PEBAX에 NaY zeolite가 첨가되면 첨가된 NaY zeolite 양만큼의 질량 변화를 알 수 있었다. 기체투과 실험에 의하면 PEBAX-NaY zeolite 복합막 내의 NaY zeolite함량이 증가할수록 $C_3H_6$와 $C_3H_8$의 투과도는 감소하였고, $C_3H_6$의 투과도는 $C_3H_8$의 투과도보다는 크게 나타났으며, 기체선택도($C_3H_6/C_3H_8$)는 감소하는 경향을 나타내었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권2호
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• pp.212-216
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• 1999

SiC(3C) 광다이오드는 p-형 Si 위에 tetramethylsilane (TMS)를 열분해아여 화학기상증착법으로 성장된 SiC(3C) 에피층을 성장하여 제작되었다. SiC(3C)의 전기적 특성은 홀 측정(Hall measurement) 및 전류-전압(I-V) 특성으로 조사되었다. SiC(3C) 에피층의 전도형은 n-형이었다. 저항성 접촉은 마스크 (shadow-mask)를 통해서 Al을 열증착하여 형성하였다. SiC(3C)광다이오드의 광학적 이득(photovoltaic detection)를 해석하기 위하여 SiC(3C) 에피층의 Spectral response (SR)를 전기적 변수(electrical parameter) 및 광다이오드의 기하학적 구조(geometric structure)를 고려하여 계산하였다. 적절히 선정된 변수들로부터 계산된 SR의 최대값은 550 nm에서 약 0.75이었고, 파장영역 400~600 nm 사이에서 청색 및 근자외선 광검지기로서 매우 유용하다.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권4호
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• pp.413-419
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• 2002

$Al_2O_3$/TiC/SiC, $Al_2O_3$/SiC 및 $Al_2O_3$/TiC 복합체들을 고온가압소결로 제조하여 이들의 균열저항거동과 기계적 성질을 비교해 보았다. $Al_2O_3$에 $0.8{\mu}m$의 TiC가 30vol% 첨가된 $Al_2O_3$/TiC는 단일체 $Al_2O_3$와 비슷한 균열저항거동을 보이며 파괴인성은 전반적으로 10% 이내의 증가를 보이는데 그쳤지만 강도는 약 30% 증가하였다. $Al_2O_3$에 $3{\mu}m$ SiC가 30vol% 첨가된 $Al_2O_3$/SiC는 SiC 입자의 균열 접속으로 인해 증가하는 균열저항거동을 뚜렷이 보이면서 파괴인성이 긴 균열에서 약 75% 증가하였으나 강도는 다소 감소했다. $Al_2O_3$/TiC에 SiC 입자가 30 vol% 첨가된 $Al_2O_3$/TiC/SiC 복합체의 경우 단일체 $Al_2O_3$에 비해 긴 균열 거리에서 파괴인성이 50% 이상 증가된 6.6 MP${\cdot}\sqrt{m}$에 이르렀으며 강도 값도 약 20% 상승하였다. 그러나 큰 SiC 입자의 첨가로 인해 TiC 입자만 첨가된 $Al_2O_3$/TiC 복합체보다는 강도가 다소 낮았다. 또한 SiC 입자만 첨가된 $Al_2O_3$/SiC 복합체보다는 파괴인성이 다소 낮았는데, 이는 작은 TiC 입자들이 SiC 입계를 거칠게 만들어 균열접속을 일으키는 SiC 입자의 뽑힘 현상을 방해하였기 때문이다.

• 센서학회지
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• 제18권4호
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• pp.311-315
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• 2009

This paper describes the characteristics of a poly 3C-SiC micro heater which was fabricated on AlN(0.1 $\mu$m)/3C-SiC(1.0 $\mu$m) suspended membranes by surface micro-machining technology. The 3C-SiC and AlN thin films which have wide energy band gap and very low lattice mismatch were used sensors for high temperature and voltage environments. The 3C-SiC thin film was used as micro heaters and temperature sensor materials simultaneously. The implemented 3CSiC RTD(resistance of temperature detector) and the power consumption of micro heaters were measured and calculated. The TCR(thermal coefficient of the resistance) of 3C-SiC RTD is about -5200 ppm/$^{\circ}C$ within a temperature range from 25 $^{\circ}C$ to 50 $^{\circ}C$ and -1040 ppm/$^{\circ}C$ at 500 $^{\circ}C$. The micro heater generates the heat about 500 $^{\circ}C$ at 10.3 mW. Moreover, durability of 3C-SiC micro heaters in high voltages is better than Pt micro heaters. A thermal distribution measured and simulated by IR thermovision and COMSOL is uniform on the membrane surface.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권6호
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• pp.487-490
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• 2010

This paper describes the elecrtical and optical characteristics of $N_2$ doped porous 3C-SiC films. Polycrystalline 3C-SiC thin films are anodized by $HF+C_2H_5OH$ solution with UV-LED exposure. The growth of in-situ doped 3C-SiC thin films on p-type Si (100) wafers is carried out by using APCVD (atmospheric pressure chemical vapor deposition) with a single-precursor of HMDS (hexamethyildisilane: $Si_2(CH_3)_6)$. 0 ~ 40 sccm $N_2$ was used for doping. After the growth of doped 3C-SiC, porous 3C-SiC is formed by anodization with $7.1\;mA/cm^2$ current density for anodization time of 60 sec. The average pore diameter is about 30 nm, and etched area is increased with $N_2$ doping rate. These results are attributed to the decrease of crystallinity by $N_2$ doping. Mobility is dramatically decreased in porous 3C-SiC. The band gaps of polycrystalline 3C-SiC films and doped porous 3C-SiC are 2.5 eV and 2.7 eV, respectively.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권1호
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• pp.97-105
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• 1998

$Al_2O_3-C$계 내화물에 Al 금속분말을 첨가하여 $800^{\circ}C$에서 $1400^{\circ}C$의 온도영역에서 탄소의 산화억제 메카니즘을 조사하였다. 탄소의 산화는 Al 금속분말을 5wt% 첨가한 $Al_2O_3-C-Al $ 시편에서 억제되었으며, 시편의 표면과 내부계면에 탄소가 비교적 균일하게 분포되어 있었다. Al-C 시편의 조성에서 중간생성물인 $Al_4C_3$ 및 AlN이 $800-1200^{\circ}C$의 온도범위에서 존재하였으며, $1400^{\circ}C$ 이상의 고온에서 모두 $Al_2O_3$로 전이하였다. $1000^{\circ}C$에서 1시간 가열한 Al-C 시편에서 $Al_4C_3$의 생성과 관계있는 cavity structure가 관찰되었다. 열역학적 고찰을 기초로 하여 산환억제 효과와 관계있는 $Al_4C_3$와 AlN의 생성, $Al_2O_3$로의 전이, C(s)의 형성등이 논하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.45-45
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• 2009

This paper describes the formation of porous 3C-SiC by anodization. 3C-SiC thin films were deposited on p-type Si(100) substrates by APCVD using HMDS (Hexamethyildisilane: $Si_2(CH_3)_6$). UV-LED(380 nm) was used as a light source. The surface morphology was observed by SEM and the pore size was increased with increase of current density. Pore diameter of 70 ~ 90 nm was achieved at 7.1 $mA/cm^2$ current density and 90 sec anodization time. FT-IR was conducted for chemical bonding of thin film and porous 3C-SiC. The Si-H bonding was observed in porous 3C-SiC around wavenumber 2100 $cm^{-1}$. PL shows the band gap enegry of thin film (2.5 eV) and porous 3C-SiC (2.7 eV).

• 한국재료학회지
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• 제7권11호
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• pp.934-941
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• 1997

C $r_{3}$ $C_{2}$-20wt% NiCr 이 크래드된 분말을 이용하여 HVOF 용사층의 특성(미세조직, 결정상, 경도 그리고 erosion rate)에 미치는 연료/산소 비(=3.2,3.0,2.8,2.6)의 영향을 조사했다. 실험범위 내에서 F/O=3.0의 경우가 C $r_{3}$ $C_{2}$-20wt%(NiCr)크래드 분말의 최적용사조건 이었다. XRD분석결과 F/O비에 관계없이 카바이드분해는 일어 났다. C $r_{3}$ $C_{2}$에서C $r_{7}$ $C_{3}$로의 상변화는 F/O비가 감소함에 따라 증가했다. 열처리 온도가 높아짐에 따라 C $r_{7}$ $C_{3}$분율은 증가 하였으며, 100$0^{\circ}C$에서 50시간 열처리후 용사층의 주된상은 C $r_{7}$ $C_{3}$이였다. 용사상태에서 경도값은 F/O=3.0조건으로 용사된 코팅층이 $H_{v300}$-1040으로 가장 높았으며, 공기중에서 $600^{\circ}C$, 50시간 열처리한 후, 경도값은 1340으로 증가하였다. 그리고 80$0^{\circ}C$열처리 후 경도값은 약간 감소하였다. 그러나 100$0^{\circ}C$ 열처리 후에도 1060정도로 용사상태의 경우 보다는 높은 경도값을 유지하였다. 이와같이 경도값이 증가하는 이유는 열처리에 따라 용사층이 치밀하게 되고 또한 C $r_{2}$ $O_{3}$의 산화물이 C $r_{3}$ $C_{2}$/C $r_{7}$ $C_{3}$ 내에 생성되어 탄화물/산화물 복합체를 이루기 때문으로 생각된다. 용사상태에서 drosion rate는 F/O비에 따라 2.6-3.05x$10^{-4}$mg/g까지 변화하였다. 또한 $600^{\circ}C$열처리 후에는 2.15-2.3 x $10^{-4}$mg/g이였으며, 80$0^{\circ}C$에서 열처리한 후에는 2.3-2.4x$10^{-4}$mg/g으로 $600^{\circ}C$열처리후 보다 약간 높은 결과를 보였다.결과를 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.357-358
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• 2007

Raman spectra of poly (polycrystalline) 3C-SiC thin films, which were deposited on the oxidized Si substrate by APCVD, have been measured. They were used to study the mechanical characteristics of poly 3C-SiC grown in various temperatures. TO and LO modes of 2.0 m poly 3C-SiC grown at 1180 C occurred at 794.4 and $965.7\;cm^{-1}$. Their FWHMs (full width half maximum) were used to investigate the stress and the disorder of 3C-SiC. The broad FWHM can explain that the crystallinity of 3C-SiC grown at 1180 C becomes poly crystalline instead of the disordered crystal. The ratio of intensity $I_{(LO)}/I_{(TO)}$ 1.0 means that the crystal defect of 3C-SiC/$SiO_2$/Si is small. The biaxial stress of poly 3C-SiC was obtained as 428 MPa. In the interface of 3C-SiC/$SiO_2$, the phonon mode of C-O bonding appeared at $1122.6\;cm^{-1}$. The phonon modes related to D and G bands of C-C bonding were measured at 1355.8 and $1596.8\;cm^{-1}$ respectively.