We investigate the light-emitting performances of blue phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs) with three different electron injection and transport materials, that is, bathocuproine(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) (Bphen), 1,3,5-tri(m-pyrid-3-yl-phenyl)benzene (Tm3PyPB), and 2,6-bis(3-(carbazol-9-yl)phenyl)pyridine (26DCzPPy), which are partially doped with cesium metal. We find that the device characteristics are very dependent on the nature of the introduced electron injection layer (EIL) and electron transporting layer (ETL). When the appropriate EIL and ETL are combined, the peak external quantum efficiency and peak power efficiency improve up to 20.7% and 45.6 lm/W, respectively. Moreover, this blue PHOLED even maintains high external quantum efficiency of 19.6% and 16.9% at a luminance of $1,000cd/m^2$ and $10,000cd/m^2$, respectively.
We have demonstrated the characteristics on the variation of hole transporting layer in blue organic light-emitting diodes (OLEDs) using new blue fluorescent emitter. We fabricated two types of hole transporting layer structures that one is 4,4',4"-Tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)-triphenylamine (2-TNATA) of $600{\AA}$ as a hole injection layer, N,N'-diphenyl-N,N'- (2-napthyl)-(1,1'-phenyl)-4,4'-diamine (NPB) of $200{\AA}$ as a hole transporting layer and another device is NPB of $500{\AA}$ without the 2-TNATA. The devices without the 2-TNATA showed improved characteristic of the luminance and efficiency.
High-efficiency white organic light-emitting diodes (WOLEDs) were fabricated with two emissive layers and exciton blocking layer was sandwiched between two phosphorescent dyes which were, bis(3,5-Difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl) iridium III (Flrpic) as blue emission and a newly synthesized red phosphorescent material guest, Bis(5-benzoyl-2-phenylpyridinato-C,N)iridium(III) (acetylacetonate) ((Bzppy)2Ir(III)acac). This exciton blocking layer prevents a triple-triple energy transfer between the two phosphorescent emissive layers with balanced emission of blue and red. The white device showed the Commission Internationale d'Eclairage (CIEx,y) coordinates of (0.34, 0.40) at the maximum luminance of $24100\;cd/m^2$ and maximum luminous efficiency of 22.4 cd/A, respectively.
For the fabrication of blue color organic light emitting diodes(OLED) with a high performance, 2-TNATA [4,4',4"-tris (2-naphthylphenyl-phenylamino)-triphenylamine] as hole injection material and NPB [N,N'-bis (1-naphthyl) -N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine] as hole transport material were deposited on the ITO (indium tin oxide)/glass substrate by the vacuum thermal evaporation. After then, blue color emission layer was deposited using TPM-BiP[(4'-Benzoylferphenyl-4-yl)phenyl-methanone-Diethyl(biphenyl-4-ymethyl)phosphonate] and GDI602 as a light emitting organic material. Finally, the two kinds of OLEDs with the structure of $ITO/2-TNATA/NPB/TPM-BiP/Alq_3/LiF/Al and ITO/2-TNATA/NPB/GDI602/Alq_3/LiF/Al$ were prepared by in-situ deposition. The maximum current density and luminance were found to be about $588\;mA/cm^2\;and\;5239\;cd/m^2$ at 12V for the OLED sample with the structure of $ITO/2-TNATA/NPB/TPM-BiP/Alq_3/LiF/Al$. Color coordinate of blue OLED was x=0.18, y=0.18 (at llV) and the maximum current efficiency was 2.82 cd/A (at 6V) with the peak emission wavelength of 440 nm.
The structure of organic light-emitting diodes(OLEDs) with typical heterostructure consists of anode, hole injection layer, hole transport layer, light-emitting layer, electron transport layer, electron injection layer, and cathode. 4,4bis[N-(1-napthyl)-N-phenyl-amino]-biphenyl(NPB) used as a hole transport layer and 4'4-bis(2,2'-diphenyl vinyl)-1,1'-biphenyl(DPVBi) used as a blue light emitting layer were graded-mixed at selected ratio. Interface at heterojunction between the hole transport layer and the elecrtron transport layer restricts carrier's transfer. Mixing of the hole transport layer and the emitting layer reduces abrupt interface between the hole transport layer and the electron transport layer. The operating voltage of OLED devices with graded mixed-layer structure is 2.8 V at 1 $cd/m^2$ which is significantly lower than that of OLED device with typical heterostructure. The luminance of OLED devices with graded mixed-layer structure is 21,000 $cd/m^2$ , which is much higher than that of OLED device with typical heterostructure. This indicates that the graded mixed-layer enhances the movement of carriers by reducing the discontinuity of highest occupied molecular orbital(HOMO) of the interface between hole transport layer and emitting layer.
We have synthesized the new blue electroluminescent material, Bis(3-N-ethylcarbazolyl)cyanoisophthalidene(BECCIP), and characterized its properties by UV/visible absorption, photoluminescent(PL) and electroluminecent(EL) spectrum. This material is well vacuum-deposited for thin film and has dear surfaced thin film property. The BECCIP shows blue PL and EL spectra at around at 485nm.
We have synthesized the new blue electroluminescent material, Bis(3-N-ethylcarbazolyl)cyanoisophthalidene(BECCIP), and characterized its properties by UV/visible absorption, photoluminescent(PL) and electroluminecent(EL) spectrum. This material is well vacuum-deposited far thin film and has clear surfaced thin film property. The BECCIP shows blue PL and EL spectra at around at 485nm.
To use the GaN based light-emitting diodes (LEDs) as solid state lighting sources, the improvement of light extraction and internal quantum efficiency is essential factors for high brightness LEDs. In this study, we suggested the new materials system of a zinc tin oxide (ZTO) layer formed on blue LED epi-structures to improve the light extraction. ZTO is a representative n-type oxide material consisted of ZnO and SnO system. Moreover, ZTO is one of the promising oxide semiconductor material. Even though ZTO has higher chemical stability than IGZO owing to its SnO2 content this has high mobility and high reliability. After formation of ZTO layer on p-GaN layer by using the spin coating method, structural and optical properties are investigated. The x-ray diffraction (XRD) measurement results show the successful formation of ZTO. The photoluminescence (PL) and absorption spectrum shows that it has 3.6-4.1eV band gap. Finally, the light extraction properties of ZTO/LED chip using electroluminescence (EL) measurement were investigated. The experimental and theoretical analyses were simultaneously conducted.
In this paper, multiheterostructure white organic light-emitting device was fabricated by vacuum evaporation. The structure of white organic light-emitting device is ITO/CuPc/TPD/DPBi:DPA/$Alq_3/Alq_3$:DCJTB/BCT/$Alq_3$/Ca/Al. Three primary colors are implemented with DPVBi, Alq$_3$and DCJTB. The maximum EL wavelength of the fabricated white organic light-emitting device is 647nm. And the CIE coordinate is (0.33, 0.33) at 13 V. In the fabrication of white organic light-emitting devices with DCJTB, $Alq_3$, DPVBi, the EL spectrum has two peaks at 492nm, 647nm. Two peaks appeared because the blue light is combined with green light. The maximum wavelength of red light is not changed with applied voltage. After voltage applied, for the first time, the electrons met the holes in the red emission layer and emitted red light. And then the electrons moved to the green emission layer, and blue emission layer continuously. Finally, when all of the emission layer activated, the white light is emitted.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.184-187
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2009
In this paper, we study effect of charge balance on performance of blue phosphorescent organic light emitting diodes (OLEDs). Charge balance determines the location of recombination zone in the OLEDs. By tuning the charge balance in iridium (III) bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinate-N,C2']picolinate (FIrpic) based blue phosphorescent organic light-emitting devices (PHOLEDs) with a high mobility and high triplet energy electron transporting material, we were able to achieve a high current efficiency of 60 cd/A which is a 3X improvement over previous devices with 3,5'-N,N'-dicarbazole-benzene (mCP) host.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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