The bipolar plate is the most important and most costly component of proton exchange membrane fuel cells. The development of a suitable low density bipolar plate is scientifically and technically challenging due to the need to maintain high electrical conductivity and mechanical properties. Here, bipolar plates were developed from different particle sizes of natural and expanded graphite with phenolic resin as a polymeric matrix. It was observed that the particle size of the reinforcement significantly influences the mechanical and electrical properties of a composite bipolar plate. The composite bipolar plate based on expanded graphite gives the desired mechanical and electrical properties as per the US Department of Energy target, with a bulk density of 1.55 $g.cm^{-3}$ as compared to that of ~1.87 $g.cm^{-3}$ for a composite plate based on natural graphite (NG). Although the bulk density of the expanded-graphite-based composite plate is ~20% less than that of the NG-based plate, the I-V performance of the expanded graphite plate is superior to that of the NG plate as a consequence of the higher conductivity. The expanded graphite plate can thus be used as an electromagnetic interference shielding material.
It has been challenging to increase the thermoelectric figure of merit ($ZT=S^2{\sigma}T/\kappa$) of materials, which determine the efficiency of thermoelectric devices, because the three parameters Seebeck coefficient (S), electrical conductivity ($\sigma$), and thermal conductivity ($\kappa$) of bulk materials are inter-dependent. With the development of nanotechnology, ZT values of nanostructured materials are predicted to be enhanced by classical size effects and quantum confinement effects. In particular, Bi nanowires were suggested as one of ideal thermoelectric materials due to the expected quantum confinement effects for the simultaneous increase in Sand. In this work, we have investigated the thermal conductivity of individual single crystalline Bi nanowires with d = 98 nm and d = 327 nm in the temperature range 40 - 300 K using MEMS devices. The for the Bi nanowire with d = 98 nm was observed to be ~ 1.6 W/m-K at 300 K, which is much lower than that of Bi bulk (8 W/m-K at 300 K). This indicates that the thermal conductivity of the Bi suppressed due to enhanced surface boundary scattering in one-dimensional structures. Our results suggest that Bi nanowires grown by stress-induced method can be used for high-efficiency thermoelectric devices.
Microelectromechanical systems (MEMS)-fabricated suspended devices were used to measure the in-plane electrical conductivity, Seebeck coefficient, and thermal conductivity of 304 nm and 516 nm thick InGaAlAs films with 0.3% ErAs nanoparticle inclusions by volume. The suspended device allows comprehensive thermoelectric property measurements from a single thin film or nanowire sample. Both thin film samples have identical material compositions and the sole difference is in the sample thickness. The measured Seebeck coefficient, electrical conductivity, and thermal conductivity were all larger in magnitude for the thicker sample. While the relative change in values was dependent on the temperature, the thermal conductivity demonstrated the largest decrease for the thinner sample in the measurement temperature range of 325 K to 425 K. This could be a result of the increased phonon scattering due to the surface defects and included ErAs nanoparticles. Similar to the results from other material systems, the combination of the measured data resulted in higher values of the thermoelectric figure of merit (ZT) for the thinner sample; this result supports the theory that the reduced dimensionality, such as in twodimensional thin films or one-dimensional nanowires, can enhance the thermoelectric figure of merit compared with bulk threedimensional materials. The results strengthen and provide a possible direction in locating and optimizing thermoelectric materials for energy applications.
Yttria-antimonia-stabilized zirconia was investigated with respect to the amount of $Sb_2O_3$ addition in the range of 0.5~5mole% to the base composition of $(ZrO)_{0.92}(Y_2O_3)_{0.08}$ The sinterbility modulus of rupture Vickers hardness evaporation of components phase form-tion and mcicrostructure were evaluated with antimonia content. Also two probe A. C conductivity measurement was subjected to all specimens and the best results are achieved with 1mol% $Sb_2O_3$ as a sinter agent and relative density of~98% obtained at 140$0^{\circ}C$ and this composition has a maximum electrical conductivity due to the possible substition of $Sb^{3+}$ for $Zr^{4+}$ site. The effect of $Sb_2O_3$ on the electrical conductivity of th bulk and the grain boundaries has on investigated using frequency dispersion analysis (5~106 Hz) Antimonia addition has a negative in-fluence on both the bulk and the grain boundary conductivity except for a 1 mon% addition. The additive antimonia has improve a modulus of rupture to 60~MPa due to metastable-tetragonal phase apparence and decrease the hardness with increasing the $Sb_2O_3$ content.
Titanium alloys are extensively used in high-temperature applications due to their excellent high strength and corrosion resistance properties. However, titanium alloys are problematic because they tend to be extremely difficult-to-cut material. In this paper, the powder synthesis, spark plasma sintering (SPS), bulk material characteristics and machinability test of hybrid $Ti_2AlC$ ceramic bulk materials were systematically examined. The bulk samples mainly consisted of $Ti_2AlC$ materials with density close to theoretical value were synthesized by a SPS method. Random orientation and good crystallization of the $Ti_2AlC$ was observed at $1100^{\circ}C$ for 10 min under SPS sintering conditions. Scanning electron microscopy results indicated a homogeneous distribution and nano-laminated structure of $Ti_2AlC$ MAX phase. The hardness and electrical conductivity of $Ti_2AlC$ were higher than that of Ti 6242 alloy at sintering temperature of $1000^{\circ}C{\sim}1100^{\circ}C$. Consequently, the machinability of the hybrid $Ti_2AlC$ bulk materials is better than that of the Ti 6242 alloy for micro-EDM process of micro-hole shape workpiece.
Skutterudite materials show PGEC (phonon glass electron crystal) characteristics which is an optimal strategy for designing high performance thermoelectric materials. Now two methods are in parallel to control thermal conductivity of skutterudites, a rattler-atoms doping method and a process for nanostructured bulk materials. Amount of rattler atoms in p-type skutterudite are depends on a Fe/Co ratio of matrix, and the optimal Fe/Co ratio has been reported about from 3:1 to 3.5:0.5 in $R(Fe,Co)_4Sb_{12}$ structure. In this paper, our discussion for rattler doping research was concentrated on double-rattler systems and DD-doped systems in p-type skutterudites. A melt spinning precess combined with high energy ball milling were suggested as a strategy for nanostructured bulk materials with PGEC (phonon glass electron crystal) characteristics in p-type skutterudites.
In this study, the effects of powder size and composition on the reflectance of Al-Si based alloys are presented. First, the reflectance of Al-Si bulk and powder are analyzed to confirm the effect of powder size. Results show that the bulk has a higher reflectance than that of powder because the bulk has lower surface defects. In addition, the larger the particle size, the higher is the reflectance because the interparticle space decreases. Second, the effect of composition on the reflectance by the changing composition of Al-Si-Mg is confirmed. Consequently, the reflectance of the alloy decreases with the addition of Si and Mg because dendrite Si and $Mg_2Si$ are formed, and these have lower reflectance than pure Al. Finally, the reflectance of the alloy is due to the scattering of free electrons, which is closely related to electrical conductivity. Measurements of the electrical conductivity based on the composition of the Al-Si-Mg alloy confirm the same tendency as the reflectance.
Multilayer Ceramic Capacitors (MLCCs) are essential passive components in the electronics industry, known for their high capacitance due to the multilayer structure comprising inner electrodes and dielectric layers. Nickel electrodes are commonly used in MLCCs as the inner electrodes, and to prevent oxidation during the co-firing of the dielectric layers with nickel electrodes, reducing atmosphere is required. However, reducing atmosphere sintering can also induce a reduction of the dielectric, necessitating precise control of oxygen partial pressure. To explore the possibility of using oxide electrodes that do not require reducing atmosphere sintering, we analyze the electrical properties of nickel oxide (NiO) as a potential candidate. As a preliminary study on its use as an alternative inner electrode, the correlation between microstructure and electrical properties of bulk NiO under different sintering conditions was investigated to gain insights into the conduction mechanisms of the material.
열경화성 탄소 섬유 복합재료 분리판은 높은 기계적 특성뿐만 아니라 높은 내산성을 갖으나, 높은 제조단가 및 낮은 자체저항이 극복해야 할 가장 큰 장애물이다. 따라서 본 연구에서는, 열가소성 폴리머를 복합재료 분리판의 기지로 적용하여 분리판 생산성과 자체저항이 모두 증가된 열가소성 탄소 복합재료 분리판을 개발하였다. 전기 전도도 및 기계 강도를 증가시기키 위하여 평직 형태의 탄소 섬유 직물을 사용하였으며, 분리판의 자체 저항을 감소시키기 위하여 전도성 나노입자를 열가소성 기지에 혼합하였다. 개발된 분리판의 면적 비저항 및 기계물성을 고온 연료전지 작동 온도 및 스택의 체결압에 따라 측정하였다.
The purpose of this research was th evaluate conductivity of electricity of Ge-Se-Bi system Chalcogenide glass as a amorphous semiconductor by observing its dissolution and crystallization. In this experiment. Ge-Se-Bi metal powder in the rage of $Ge_{12-25}$, $Se_{65-85}$, $Bi_{2.5-15}$ was used as the sample ore. The ore was. put into a vaccous quartz tube and then melted. The condition of heat treatment was to dispose it to $1000^{\circ}C$ heat for 10 hours and then rapidly quenched it at $3834^{\circ}C$/see. The crystallization of the fused sample ripened as the change of temperature and time, after the crystal core was formell. At that time it was possible to observe the state that $Bi_2Se_3$ and $GeSe_2$ were crystallized. In the experiment of making memberance, the memberance was produced by using the previously experimented bulk sample. And decrystalization was well progressed when Ge was over 15 at %, Se was over 70 at %, and Bi was under 10 at%. As for bulk. when Ge was fixed to 20 at %, the conducting of electricity was increased as Bi gained at %. In the case of memberance, the conductivity was much more increased than that of bulk sample as the increase of at the increase of at % of Bi. In the experiment on $Ge_{20}$, $Se_{77.5}$ and $Bi_{2.5}$, the crystallization sswas most vigorous when they were kept at $330^{\circ}C$ for 4 hours.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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