• 제목/요약/키워드: C-FLIP

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플립칩 본딩된 Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 electromigration 거동 (Electromigration Behavior of the Flip-Chip Bonded Sn-3.5Ag-0.5Cu Solder Bumps)

  • 최재훈;전성우;원혜진;정부양;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제11권4호
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    • pp.43-48
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    • 2004

  • 상부 칩과 하부 기판이 모두 Si으로 구성되어 있는 플립칩 패키지 시편을 제조하여 $130{\~}160^{\circ}C$의 온도 범위에서 $3{\~}4{\times}10^4 A/cm^2$의 전류밀도를 가하여 주면서 플립칩 본딩된 Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 electromigration 거동을 분석하였다. Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 cathode로부터 anode로의 electromigration에 의해 Cu UBM이 완전히 소모되어 cathode부위에서 void가 형성됨으로써 파괴가 발생하였다. Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 electromigration에 대한 활성화 에너지는 $3{\times}10^4 A/cm^2$의 전류밀도에서는 0.61 eV, $3.5{\times}10^4 A/cm^2$의 전류밀도에서는 0.63 eV, $4{\times}10^4 A/cm^2$의 전류밀도에서는 0.77 eV로 측정되었다.

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Electrodeposition 변수에 따른 Sn 도금의 표면 거칠기와 플립칩 접속된 Sn 범프의 접속저항 (Surface Roughness of the Electroplated Sn with Variations of Electrodeposition Parameters and Contact Resistance of the Flip-chip-bonded Sn Bumps)

  • 정부양;박선희;김영호;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제13권4호
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    • pp.37-43
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    • 2006

  • 플립칩 공정에 Sn 범프를 적용하기 위해 도금전류밀도와 전류모드에 따른 Sn 도금막의 표면 거칠기와 경도를 측정하였다. 전류밀도 $5{\sim}50\;ma/cm^{2}$에서 전기도금한 Sn 도금막은 $2.0{\sim}2.4{\mu}m$의 표면 거칠기를 나타내었으며, 직류모드보다 펄스모드로 형성한 Sn 도금막에서 표면 거칠기가 감소하였다 할로겐 램프를 사용하여 $300^{\circ}C$에서 3초간 유지하는 표면 열처리에 의해 Sn 도금의 표면 거칠기가 $1\;{\mu}m$ 정도로 현저히 저하되었다. 전류밀도 $5{\sim}50mA/cm^{2}$에서 전기도금한 Sn 도금막은 10 Hv의 경도를 나타내었다. Sn 범프들을 이용하여 플립칩 본딩한 시편들은 $33{\sim}17m{\Omega}$의 낮은 접속저항을 나타내었다.

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마이크로 4.7T MRI SE Sequence에서 T2강조효과를 위한 최적의 Flip Angle (Optimal Flip Angle for T2-Weighted Effect in Micro 4.7T MRI SE Sequence)

  • 이상호
    • 대한방사선기술학회지:방사선기술과학
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    • 제42권2호
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    • pp.113-117
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    • 2019

  • The purpose of this study was to investigate the FA value which can produce the best T2-weighted images by measuring the signal intensity and noise according to the FA value change in the brain image and the abdominal image of the mouse using micro-MRI. Brain imaging and abdominal imaging of BALB / C mice weighing 20g were performed using 4.7T (Bruker BioSpin MRI GmbH) micro-MRI equipment, Turbo RARE-T2 (spin echo-T2) images were scanned at TR 3500 msec and TE 36 msec. The changes of the FA values were $60^{\circ}$, $80^{\circ}$, $100^{\circ}$, $120^{\circ}$, $140^{\circ}$, $160^{\circ}$ and $180^{\circ}$. We measured signal intensity according to FA values of ventricle and thalamus in brain imaging, The signal intensity of kidney and muscle around the kidney was measured in abdominal images. To obtain SNR and CNR, we measured the background signals of two different parts, not the tissue. In the brain (thalamus) image, the signal intensity of FA $100^{\circ}$ was 7,433 and SNR (6.49) was the highest. In the abdominal (kidney) image, the signal intensity was highest at 16,523 when FA was $120^{\circ}$, and the highest SNR was 8.54 when FA was $140^{\circ}$. The CNR value of the brain image was 1.38 at FA $60^{\circ}$ and gradually increased to 8.29 at FA $180^{\circ}$. The CNR value of the muscle adjacent to the kidney gradually increased from 2.36 when the FA value was $60^{\circ}$ and the highest value was 4,57 at the FA value $180^{\circ}$.

  • https://doi.org/10.17946/JRST.2019.42.2.113 인용 PDF KSCI

FLIP CHIP SOLDER BUMPING PROCESS BY ELECTROLESS NI

  • Lee, Chang-Youl;Cho, Won-Jong;Jung, Seung-Boo;Shur, Chang-Chae
    • 대한용접접합학회:학술대회논문집
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    • 대한용접접합학회 2002년도 Proceedings of the International Welding/Joining Conference-Korea
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    • pp.456-462
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    • 2002

  • In the present work, a low cost and fine pitch bumping process by electroless Ni/immersion Au UBM (under bump metallurgy) and stencil printing for the solder bump on the Al pad is discussed. The Chip used this experimental had an array of pad 14x14 and zincate catalyst treatment is applied as the pretreatment of Al bond pad, it was shown that the second zincating process produced a dense continuous zincating layer compared to first zincating. Ni UBM was analyzed using Scanning electron microscopy, Energy dispersive x-ray, Atomic force microscopy, and X-ray diffractometer. The electroless Ni-P had amorphous structures in as-plated condition. and crystallized at 321 C to Ni and Ni$_3$P. Solder bumps are formed on without bridge or missing bump by stencil print solder bump process.

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Microwave properties of pulsed-laser SrTiO$_3$ thin films at low temperatures

  • Lee, G.D.;Kim, C.O.;Hong, J.P.;Kwak, J.S.
    • 한국초전도학회:학술대회논문집
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    • 한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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    • pp.207-210
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    • 2000

  • Properties of SrTiO$_3$ thin films were characterized under the influence of an applied dc voltage utilizing a gold resonator with a flip-chip capacitor. The measurements were performed at microwave frequency ranges and low temperatures cryogenic temperatures. The dielectric constant of 830 and the low loss tangent of 6X10$^{-3}$ at 3.64 GHz were observed at 90 K and 100 V. The quality in the SrTiO$_3$ film was presented in terms of fractional frequency under the bias voltages and cryogenic temperatures.

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Flip-Chip 본딩 기술 현황 (Current Status of Flip-chip Bonding Technology)

  • 주관종;김동구;윤형진;박형무
    • 전자통신동향분석
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    • 제9권1호
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    • pp.109-122
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    • 1994

  • 소자가 고속, 고주파화 되고 ASIC 칩의 개발이 가속화되면서 패키징과 interconnection 의 중요성이 더욱 증대되고 있다. 소자의 성능에 가장 직접적인 영향을 주는 것이 1차 패키징인데 현재 가장 많이 실행되고 있는 것이 wire 등에 의한 본딩 방법이었다. 이러한 기존의 방법은 소자의 고속화와 입출력 숫자의 증가에 따라 점차 그 한계를 보이고 있는데 이에 대한 방안으로는 플립칩 본딩 방식에 의한 패키징을 들 수 있다. 약 20여년 전에 IBM 에서 개발된 이래 많은 발전을 거듭한 이 기술은 최근 기본 기술에 대한 특허권의 소멸과 함께 많은 응용 분야에서 개발이 활발히 진행되고 있다. 따라서 본 고에서는 향후의 가장 유력한 패키징 기술로 인정되고 있는 플립칩 본딩 기술의 특징과 제조 관련 사항을 정리함과 동시에 응용 분야, 특히, OEIC(Optoelectronics Integrated Circuit) 분야에서의 이용 및 개발 현황을 분석, 소개함으로써 이 새로운 패키징 기술에 대한 인식을 제고하고자 한다.

  • https://doi.org/10.22648/ETRI.1994.J.090112 인용 PDF