• 한국콘크리트학회:학술대회논문집
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• 한국콘크리트학회 2010년도 춘계 학술대회 제22권1호
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• pp.473-474
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• 2010

C-S-H(I)은 활성슬래그시멘트의 강도생성의 핵심물질이며 시멘트 수화물의 강도원천물질인 C-S-H의 구조모델로 사용되어 왔기 때문에, 나노 수준의 콘크리트 연구 분야에서는 세계적으로 아주 중요한 물질로 다루어지고 있다. 이러한 C-S-H(I)에서 발생되는 Si에 대한 Al 치환은 C-S-H(I)의 분자구조변경을 인위적으로 할 수 있다는 점에서 주목되어 왔고, C-S-H(I)의 기계적 물성치 (예, bulk modulus)에도 큰 영향을 미칠 것이라고 예상되어 왔었다. 그러나 본 연구를 통해 이러한 Al 치환이 실제로는 C-S-H(I)의 bulk modulus에는 거의 영향을 미치지 못함이 밝혀졌다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제7권6호
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• pp.466-468
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• 1986

Reaction of $Ir(ClO_4)(CO)(PPh_3)_2$ with trans-$C_6H_5CH$ = $CHCO_2C_2H_5$ produces a new cationic iridium(I) complex, [Ir (trans-$C_6H_5CH$ = $CHCO_2C_2H_5)(CO)(PPh_3)_2]ClO_4$ where trans-$C_6H_5CH$ = $CHCO_2C_2H_5$ seems to be coordinated through the carbonyl oxygen rather than through the $\pi$-system of the olefinic group according to the spectral data. It has been found that Ir$(ClO_4)(CO)(PPh_3)_2$ catalyzes the hydrogenation of $CH_2$ = $CHCO_2C_2H_5$, trans-$CH_3CH$ = $CHCO_2C_2H_5$ and trans-$C_6H_5CH$ = $CHCO_2C_2H_5$ to $CH_3CH_2CO_2C_2H_5$, $CH_3CH_2CH_2CO_2C_2H_5$ and $C_6H_5CH_2CH_2CO_2C_2H_5$, respectively at room temperature under the atmospheric pressure of hydrogen. The relative rates of the hydrogenation of the unsaturated esters are mostly understood in terms of steric reasons.

• Kyungpook Mathematical Journal
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• 제48권4호
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• pp.529-543
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• 2008

It is shown that every almost linear mapping h : $A{\rightarrow}B$ of a unital PoissonC*-algebra A to a unital Poisson C*-algebra B is a Poisson C*-algebra homomorph when $h(2^nuy)\;=\;h(2^nu)h(y)$ or $h(3^nuy)\;=\;h(3^nu)h(y)$ for all $y\;\in\;A$, all unitary elements $u\;\in\;A$ and n = 0, 1, 2,$\codts$, and that every almost linear almost multiplicative mapping h : $A{\rightarrow}B$ is a Poisson C*-algebra homomorphism when h(2x) = 2h(x) or h(3x) = 3h(x for all $x\;\in\;A$. Here the numbers 2, 3 depend on the functional equations given in the almost linear mappings or in the almost linear almost multiplicative mappings. We prove the Cauchy-Rassias stability of Poisson C*-algebra homomorphisms in unital Poisson C*-algebras, and of homomorphisms in Poisson Banach modules over a unital Poisson C*-algebra.

• 한국결정학회지
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• 제8권1호
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• pp.59-63
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• 1997

화합물내에 존재하는 다음 7가지 수소원자의 이상적인 위치들의 한가지 계산법을 보였다. (1) 3급 C-H, (2) 2급 C-H, (3) 1급 C-H, (4) 방향환 C-H와 N-H, (5) 수산기 O-H, (6) 말단평면내의 2개의 수소 (7) 선형인 X-C-H를 갖는 아세틸렌 C-H.

• 한국재료학회지
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• 제8권6호
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• pp.477-483
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• 1998

$SiC_{4}$$C_{3}$$H_{ 8}$$H_{2}$와 $C_{3}$$H_{8}$ $H_{2}$, $CH_{3}$$SiCI_{3}$$CH_{4}$$H_{2}$계를 사용하여 흑연기판 위에 SiC와 SiC/C FGM을 CVD법에 의해 코팅하였다. $SiCI_{4}$$C_{3}$$H_{8}$ $H_{2}$ 계에서 SiC 증착 시 바람직한 수소의 비는 10-30사이였고 결정 배향성은 입력가스의 탄소비에 따라 여러번의 대 반전이 일어났다. 성장조건을 {111} 배향성을 갖도록 조절하는 것이 FGM층간 접착상태를 증진시킬 수 있는 방법으로 판단되었다. $CH_{3}$$SiCI_{3}$C$_{3}$$H_{8}$ $H_{2}$ 계에서는 SiC와 C의 비율을 조절하기가 $SiCI_{4}$$C_{3}$$H_{8} $H_{2}$계를 사용했을 때 보다 용이하였고, FGM 단면 관찰에서 층간의 뚜렷한 경계를 발견할 수 없을 정도로 우수한 층간 접착상태를 보였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권6호
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• pp.290-296
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• 2003

본 연구에서는 열화학기상증착법을 사용하여 6H-SiC 기판 위에 silane($SiH_4$)과 prophane($C_3H_8$)을 사용하여 3C-SiC 이종박막을 성장시키고 이의 성장 특성을 조사하였다. C/Si 유량 비율이 4.0, 운반기체의 유량은 5 slm이고 성장온도가 $1200^{\circ}C$인 경우의 박막성장율은 약 1.8 $\mu$m/h이었다. 성장박막의 Nomarski 표면형상, X-선 회절분광, Raman 산란 특성 및 광발광(PL) 특성 등을 측정하고 성장조건에 따른 결정성을 비교하였다. 이러한 평가를 통하여 성장온도 $1150^{\circ}C$ 이상에서 양질의 결정성 3C-SiC 이종박막이 성장점을 확인하였다.

• 대한화학회지
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• 제24권2호
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• pp.108-114
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• 1980

정전기적모델과 결합의 단순한 부가성을 이용하여 아주 극성인 화합물의 표준생성열$({\Delta}H_f\;^{\circ})$를 계산하는 간단한 방법을 제안하였다. 이 ${\Delta}H_f\;^{\circ}$에 대한 할로메탄의 bond 기여도는 각각 ${\Delta}H_f\;^{\circ}(C-F)=-36.44\;kcal/mole,\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-Cl)=-2.57\;kcal/mole,\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-Br)=5.32\;kcal/mole,\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-I)=19.18\;kcal/mole,\;and\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-H)=-3.61\;kcal/mole$로 얻어졌고 이 갑들과 정전기적 에너지들로부터 계산한 ${\Delta}H_f\;^{\circ}$는 실험치와 잘 일치함을 보였다.

• 콘크리트학회논문집
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• 제29권1호
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• pp.65-75
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• 2017

C-S-H 상은 시멘트 페이스트의 50~60%를 차지하는 중요한 수화생성물로서, 시멘트 페이스트의 공학적 특성을 결정짓는 가장 중요한 역할을 한다. 이것은 C-S-H 상이 본질적으로 안정되거나 강한 재료라서가 아니라 시멘트입자와 같이 결합하여 연속적인 레이어 층을 형성하기 때문이다. 결합상으로서 C-S-H 상은 나노 단위의 구조로부터 기인하는데, 내구성 측면에서는 염소이온의 흡착을 유발하는 것으로 알려져 있지만 그 메커니즘은 여전히 불분명하다. 그래서 본 연구에서는 C-S-H상이 염소이온 흡착에 미치는 거동을 살펴보고자 하였다. 본 연구의 목적은 다양한 Ca/Si 비율을 갖는 C-S-H 상이 염소이온을 흡착하는 시간의 존적 거동을 고찰하여 염소이온 고정화의 메커니즘을 구명하는 것이다. C-S-H 상은 순간적 물리흡착, 물리 화학적 흡착, 그리고 화학적 흡착의 3단계로 구분되어 순차적인 흡착거동을 보였는데, 순간적으로 흡착되는 표면착물량은 C-S-H 표면 대전체와 염소 이온간의 전기 상호작용에 의한 물리적 흡착에 의하여 발생한다. 높은 Ca/Si 비율에서 C-S-H 표면전하는 커지기 때문에 물리적 흡착은 커지지만 화학적 흡착은 오히려 작아지는 것으로 나타났다. 이는 C-S-H 표면에 물리적 흡착된 염소이온에 의하여 염소이온이 침투하지 못하고 화학적 흡착력까지 저하되기 때문으로 생각된다. 따라서 최대 염소이온 흡착력은 Ca/Si 비율 1.5에서 형성되었다.

• 대한화학회지
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• 제11권3호
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• pp.100-104
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• 1967

사염화탄소 용액에 대하여 分光光度法으로 연구한 결과 아닐린, N,N-디메틸아닐린 및 N,N-디에틸아닐린과 요오드 또는 일염화요오드 사이에 1:1 錯物이 형성됨을 알았다. 이들 錯物형성에 대한 실온에서의 평형상수는 다음과 같다. $C_6H_5NH_2{\cdot}I_2\;2.05$, $C_6H_5N(CH_3)_2{\cdot}I_2\;15.2$, $C_6H_5N(C_2H_5)_2{\cdot}I_2\;35.5$, $C_6H_5NH_2{\cdot}ICl\;18.5$, $C_6H_5N(CH_3)_2{\cdot}ICl\;25.6$, 및 $C_6H_5N(C_2H_5)_2\;42.0$ l $mole^{-1}$.

• 대한화학회지
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• 제11권3호
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• pp.89-93
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• 1967

플루오르벤젠과 일염화요오드, 일브롬화요오드, 브롬 또는 염소의 각 系를 사염화탄소 용액에서 分光光度法에 의하여 연구한 결과, $C_6H_5F{\cdot}ICl$, $C_6H_5F{\cdot}IBr$, $C_6H_5F{\cdot}Br_2$, 또는 $C_6H_5F{\cdot}Cl_2$의 錯物이 형성됨을 알았다. 이들 錯物형성에 대한 실온에서의 평형상수는 각각 0.161, 0.072, 0.045 및 0.035 l $mole^{-1}$이다. 이 결과와 문헌에 보고된 연구결과를 종합적으로써 이러한 착물의 상대적 안정도가 다음 순으로 감소함을 알 수 있었다. ICl>IBr>$I_2$>$Br_2$>$Cl_2$ $C_6H_6$>$C_6H_5Br$>$C_6H_5Cl$>$C_6H_5F$