• Applied Biological Chemistry
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• 제23권1호
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• pp.7-13
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• 1980

콩나물제조중(製造中) 질소화합물(窒素化合物)의 변화(變化)를 알기 위하여 제조조건(製造條件)을 달리하여 콩나물을 기르는 과정(過程)에서 전질소(全窒素), 불용성단백태질소(不溶性蛋白態窒素), 수용성단백태질소(水溶性蛋白態窒素) 및 수용성비단백태질소(水溶性非蛋白態窒素)의 함량(含量)을 분석(分析)하여 다음과 같은 결과(結果)를 얻었다. 1. 전질소(全窒素)의 변화(變化)는 콩나물이 자람에 따라 감소(減少)하였으며 제조온도(製造溫度)가 높을수록 더 크게 감소(減少)되어 손실량(損失量)이 더 높았다. 부위별(部位別)로는 자엽(子葉)에서는 현저하게 감소(減少)되나 배축부(胚軸部)에서는 반대(反對)로 증가(增加)되었다. 2. 불용성단백태질소(不溶性蛋白態窒素)의 변화(變化)는 제조온도(製造溫度)가 낮으면 자엽(子葉)에서 약간 증가(增加)되고 배축부(胚軸部)에서는 크게 증가(增加)되는데 온도(溫度)가 높으면 자엽부(子葉部)에서는 오히려 감소(減少)되나 배축부(胚軸部)에서는 더 크게 증가(增加)되였다. 3. 수용성단백태질소(水溶性蛋白態窒素)의 변화(變化)는 자엽부(子葉部)에서 현저하게 감소(減少)되나 배축부(胚軸部)에서는 크게 증가(增加)되였다. 4. 수용성비단백태질소(水溶性非蛋白態窒素)의 변화(變化)는 콩나물제조중(製造中) 자엽(子葉)과 배축(胚軸)다같이 증가(增加)되나 특히 배축(胚軸)에서 더 많이 증가(增加)되었고 또 온도(溫度)가 높을수록 더 크게 증가(增加)되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제26권1호
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• pp.8-13
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• 2016

용액성장법에 의한 SiC 단결정 성장은 Si 또는 Si-금속합금의 융액으로부터 SiC를 성장시키는 방법으로서, 통상의 상부종자 용액성장법(Top Seeded Solution Growth)에서는 Si 융액을 담는 흑연도가니로부터 C가 Si 융액에 용해되고 용해된 C이 상부에 위치한 종자결정으로 이동하여 종자결정상에 SiC 형태로 재결정화하는 단계를 거쳐 SiC의 단결정을 성장시키는 과정을 거치게 된다. SiC 용액성장에 있어서는 SiC의 단결정성장을 위하여 흑연도가니의 형상, 크기, 재질 및 상대적 위치 배열 등 온도제어와 유체흐름 제어를 위해 다양한 공정변수를 선정해야한다. 본 연구에서는 용액성장공정의 설계를 위해 상용의 유한요소해석 패키지인 COMSOL Multiphysics를 이용하여 전자기장해석, 열전달해석, 유체해석에 대한 다중물리해석모델을 구축하고 이 모델을 이용하여 결정성장공정을 설계하였다. 해석결과에 기초하여 2 inch off-axis 4H-SiC 단결정을 종자결정으로 적용하여 $1700^{\circ}C$에서 상부종자 용액성장법에 의하여 SiC 단결정을 성장시켰다. 광학현미경 및 고분해능 X선회절분석을 통해 결정성을 분석한 결과 해당 성장조건에서 양호한 품질의 단결정이 성장함을 확인하였다. 이로써 본 연구에서 구축된 다중물리해석모델이 SiC의 용액성장 공정설계에 유효함을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제23권6호
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• pp.272-278
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• 2013

본 논문에서는 CZ법으로 성장시킨 300 mm 사파이어 단결정의 c-축 변형 특성 및 내부 응력 상태를 수치해석하고, 사파이어 단결정에서 sub-grain 결함이 없는 성장 길이를 예측하였다. CZ 성장로의 hot zone 구조는 Ir 도가니 형상 및 상부 단열재 추가 설치 등으로 변경하였다. 본 연구의 시뮬레이션 결과, hot zone 구조 변경에 의한 c-축 변형 차이는 결정 내부에 sub-grain 결함 등이 내부에 생성되어 발생한다. Hot zone 구조 변경에 의해 sub-grain 결함이 없는 성장 길이를 기존 보다 최대 약 57 mm 정도 증가시킬 수 있을 것으로 예측되었다. 그리고 c-축 wafer에 대한 sub-grain 결함을 실험적으로 분석하고, 시뮬레이션 예측 결과와 잘 일치하고 있는 것을 확인하였다. 그 결과, CZ 공정을 이용해 약 250 mm까지 sub-grain 결함이 없는 사파이어 결정을 성공적으로 성장시킬 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권5호
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• pp.463-469
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• 1999

$K_3$$Li_2$$Nb_5$$O_{15}$KLN) 단결정을 $K_x$$Li_{1-x}$$NbO_3$의 조성에서 x= 0.04~0.6으로 결정성장방법으로 성장시켰다. 균열이 없는 양질의 결정성장을 위해 c축 및 a축 방향을 택하였고, 단결정 성장을 위한 최적의 조건에 대하여 연구하였다. 성장된 결정은 편광현미경 관찰을 통해 일축성 무늬를 볼수 있었고, X-선 회절실험에서 결정된 격자상수는 a=b=12.500 $\AA$, c=3.996$\AA$이었으며, 1HF : $2HNO_3$ 용액의 부식에서 c축 방향으로 정사각형 및 a축 방향으로 직사각형의 부식상을 볼수 있었다. 광투과율 측정과 온도에 따른 유전상수 측정등을 통해 KLN 결정의 광학적 특성 및 다른 조성을 갖는 시료에서 유전특성을 조사하였다. $420^{\circ}C$에서 상전이 온도를 갖는 결정은 확산상전이(diffuse phase transition) 특성을 갖는 반면 $493^{\circ}C$에서 상전이 온도를 보이는 결정은 날카로운(shap) 유전특성을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권2호
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• pp.153-158
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• 2010

The crystallization of FePt/MgO(001) magnetic thin films of various thicknesses has been studied using synchrotron x-ray scattering, atomic force microscope, and vibrating sample magnetometer. In film with a 499-$\AA$-thick, face-centered tetragonal, ordered FePt phase was dominantly crystallized into perpendicular (001) grains keeping the magnetically easy c-axis normal to the film plane during annealing. In film with a 816-$\AA$-thick, however, longitudinal (110) grains keeping the c-axis parallel to the film plane were grown on top of the perpendicular (001) grains. The behavior of the magnetic properties was consistent with the thickness dependence of the crystallization. We attribute the thickness dependence of the crystallization to the substrate effect, which prefers the growth of the c-axis oriented perpendicular grains near the film/substrate interfacial area.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1999년도 PROCEEDINGS OF 99 INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE KACG AND 6TH KOREA·JAPAN EMG SYMPOSIUM (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM), HANYANG UNIVERSITY, SEOUL, 06월 09일 JUNE 1999
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• pp.321-335
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• 1999

Erbium(Er) doped LiNbO3(Er:LiNbO3) single crystal gibers were grown free of cracks along the c-axis by micro-pulling down method. the Er3+ concentration was distributed homogeneously along the growth axis. The samples for optical characterization were cut from as-grown single crystal fibers and polished. When the 980 nm light was incident on the sample, upconversion phenomena were observed at the green range of wavelength 510~570 nm. In addition, the intensity of upconversion was remarkably increased by increasing the concentration of Er2O3 dopant in as-grown Er:LiNbO3 crystals.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권4호
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• pp.377-380
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• 1999

Erbium (Er) doped $LiNbO_{3}(Er:LiNbO_{3})$ single crystal fibers were grown free of creacks along the c-axis by micro-pulling down method. The $Er^{3+}$ concentration was distributed homogeneously along the growth axis. The samples for optical characterization were cut from as-grown single crystal fibers and polished. When the 980nm light was incident on the sample, upconversion phenomena were observed at the green range of wavelength 510~570nm. In addition, the intensity of upconversion was remarkably increased by increasing the concentration of $Er_{2}O_{3}$ dopant in as-grown $Er:LiNbO_{3}$ crystals.

• 멤브레인
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• 제28권5호
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• pp.340-350
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• 2018

본 연구에서는 바늘형 종결정 코팅 양을 조절함으로써 결정학적으로 b-축 그리고 c-축으로 배향된 모데나이트(MOR) 제올라이트 분리막을 제조하고 결정학적 배향이 투과증발 에탄올 탈수 거동에 미치는 영향을 고찰하였다. c-축으로 배향된 종결정의 코팅 양이 증가할수록 b-축에서 c-축으로 배향된 분리막이 얻어졌고 이는 진화론적 성장으로 설명되었다. b-축 방향으로 배향된 분리막의 경우 1000 이상의 높은 선택도와 $0.2kg/m^2h$의 총 투과도를 나타내었으며 c-축 배향된 분리막 보다 우수한 분리성능을 나타내었다. 이는 물의 운동역학적 직경이 b-축 방향으로 단일 존재하는 8R 기공채널의 직경에 비하여 작기 때문에 물의 이동이 방해되지 않는 반면 에탄올은 상대적으로 방해받기 때문으로 설명되었다. 따라서 본 연구로부터 바늘형 종결정 코팅 양을 조절함으로써 모데나이트 분리층의 결정학적 배향을 조절할 수 있었고, b-축으로 배향된 모데나이트 분리막이 보다 우수한 투과증발 에탄올 탈수 거동을 보임을 확인할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.174-175
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• 2005

Initial growth stage was investigated for SiC homoepitaxial film growth using 'step controlled epitaxy' technique. When the off angel direction is located parallel along to the gas flow direction, the smoother surface can be obtained. On the on axis substrates, selective etching was detected both the etching and growth condition. It was deduced that the high ratio of C/Si in the source gas results in well developed steps and etched spiral around micropipes.

• Progress in Superconductivity
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• 제9권1호
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• pp.5-10
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• 2007

We prepared four different $MgB_2$ films on $Al_2O_3$ by hybrid physical chemical vapor deposition method with thicknesses ranging from $0.65\;{\mu}m$ to $1.2\;{\mu}m$. X-ray diffraction patterns confirm that all the $MgB_2$ films are c-axis oriented perpendicular to $Al_2O_3$ substrates. The superconducting onset temperature of $MgB_2$ films were between 39.39K and 40.72K. The residual resistivity ratio of the $MgB_2$ films was in the range between 3.13 and 37.3. We measured the angle dependence of critical current density ($J_c$) and resistivity, and determined the upper critical field ($H_{c2}$) from the temperature dependence of the resistivity curves. The anisotropy ratios defined as the ratio of the $H_{c2}$ parallel to the ab-plane to that perpendicular to the ab-plane were in the range of 2.13 to 4.5 and were increased as the temperature was decreased. Some samples showed increase of $J_c$ and decrease of resistivity when a magnetic field in applied parallel to the c-axis. We interpret this angle dependence in terms of enhanced flux pinning due to columnar growth of $MgB_2$ along the c-axis.