• 대한전자공학회논문지
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• 제9권5호
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• pp.19-26
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• 1972

V.V.C다이오드를 사용한 수정주파수 변조방식에 대한 간단한 소개와 그의 변사직선성, 변조왜곡 및 중심주파수의 안정도등 제반특성이 휴대용 간이형 FM송신기 변체기로서 적합한지를 실험적결과로써 기각하였다. 또한 52.750MHz에서 직접주파수변조하는 단일채늘 송수신기 및 10.7MHz에서 순파수변조하고 채늘발진기에서 나오는 주파수와 합성하여 운용주파수로 하는 2채늘 송수신기(무조정으로40채늘)등 이종류의 송수신기를 시작품으로 제작히여 우수한 종합특성을 얻었으며 이로써 실용성을 입증하였다.

• 한국철도학회:학술대회논문집
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• 한국철도학회 2000년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.399-406
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• 2000

In this study, using the CRS consolidation tests on reconstituted marine clay, the characteristics of C$\sub$v/, k, e and $\varepsilon$, the anisotropic characteristics of specimen according to the rate of strain were estimated. Also, the validity of the Wissa et al.(1971) consolidation theory on CRS(Constant Rate of Strain) consolidation tests were reviewed. From that results, it was shown that the value of C$\sub$v/, k and u$\sub$b/ was increased as the rate of strain was increased. While the difference of the value( C$\sub$v/, k and u$\sub$b/) between vertically reconstituted specimen and horizontally reconstituted specimen became small as the rate of strain was increased. It is known that k is different due to the hydraulic gradient(i) during the CRS consolidation tests. The subject of this study is to distinguish steady state from transient state in CRS consolidation tests. Consequently, the difference of the value(C$\sub$v/ and k) is higher in case of vertically reconstituted specimen than horizontally reconstituted specimen.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.312-316
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• 1999

I-V characteristics of Praseodymium-based ZnO varistor doped with $Nd_2O_3$ in the range 0.0-2.0mol% sintered at 130$0^{\circ}C$ and 135$0^{\circ}C$ were investigated. In the all sides, ZnO varistors sintered at $1300^{\circ}C$ exhibited much better varistor characteristics than that at 135$0^{\circ}C$. All ZnO varistors doped with $Nd_2O_3$ sintered at $1300^{\circ}C$ exhibited good varistor characteristics but particularly ZnO varistor doped with l.Omol% $Nd_2O_3$ exhibited the best characteristics, which the nonlinear is 65.2 and the leakage current is 4.5pA. It is estimated that ZnO varistor doped with l.Omol% $Nd_2O_3$ will begin to be sufficiently used as basic composition to fabricate a good varistor.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권10호
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• pp.425-430
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• 2003

A CMOS Voltage-Controlled Oscillator(VCO) for application at temperature stable system is designed. The VCO consists of bandgap voltage reference circuit, comparator, and voltage-to-current converter and the VCO has a temperature stable characteristics. The difference between simulated and calculated values is less than about 5% in output characteristics when the input voltage range is from 1V to 3.25V. The CMOS VCO has error less than about $\pm$0.85% in the temperature range from $-25^{\circ}C$ to $75^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.63-64
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• 2006

Recently, researches for high-speed optical devices have been increased to provide mass data transmission and high-speed optical communication. Optical modulator in the transmission link is one of the crucial devices in total optical network system and it can affect a great effect to the whole transmission properties. In this paper, traveling wave electro-absorption modulator (TWEAM) is examined to ensure high efficiency in the RF range and wide bandwidth. In addition, the temperature-dependence electrical characteristics of TWEAM is investigated. Temperature dependent property variations were characterized using I-V and C-V measurement.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권11호
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• pp.765-770
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• 2001

고온 급속 열처리시킨 LiNbO₃/AIN/Si(100) 구조를 이용하여 MFIS 소자를 제작하고, 비휘발성 메모리 동작 가능성을 확인하였다. 고유전율 AIN 박막 위에 Pt 전극을 증착시켜 제작한 MIS 구조에서 측정한 1MHz C-V 특성곡선에서는 히스테리시스가 전혀 없고 양호한 계면특성을 보였으며, 축적 영역으로부터 산출한 비유전율 값은 약 8 이었다. Pt/LiNbO₃/AIN/Si(100) 구조에서 측정한 1MHz C-V 특성의 축적영역에서 산출한 LiNbO₃ 박막의 비유전율 값은 약 23 이었으며, ±5 V의 바이어스 범위 내에서의 메모리 윈도우는 약 1.2 V이었다. 이 MFIS 구조에서의 게이트 누설전류밀도는 ±500 kV/cm의 전계 범위 내에서 10/sup -9/ A/㎠ 범위를 유지하였다. 500 kHz의 바이폴러 펄스를 인가하면서 측정한 피로특성은 10/sup 11/ cycle 까지 초기값을 거의 유지하는 우수한 특성을 보였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제27권10호
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• pp.618-622
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• 2014

The temperature dependent characteristics on the properties of SiC Schottky Diode has been investigated. In this study, the temperature dependent current-voltage characteristics of the SiC Schottky diode were measured in the range of 300 ~ 500 K. Divided into pre- and post- irradiated device was measured. The barrier height after irradiation device at 500 K increased 0.15 eV compared to 300 K, the barrier height of pre- neutron irradiated Schottky diode increased 0.07 eV. The effective barrier height after irradiation increased from 0.89 eV to 1.05 eV. And ideality factor of neutron irradiated Schottky diode at 500 K decreased 0.428 compared to 300 K, the ideality factor of pre- neutron irradiated Schottky diode decreased 0.354. Also, a slight positive shift in threshold voltage from 0.53 to 0.68 V. we analyzed the effective barrier height and ideality factor of SiC Schottky diode as function of temperature.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.349-352
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• 1999

We have investigated the electrical characteristics of arachidic acid($C_{20}$), stearic acid(C_{18} and palmitic acid($C_{16}$) Langmuir-Blodgett(LB) films because the fatty acid systems have a same hydrophilic group and a different hydrophobic one (alkyl chain length). In this work, fatty acid systems were used as LB films and the status of the deposited films were confirmed by evaluating the capacitance and I-V characteristics. The conductivity of $C_{20}$, C_{18} and $C_{16}$ LB films obtained from I-V characteristics were about 5x $10^{15}$, 3x $10^{14}$ and 9x $10^{14}$[S/cm], espectively. These results have shown the insulating materials and could control the conductivity by changing the length of alkyl chain. Also, we have confirmed that the barrier height of fatty acid systems were about 1.32- 1.40[eV] and the relative dielectric constant were about 2.9~4.2. These values were almost the same ones obtained from dielectric characteristics.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제35권1호
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• pp.17-26
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• 2007

본 연구에서는 수증기댐처리 또는 횡단면 코팅처리 등이 오동나무 장고용 초갈이재의 송풍오븐건조 특성에 미치는 영향을 구명코저하였다. 건조개시 직후의 중량감소량은 무처리(C-NC treatment), 엔드코팅처리(C-CO treatment), 수증기댐처리(V-NC treatment), 수증기댐-엔드코팅처리(V-CO treatment)재의 순으로 크게 나타났다. V-CO처리재는 V-NC처리재와 비교하여 전(全)건조기간에 걸쳐 더 완만한 온도경사를 보였으며 내층과 외층간에 온도경사가 거의 존재하지 않았다. C-CO처리재의 경우 C-NC처리재와 비교하여 건조중기까지는 외층과 내층의 수증기압 모두가, 그리고 건조중기 이후에는 내층의 수증기압이 더 높게 나타났다. V-CO처리재의 경우 건조초기에는 V-NC처리재와 유사한 분포를 보였으나, 건조초기 이후 통공, 외층, 내층의 순으로 절대수증기압이 큰 분포를 보이면서 V-NC처리재와는 전혀 다른 분포모형이 관찰되었다. 재면할렬과 윤할은 모든 처리재에서 전혀 발생하지 않았으나 엔드코팅을 실시하지 않은 C-NC와 V-NC에서는 횡단면할렬이 심하게 발생하였다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제10권1호
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• pp.59-69
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• 1999

반응성 스퍼터링법으로 AIN 박막을 증착하여 Al/AlN/Si구조의 MIS소자용 절연박막으로서의 응용가능성에 대해 연구하였다. 기판온도 $300^{\circ}C$, RF power 150W, 스퍼터링 압력 5mTorr, 아르곤과 질소 가스유량비 1:1 의 조건에서 5%의 수소가스를 부가적으로 첨가해 주는 시기에 따른 AIN박막의 표면형상변화, I-V특성, C-V특성, 조성을 조사하였다. 수소첨가에 따라 증착속도는 상당히 감소하였으나 표면형상 및 거칠기는 크게 변하지 않았다. I-V특성에서는 AIN 박막 증착시 초기 20분간 수소첨가를 시킨 경우가 후기 20분간 수소첨가를 시킨 경우보다 보다 우수한 절연특성을 보였다. 또한 C-V특성에서도 수소가 첨가됨에 따라 플랫밴드전압이 매우 낮아졌으며, 초기 20분간 수소첨가를 시킨 경우는 히스테리시스를 거의 보이지 않았으나, 후기 20분간 수소첨가를 시킨 경우는 상당한 히스테리시스를 보였다. AES를 이용한 조성분석을 통해 수소가스가 첨가됨에 따라 AIN박막내의 산소농도가 낮아진다는 사설을 발견하였고, 이에 따라 박막의 절연특성 및 C-V특성이 향상될 수 있는 가능성을 보였다.