출력 장치로 널리 이용되는 LCD(Liquid Crystal Display)는 CRT(Cathod-ray tube)에 비해 그 반응 속도가 느린 단점을 가진다. 이러한 단점으로 인해 시간방향으로 급격한 밝기 변화가 발생하는 영상에서 출력되는 영상이 흐려지는 문제점을 가진다. 반응 속도의 문제점을 극복하기 위해 LCD에서는 오버드라이빙 기술을 TCON에 적용하여 사용하고 있다. 이러한 오버드라이빙을 위해서는 화면에 출력된 이전 영상에 대한 정보를 압축 저장해야 한다. 기존의 8bit HD급을 위한 TCON에서는 TCON의 칩면적과 실시간성을 고려하여 AM-BTC(Absolute Moment Block Truncation Coding)기법을 적용하여 이러한 목적을 달성하고 있다. 하지만 최근에 많은 수요가 예상되는 10 bit Full HD급 대형 LCD에서는 기존에 비교하여 영상 데이터의 양이 많기 때문에 기존의 방법이 적합하지 않다. 기존의 방법을 10 bit Full HD급 대형 LCD에 적용하면 TCON의 칩면적의 증가로 인한 비용이 발생하거나, 화질의 열화를 야기하는 문제점이 있다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 개선하기 위해 샘플 블록 내의 형태학적 정보에 적응적인 이원적 구조를 가지는 Dual BTC기법을 제안한다. 실험을 통해 제안된 Dual BTC기법이 기존의 AM-BTC기법 보다 정량적 측면과 정성적 측면에서 성능이 우수함을 확인하였다.
본 논문에서는 통신 시스템에서 채널 전송에 의한 데이터의 오류 체크와 정정문제에 대해서 제안하였다. 제안된 LDPC 코드는 VDSL 시스템에서의 AWGN 채널 모델링에 의해 최소화된 채널 에러를 위해 사용된다. LDPC 코드는 낮은 밀도 패리티비트를 사용하기 때문에, 수학적인 복잡도가 낮고 처리 시간이 짧다. 또한 LDPC 코드의 성능은 반복 복호 알고리즘에서 긴 코드 워드에 대해 터보 코드보다 더 나은 성능을 가지고 있다. 제안된 시스템의 송신기에서 발생 행렬에 의해서 부호어가 발생되고, 수신기에서 사용된 에러 정정 알고리즘은 가중치를 갖는 Bit-flipping 방식이다. 이 방식은 기존의 Bit-flipping 방식과 달리 더 정확한 에러를 검출하고, 정정하기 위해 발생된 패리티 비트에 대해서 가중치를 주어 에러 정정을 하는 방식이다. 제안된 가중치를 갖는 Bit-flipping 알고리즘은 기존의 Bit-flipping 알고리즘에 비해서 1 dB 이상의 이득 개선을 확인할 수 있었다.
본 논문에서는 CMOS 로직과 pass-transistor logic(PTL)의 장점만을 가진 새로운 복합모드로직(Compound Mode Logic)을 제안하였다. 제안된 로직은 VLSI설계에서 중요하게 부각되고 있는 저전력, 고속 동작이 가능하며 실제로 전가산기를 설계하여 측정 한 결과 복합모드 로직의 power-delay 곱은 일반적인 CMOS로직에 비해 약 22% 개선되었다 제안한 복합모드 로직을 이용하여 고성능 32×32-bit 곱셈기를 설계 제작하였다. 본 논문의 곱셈기는 개선된 사인선택(Sign Select) Booth 인코더, 4-2 및 9-2 압축기로 구성된 데이터 압축 블록, 그리고 carry 생성 블록을 분리한 64-bit 조건 합 가산기로 구성되어 있다. 0.6um 1-poly 3-metal CMOS 공정을 이용하여 제작된 32×32-bit 곱셈기는 28,732개의 트랜지스터와 1.59×l.68 ㎜2의 면적을 가졌다. 측정 결과 32×32-bit 곱셈기의 곱셈시간은 9.8㎱ 이었으며, 3.3V 전원 전압에서 186㎽의 전력 소모를 하였다.
본 논문은 고속 IP 검색을 위해 거대한 포워딩 테이블을 인덱싱하는 트라이(trie)를 캐시에 저장할 수 있는 작은 크기로 압축하는 복합적 기법을 제안한다. 본 논문의 복합적 기법은 bit-map과 controlled-prefix 기법을 복합한 것으로 저속의 주 메모리 검색을 약간의 계산을 포함한 고속 메모리 검색으로 대체한다. bit-map 트라이 압축 기법은 트라이의 인덱스와 자식 포인터를 각각 하나의 비트로 표시한다. 예를 들면 한 노드가 n bit 대표할 때 bit-map은 노드에서 연결된 $2^n$개의 인덱스와 자식 링크를 $2^{n-1}$ bit로 표시함으로써 높은 메모리 압축효과를 제공한다. controlled-prefix 기법은 주어진 트라이 계층 개수에 대해 각 계층의 깊이(stride) 즉, 트라이의 각 계층의 최상위 노드가 대표할 비트의 개수를 결정한다. 이때 controlled-prefix 기법은 주어진 트라이 계층 개수에 대해 최소의 트라이 크기를 구하기 위해 동적 프로그래밍(dynamic programming) 기법을 사용한다. 본 연구는 트라이 계층 개수에 따라 최적의 메모리 크기와 검색속도를 제시함으로써 시스템의 메모리 크기와 요구되는 검색속도에 맞추어 적절한 트라이 구조를 선택할 수 있는 기준을 제안한다.
본 논문에서는 8kbps의 전송율을 가진 ITU-T C.729A 보코더에 Henja가 제안한 SOLA-B (Synchronized Overlap Add) 알고리즘을 적용하여 가변 전송율의 보코더를 TMS320C5416에 실시간 구현하였다. 이 방법은 부호화 시 SOLA-B 알고리즘을 이용하여 음성의 속도를 빠르게 해주고, 복호화 시 다시 SOLA-B 알고리즘을 이용하여 음성의 속도를 느리게 해줌으로써 정상속도의 음성을 재생시켜준다. 이때 SOLA-B 알고리즘의 계산량을 줄이기 위해 상호 상관 함수가 수행되는 샘플의 간격을 3 샘플씩 건너뛰면서 처리하였다. 실시간 구현된 G.729A 와 SOLA-B 알고리즘의 보코더는 8kbps 전송율일 때 인코더는 10.2MIPS이고 디코더에서는 2.8%MIPS의 최대 복잡도를 나타내었다. 그리고 6kbps 전송율일 때 인코더 18.3MIPS이고 디코더는 13.1MIPS의 최대 복잡도를 나타내었으며, 4kbps 전송율일 때 인코더 18.5MIPS이고 디코더에서 13.1MIPS의 최대 복잡도를 나타내었다. 사용된 메모리는 program ROM 9.7kwords, table ROM 4.5kwords, RAM 5.1kwords 정도이다. 출력된 파형은 C simulator와 Bit Exact 한 출력 결과를 보여주었다. 또한, 실시간 구현된 가변 전송율 보코더의 음질 평가를 위해 MOS 테스트를 수행한 결과 4kbp의 전송율에서 MOS값이 3.69정도로 측정되었다.
This paper describes an 8-bit CMOS folding A/D converter for set-top box. Modular low-power, high-speed CMOS A/D converter for embedded systems aims at design techniques for low-power, high-speed A/D converter processed by the standard CMOS technology. The time-interleaved A/D converter or flash A/D converter are not suitable for the low-power applications. The two-step or multi-step flash A/D converters need a high-speed SHA, which represents a tough task in high-speed analog circuit design. On the other hand, the folding A/D converter is suitable for the low-power, high-speed applications(Embedded system). The simulation results illustrate a conversion rate of 40MSamples/s and a Power dissipation of 80mW(only analog block) at 2.5V supply voltage.
All-optical non-return-to-zero (NRZ) -to- return-to-zero (RZ) data-format conversion has been successfully demonstrated using a semiconductor optical amplifier in a fiber-loop mirror (so-called SOA-loop mirror) with a continuous-wave (CW) holding beam. The converted RZ signal after pulse compression has been used to create a 40 Gb/s OTDM (Optical Time Division Multiplexing) signal. Here is proposed an NRZ-to-RZ conversion method without any additional optical clocks, unlike conventional methods based on optical AND logic. In addition, it has the merit of operating at various bit-rate speeds without any controlling device. Moreover, it has a simple structure, and it can be used for all-optical bit-rate-flexible clock recovery.
We have developed a microprogramir!able signal processor for real-time ultrasonic signal processing. Processing speed was increased by the parallelism in horizontal microprogram using 104bits microcode and the Pipelined architecture. Control unit of the signal processor was designed by microprogrammed architec- ture and writable control store (WCS) which was interfaced with host computer, APPLE- ll . This enables the processor to develop and simulate various digital signal processing algorithms. The performance of the processor was evaluated by the Fast Fourier Transform (FFT) program. The execution time to perform 16 bit 1024 points complex FF7, radix-2 DIT algorithm, was about 175 msec with IMHz master Clock. We can use this processor to Bevelop more efficient signal processing algorithms on the biological signal processing.
This paper presents real-time implementation of speech vocoder for PSTN video telephony using ITU G.723 16Kbps ADPCM algorithm. The ADPCM encoder accepts 8-bit PCM compressed signals and expends it to a 14-bit-per-sample. The predicted values are subtracted from encoded signals to produce difference signals. Adaptive quantization is performed on the difference signal to produce a 2-bit, output for transmission over the channel. Computer simulations and experiments were performed to evaluate the performance of the speech vocoder.
The thermal oxidation recipe has been optimized for very thin (12 nm) capacitor oxide for Mega bit DRAM. The time dependent dielectric breakdown characteristics show that the breakdown voltage and time to breakdown are very high and uniform, indication that our oxide is defect free and suitable for DRAM capacitor dielectric. To our knowledge this is the best oxide quality obtained up tp now around 10 nm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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