• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제1권3호
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• pp.141-157
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• 2001

Highly reliable packaged 64kbit ferroelectric memories with $0.8{\;}\mu\textrm{m}$ CMOS ensuring ten-year retention and imprint at 125^{\circ}C$ have been successfully developed. These superior reliabilities have resulted from steady integration schemes free from the degradation, due to layer stress and attacks of process impurities. The resent results of research and development for ferroelectric memories at Hynix Semiconductor Inc. are summarized in this invited paper.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
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• 한국추진공학회 2001년도 제16회 학술발표회 논문초록집
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• pp.43-46
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• 2001

Dump type Ram-combustor의 성능 개선을 위한 화염 안정화 장치인 V-gutter를 장착하고 그 영향을 파악하기 위한 본 실험에서 V-gutter가 없고, Ram-combustor의 길이가 짧을 경우($L_c$=300mm)에는 출구중앙의 온도가 감소하는 경향이 나타났고 Ram-combustor의 길이가 증가하면($L_c$=500mm) 중앙에서 온도가 감소되는 현상은 나타나지 않지만 화염은 아직도 Ram-combustor의 아래 부분에 치우쳐있다. V-gutter가 장착된 경우 Ram-combustor 출구의 온도 분포는 훨씬 균일하게 분포되었다. 그리고 Ram-combustor의 길이가 짧을 때($L_c$=300mm) 연소효율의 경우 V-gutter을 장착한 경우 연소효율은 약간 증가하지만 큰 영향은 없음을 알 수 있다.

• 한국항공운항학회지
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• 제23권4호
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• pp.117-124
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• 2015

RAM (Reliability, Availability and Maintenance) has been applied to design and analysis tools which affects system's operational sustainability and its life cycle cost as RAM-c(2009 DoD). RAM-c plays also an important role to guarantee the system engineering for mission assurance. Reliability is highly related to the probability of system failure. Availability means mission capability or the condition of ready to mission. Maintenance includes both the repair to recover the system in the event of failure/unexpected breakdown and proactive maintenance to prolong the design service life of the system or machinery. It is the purpose that this paper is to analyze and conclude the objective service life of UAV. The more UAV is operated, the less the level of its reliability becomes. Repairing failures and supplying spare parts on time, system reliability could be improved up until the time over target. Applying statistical Weibull distributions, this paper suggests the analysis of the design service life and economic life of UAV based on RAM-c with operational data.

• 한국산업융합학회 논문집
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• 제26권5호
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• pp.855-866
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• 2023

With the rapid advancement and sophistication of defense weapon systems, the government, military, and the defense industry have conducted various innovative attempts to improve the efficiency of post-logistics support(PLS). The Ministry of Defense has mandated RAM-C(Reliability, Availability, and Maintainability-Cost) analysis as a requirement according to revised Total Life Cycle System Management Code of Practice in May 2022. Especially, for the project budget forecast of new PBL(Performance Based Logistics) business contacts, RAM-C is recognized as an obligatory factor. However, relevant entities have not officially provided guidelines or manuals for RAM-C analysis, and each defense contractor conducts RAM-C analysis with different standards and methods to win PBL-related business contract. Hence, this study aims to contribute to the generalization of the analysis procedure by presenting a cost analysis case based on RAM-C for the supply of military depot maintenance PBL project. This study presents formulas and procedures to determine requirements of military depot maintenance PBL project for repair parts supply. Moreover, a sensitivity analysis was conducted to find the optimal cost/utilization ratio. During the process, a correlation was found between supply delay and total cost of ownership as well as between cost variability and utilization rate. The analysis results are expected to provide an important basis for the conceptualization of the cost analysis for the supply of military depot maintenance PBL project and are capable of proposing the optimal utilization rate in relation to cost.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제25권5호
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• pp.530-538
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• 2022

Recently, the R&D of weapon systems has been strengthened in terms of economic cost management throughout the entire life cycle from performance. This study proposes the method for setting the optimal maintenance concept based on RAM-C in weapon system acquisition stage by calculating the operation & maintenance cost as well as reliability, availability, and maintainability. First, we design a simulation model for analysis of weapon system logistic supportability. In addition, information such as weapon system Part Breakdown Structure, operation & maintenance system, cost, and etc for simulation analysis, is applied. Based on the obtained simulation results, the optimal plan is selected among alternatives designed with various maintenance concepts through normalization and weight setting. It is expected to be of technical help in the application of RAM-C in the weapon system acquisition stage.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.255-255
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• 2016

Resistive random access memory (ReRAM)는 낮은 동작 전압, 빠른 동작 속도, 고집적화 등의 장점으로 인해 차세대 비휘발성 메모리 소자로써 많은 관심을 받고 있다. 최근에 ReRAM 절연막으로 NiOx, TiOx, AlOx TaOx, HfOx와 같은 binary metal oxide 물질들을 적용하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, HfOx는 안정적인 동작 특성을 나타낸다는 점에서 ReRAM 절연막 물질로 적합하다고 보고되고 있다. ReRAM 절연막을 형성할 때, 물리 기상 증착 방법 (PVD)이나 화학 기상 증착법 (CVD)과 같은 방법이 많이 이용된다. 이러한 증착 방법들은 고품질의 박막을 형성시킬 수 있는 장점이 있다. 하지만, 높은 온도에서의 공정과 고가의 진공 장비가 이용되기 때문에 경제적인 문제가 있으며, 기판 또는 금속에 플라즈마 손상으로 인한 문제가 발생할 수 있다. 따라서 이러한 문제점들을 개선하기 위해 용액 공정이 많은 관심을 받고 있다. 용액 공정은 공정과정이 간단할 뿐만 아니라 소자의 대면적화가 가능하고 공정온도가 낮으며 고가의 진공장비가 필요하지 않은 장점을 가진다. 따라서 본 연구에서는, 용액공정을 이용하여 HfOx 기반의 ReRAM 제작하였고 $25^{\circ}C$와 $85^{\circ}C$에서 ReRAM의 동작특성에 미치는 compliance current의 영향을 평가하였다. 실험 방법으로는, hafnium chloride (0.1 M)를 2-methoxyethanol에 충분히 용해시켜서 precursor를 제작하였다. 이후, p-type Si 기판 위에 습식산화를 통하여 300 nm 두께의 SiO2 절연층을 성장시킨 후, 하부전극을 형성하기 위해 electron beam evaporation을 이용하여 10/100 nm 두께의 Ti/Pt 전극을 증착하였다. 순차적으로, 제작된 산화물 precursor를 이용하여 Pt 위에 spin coating 방법으로 1000 rpm 10 초, 6000 rpm 30초의 조건으로 두께 35 nm의 HfOx 막을 증착하였다. 최종적으로, solvent 및 불순물을 제거하기 위해 $180^{\circ}C$의 온도에서 10 분 동안 열처리를 진행하였으며, 상부 전극을 형성하기 위해 electron beam evaporation을 이용하여 Ti와 Al을 각각 50 nm, 100 nm의 두께로 증착하였다. ReRAM 동작에서 compliance current가 미치는 영향을 평가하기 위하여 compliance current를 10mA에서 1mA까지 변화시키면서 측정한 결과, $25^{\circ}C$에서는 compliance current의 크기와 상관없이 일정한 메모리 윈도우와 우수한 endurance 특성을 얻는 것을 확인하였다. 한편, $85^{\circ}C$의 고온에서 측정한 경우에는 1mA의 compliance current를 적용하였을 때, $25^{\circ}C$에서 측정된 메모리 윈도우 크기를 비슷하게 유지하면서 더 우수한 endurance 특성을 얻는 것을 확인하였다. 결과적으로, 용액공정 방법으로 제작된 ReRAM을 측정하는데 있어서 compliance current를 줄이면 보다 우수한 endurance 특성을 얻을 수 있으며, ReRAM 소자의 전력소비감소에 효과적이라고 기대된다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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• pp.722-725
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• 2013

본 연구에서는 열처리를 하지 않은 소자와 열처리 소자의 기본 특성을 비교, 분석하고 온도에 따른 특성 변화를 확인하였다. 사용된 소자는 상부전극이 Pt/Ti(150nm), 하부전극은 Pt(150nm), 산화층은 $HfO_2$(70nm)이고, 열처리 온도는 $500^{\circ}C$, $850^{\circ}C$ 이다. 측정 소자 성능은 Set/Reset 전압, sensing window(저항상태 차이)다. 측정결과 세 종류의 소자의 기본 특성은 열처리별 온도가 높을수록 Set/Reset전압과 sensing window가 증가하였다. 온도에 따른 기본특성 분석 실험 결과 온도가 증가함에 따라 Set/Reset전압과 sensing window가 감소하였다. Set/Reset 전압의 온도에 따른 변화율은 $850^{\circ}C$ 열처리한 소자가 제일 작았고, sensing window의 변화율은 $500^{\circ}C$ 열처리 소자에서 가장 작은 변화율을 보였다. Set/Reset 전압의 변화율 과 sensing window를 고려했을 때 $500^{\circ}C$ 열처리 소자가 좋은 메모리 특성을 보였다.

• Asian-Australasian Journal of Animal Sciences
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• 제20권1호
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• pp.112-118
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• 2007

The present study was conducted to investigate the attributes of ram sexual behaviour under different social conditions. Six intact rams and eight overiectomized ewes were used in this experiment. Ewes were artificially brought into oestrus. All mating traits were recorded every 10 sec during a 1 h mating session under five social conditions viz., ram exposed to single oestrus ewe, ram exposed to single oestrus ewe and audience ram, ram exposed to multiple oestrus ewes, ram exposed to single oestrus ewe with competitor ram and ram exposed to multiple oestrus ewes with competitor ram. Mean intensity of the mating activities during the 1 h mating session under five social conditions was compared. Either vocalization or leg kicking was found to be the predominant teasing activity under all five conditions. Sniffing differed significantly (p<0.05) between different social conditions. Vocalization, leg kicking, and leg kicking with vocalization did not differ significantly (p<0.05) between different social conditions. Mounts/h in the multiple oestrus ewe condition was higher and differed significantly (p<0.05) from other social conditions. Ejaculations/h for the experimental ram was higher when exposed to multiple oestrus ewes in comparison to other social conditions. Mounts/ejaculation was low in the audience ram condition in comparison to the other four social conditions.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.137-137
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• 2006

본 연구에서는 FeRAM 적용을 위한 BLT 캐패시터 제조시 CMP 공정압력 변화에 따른 Leakage Current의 특성에 대해서 연구하였다. 6-inch Pt/Ti/Si 웨이퍼를 사용하였으며, 기판 위에 졸-겔(Sol-Gel)법으로 모든 BLT를 스핀코팅을 이용하여 증착시켰다. 증착된 BLT는 $200^{\circ}C$에서 기본 열처리 후 다시 $700^{\circ}C$에서 후속 열처리 하였다. 이러한 과정을 두번 반복하였며, FeRAM 적용을 위한 BLT 캐패시터 제조시 CMP 공정 중 압력 변화를 달리하여 BLT 캐패시터를 제조한 후 Leakage Current를 측정하였다. 결과적으로 CMP 공정 시 압력의 증가에 따라 Leakage Current값이 증가하였다. CMP 공정시 압력과 박막 표면의 스크레치로 증가로 인해 Leakage Current의 증가하였다고 판단된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.181.1-181.1
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• 2015

용액 공정을 이용한 Resistive random access memory (ReRAM)은 간단한 공정 과정, 대면적화, 저렴한 가격 등의 장점으로 인해 큰 관심을 받고 있으며, HfOx, TiOx, AlOx 등의 산화물이 ReRAM 절연 막으로 주로 연구되고 있다. 더 나아가 최근에는 organic 물질을 메모리 소자로 사용한 연구가 보고되고 있다. 이는 경제적이며, wearable 또는 flexible system에 적용이 용이하다. 그럼에도 불구하고, organic 물질을 갖는 메모리 소자는 기존의 산화물 소자에 비해 열에 취약하며 전기적인 특성과 신뢰성이 우수하지 못하다는 단점을 가지고 있다. 이를 위한 방안으로 본 연구에서는 AlOx - polymethylmethacrylate (PMMA) blended thin film ReRAM을 제안하였다. 이는 organic물질의 전기적 특성을 개선시킬 뿐 아니라, inorganic 물질을 wearable 소자에 적용했을 때 발생하는 crack과 같은 기계적 물리적 결함을 해결할 수 있는 새로운 방법이다. 먼저, P-type Si 위에 습식산화를 통하여 SiO2 300 nm 성장시킨 기판을 사용하여 electron beam evaporation으로 10 nm의 Ti, 100 nm의 Pt 층을 차례로 증착하였다. 그리고 PMMA 용액과 AlOx 용액을 초음파를 이용하여 혼합한 뒤, 이 용액을 Pt 하부 전극 상에서 spin coating방법으로 1000 rpm 10초, 5000 rpm 30초의 조건으로 증착하였다. Solvent 및 불순물 제거를 위하여 150, 180, $210^{\circ}C$의 온도로 30 분 동안 열처리를 진행하였고, shadow mask를 이용하여 상부 전극인 Ti를 sputtering 방식으로 100 nm 증착하였다. 150, 180, $210^{\circ}C$로 각각 열처리한 AlOx - PMMA blended ReRAM의 전기적 특성은 HP 4156B semiconductor parameter analyzer를 이용하여 측정하였다. 측정 결과 제작된 소자 전부에서 2 V이하의 낮은 동작전압, 안정된 DC endurance (>150cycles), 102 이상의 높은 on/off ratio를 확인하였고, 그 중 $180^{\circ}C$에서 열처리한 ReRAM은 더 높은 on/off ratio를 갖는 것을 확인하였다. 결론적으로 baking 온도를 최적화하였으며 AlOx - PMMA blended film ReRAM의 우수한 메모리 특성을 확인하였다. AlOx-PMMA blended film ReRAM은 organic과 inorganic의 장점을 갖는 wearable 및 system용 비휘발성 메모리소자에 적용이 가능한 경제적인 기술로 판단된다.