• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.159-159
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• 2010

펄스 직류 전원 $BCl_3$/He 플라즈마를 사용하여 GaAs의 건식 식각을 연구하였다. 공정 변수는 가스 유량 (0~100% $BCl_3$ in $BCl_3$/He), 펄스 파워 ($450{\sim}600\;{\nu}$), 펄스 주파수 (100~250 KHz), 펄스 시간 ($0.4{\sim}1.2\;{\mu}s$)이었다. 식각 공정 후 식각률, 포토레지스트에 대한 식각 선택도, 표면 거칠기는 표면 단차 측정기를 이용하였다. 식각 공정 동안 플라즈마 광 특성 분석은 광학 발광분석기 (Optical emission spectroscopy)를 사용하였다. 실험 후 주사 전자 현미경을 이용, 식각 후 시료의 단면과 표면을 관찰하였다. 실험 결과에 의하면 1) 펄스 파워, 주파수, 시간을 고정 ($500\;{\nu}$, $0.7\;{\mu}s$, 200 KHz)하고 10% He 가스가 혼합되어 있는 조건에서 GaAs의 식각률이 순수한 $BCl_3$를 사용한 것보다 높았다. 이를 통해 식각 공정에서 일정량 이하의 He 혼합은 GaAs 식각률을 증가시키는 시너지효과가 있음을 알 수 있었다. 2) 그러나 약 20% 이상의 He 가스의 혼합은 GaAs의 식각 속도를 저하시켰다. 3) 10% He (9 sccm $BCl_3/1$ sccm He), 200 KHz 펄스 주파수, $0.7\;{\mu}s$ 펄스 시간의 조건에서 펄스 파워가 증가함에 따라 GaAs의 식각률 또한 선형적으로 증가하였다. 4) 특히, $600\;{\nu}$의 파워에서 식각률은 ${\sim}0.5\;{\mu}m/min$로 가장 높았다. 5) 표면 단차 측정기와 전자현미경을 이용하여 식각한 GaAs를 분석한 결과 10% He이 혼합되어 있는 조건에서는 우수한 수직 측벽과 매끈한 표면 (RMS roughness <1 nm)을 관찰할 수 있었다. 6) 10% He이 혼합된 $BCl_3$/He 펄스 직류 플라즈마 식각 후 XPS 분석결과에서도 기준 샘플과 비교하였을 때, 공정 후의 GaAs 표면이 화학적으로 깨끗하며 잔류물이 거의 검출되지 않았다. 위의 결과를 정리하였을 때, 펄스 직류 $BCl_3$/He 플라즈마는 GaAs의 식각에서 매우 우수한 공정 결과를 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.480-480
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• 2011

양극산화(anodization)는 금속을 전기화학적으로 산화시켜 금속산화물로 만드는 기술로서 최근 다양한 크기의 나노 구조를 제조하는 기술로 각광받고 있으며, 이러한 기술에 의하여 얻어지는 anodic aluminum oxide(AAO)는 magnetic data storage, optoelectronic device, sensor에 적용될 수 있는 nano device 뿐만 아니라 nanostructure를 제조하기 위한 template 및 mask로써 최근 광범위 하게 연구되고 있다. 또한, AAO는 Al2O3의 단단한 구조를 가진 무기재료이므로 solid mask로써 다른 porous materials 보다 뛰어난 특성을 갖고 있다. 또한 electron-beam lithography 및 block co-polymer 에 의한 patterning 과 비교하여 매우 경제적이며, 재현성이 우수할 뿐만 아니라 대면적에서 나노 구조의 크기 및 형상제어가 비교적 쉽기 때문에 널리 사용되고 있다. 그러나, AAO 형성 시 생기게 되는 반구형 모양의 barrier layer는 물질(substance)과 기판과의 direct physical and electrical contact을 방해하기 때문에 해결해야 할 가장 큰 문제점 중 하나로 알려져 있다. 따라서 본 연구에서는 실리콘 기판위의 형성된 AAO의 barrier layer를 Cl/BCl3 gas mixture에서 Neutral Beam Etching (NBE)과 Ion Beam Etching (IBE) 로 각각 식각한 후 그 결과와 비교하였다. NBE와 IBE 모두 Cl2/BCl3 gas mixture에서 BCl3 gas의 첨가량이 60% 일 경우 etch rate이 가장 높게 나타났고, optical emission spectroscopy (OES)로 Cl2/BCl3 플라즈마 내의 Cl radical density와 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)로 AAO 표면 위를 관찰한 결과 휘발성 BOxCly의 형성이 AAO 식각에 크게 관여함을 확인 할 수 있었다. 또한, NBE와 IBE 실험한 다양한 Cl2/BCl3 gas mixture ratio 에서 AAO가 식각이 되지만, 이온빔의 경우 나노사이즈의 AAO pore의 charging에 의해 pore 아래쪽의 위치한 barrier layer를 어떤 식각조건에서도 제거하지 못하였다. 하지만, NBE에서는 BCl3-rich Cl2/BCl3 gas mixture인 식각조건에서 AAO pore에 휘발성 BOxCly를 형성하면서 barrier layer를 제거할 수 있었다.

• International Journal of Oral Biology
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• 제37권3호
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• pp.91-102
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• 2012

Bcl-2 protects tumor cells from the apoptotic effects of various anti-neoplastic agents. Increased expression of Bcl-2 has been associated with a poor response to chemotherapy in various malignancies, including leukemia. Hence, bypassing the resistance conferred by anti-apoptotic factors such as Bcl-2 represents an attractive therapeutic strategy against cancer cells, including leukemic cells. This study was undertaken to examine whether the anticancer drug, cisplatin and the synthetic chenodeoxycholic acid (CDCA) derivative, HS-1200 show anti-tumor activity in U937 and U937/Bcl-2 cells. Viability assays revealed that HS-1200 overcomes the resistance conferred by Bcl-2 in human leukemic U937 cells. Various apoptosis assessment assays further demonstrated that HS-1200 overcomes the resistance conferred by Bcl-2 in human leukemic U937 cells by inducing apoptosis. In addition HS-1200, but not cisplatin, overcomes the anti-apoptotic effects of Bcl-2 in Bcl-2 over-expressing human leukemic cells (U937/Bcl-2 cells). Notably, we observed that the HS-1200-induced formation of mature promyelocytic leukemia (PML) nuclear bodies (NBs) correlates with a suppression of the anti-apoptotic effects of Bcl-2 in human leukemic cells over-expressing this protein (U937/Bcl-2 cells). Furthermore, HS-1200 was found to induce the association between PML and SUMO-1, Daxx, Sp100, p53 or CBP in the aggregated PML-NBs of U937/Bcl-2 cells. Thus, PML protein and the formation of mature PML-NBs could be considered as therapeutic targets that may help to bypass the resistance to apoptosis conferred by Bcl-2. Elucidating the exact mechanism by which PML regulates Bcl-2 will require further work.

• Journal of the Korean Association of Oral and Maxillofacial Surgeons
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• 제37권3호
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• pp.161-168
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• 2011

Purpose: The odontogenic keratocysts demonstrated a high recurrence rate and a biologically aggressive nature. This might be due to unknown factors inherent in the epithelium or enzymatic activity in the fibrous wall. Bcl-2 protein is characterized by its ability to inhibit apoptosis. The aim of this study was to evaluate the expression and distribution of bcl-2 in the OKCs, its possible relationship with the tumorous characteristics, such as the aggressive nature and high recurrence rate, and its usefulness to differentiate OKCs from dentigerous cysts. Materials and Methods: Formalin fixed paraffin-embedded tissue sections of 53 OKCs, and 44 dentigerous cyst were immunohistochemically analyzed quantitatively for the immunoreactivity of the bcl-2 protein with i-solution. Results: More Bcl-2 expression was observed in the OKCs (mean34.387%) than dentigerous cyst (mean11.144%) with statistical significance (P<0.001). Seventeen and 15 of the 32 OKCs in this study showed positivity in the basal layer and basal/suprabasal layers, respectively. In dentigerous cyst, 2 of 3 showed positivity in the basal cell layer. Conclusion: Considering that bcl-2 over expression may lead to the increased survival of epithelial cells, this study demonstrated a possible relationship between the aggressive nature of OKC and the intrinsic growth potential of its lining epithelium. Furthermore, the basal/suprabasal distribution of bcl-2 positive cells was observed in some OKCs, which might have a significant impact on the behavior of cysts. The bcl-2 expression of OKCs can be useful for differentiating OKCs from dentigerous cysts.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권10호
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• pp.747-751
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• 2010

In the study, the characteristics of the etched Zinc oxide (ZnO) thin films surface, the etch rate of ZnO thin film in $Cl_2/BCl_3/Ar$ plasma was investigated. The maximum ZnO etch rate of 53 nm/min was obtained for $Cl_2/BCl_3/Ar$=3:16:4 sccm gas mixture. According to the x-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM), the etched ZnO thin film was investigated to the chemical reaction of the ZnO surface in $Cl_2/BCl_3/Ar$ plasma. The field emission auger electron spectroscopy (FE-AES) analysis showed an elemental analysis from the etched surfaces. According to the etching time, the ZnO thin film of etched was obtained to The AES depth-profile analysis. We used to atomic force microscopy to determine the roughness of the surface. So, the root mean square of ZnO thin film was 17.02 in $Cl_2/BCl_3/Ar$ plasma. Based on these data, the ion-assisted chemical reaction was proposed as the main etch mechanism for the plasmas.

• 전기학회논문지
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• 제56권3호
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• pp.566-570
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• 2007

The specific electrical, optical and acoustic properties of Zinc Oxide (ZnO) are important for semiconductor process which has many various applications. Piezoelectric ZnO films has been widely used for such as transducers, bulk and surface acoustic-wave resonators, and acousto-optic devices. In this study, we investigated etch characteristics of ZnO thin films in inductively coupled plasma etch system with $BCl_3/Ar$ gas mixture. The etching characteristics of ZnO thin films were investigated in terms of etch rates and selectivities to $SiO_2$ as a function of $BCl_3/Ar$ gas mixing ratio, RF power, DC bias voltage and process pressure. The maximum ZnO etch rate of 172 nm/min was obtained for $BCl_3$ (80%)/Ar(20%) gas mixture. The chemical states on the etched surface were investigated with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).

• 대한의생명과학회지
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• 제11권3호
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• pp.281-287
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• 2005

Although actinomycin D (AMD) is known to induce apoptotic cell death to various cell lines, the mechanism of apoptosis induced by AMD is still unclear. Understanding this mechanism may improve its therapeutic efficacy. The present study has been performed to elucidate expression of Bcl-2 and Caspase-3 proteins related to apoptosis in human leukemia K-562 cells. Five different assays were performed in this study; DNA fragmentation analysis by agarose gel electrophoresis, quantitative assay of fragmented DNA, morphological assessment of apoptotic cells, quantification of apoptosis by annexin V (AV) and propidium iodide (PI) staning, and expression of Bcl-2 and Caspase-3 proteins by the western blot analysis. The number of apoptotic cells and amount of fragmented DNA in this cell line treated with AMD was increased at 6 hour. DNA ladder pattern was also appeared at 6 hour. The expression of Bcl-2 was decreased, and disappeared from 12 hours after AMD treatment. Precursor of Caspase-3 was degraded, and 20 kDa cleavage products were detected. These results suggest that AMD induced apoptosis of K-562 cells is Caspase-3-dependent fashion, and this apoptosis is related to the degradation of Bcl-2 proteins.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.264-265
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• 2009

본 연구에서 유도결합 플라즈마 식각 장치외 $BCl_3/Ar/Cl_2$ 가스 혼합비를 이용하여 ZnO 박막을 식각 하였을 때, 식각 된 ZnO 박막의 표면 반응에 관하여 관찰하였다. ZnO 박막의 식각 실험 조건은 RF 전력 700 W, 직류바이어스 전압 - 150 V, 공정 압력 15 mTorr로 고정하였고, $Cl_2/(Cl_2+BCl_3+Ar)$ 가스 혼합비를 변경하면서 식각 실험을 수행하였다. $Cl_2$ 가스가 3 sccm 일 때, ZnO 박막의 식각속도는 53 nm/min으로 가장 높았으며, 이때 ZnO 박막에 대한 $SiO_2$의 선택비는 0.89 이었다. 식각된 ZnO 박막의 표면은 XRD (X-ray diffraction)와 AFM(atomic force microscopy)를 이용하여 결정상의 변화와 표면의 거칠기를 분석하였다. AFM 분석 결과에서 Ar, $BCl_3$와 $Cl_2$ 플라즈마를 이용하여 식각된 시료의 표면 거칠기 근 값이 식각전의 시료나 $BCl_3/Ar/Cl_2$ 플라즈마로 식각된 시료보다 큰 것을 확인하였다. 이는 식각된 시료에서의 Zn 양의 감소나 비휘발성 식각 잔류물에 의한 영향으로 판단된다. SIMS(secondary ion mass spectrometery) 분석을 통해 검증 하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1319-1320
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• 2007

본 연구는 ZnO 박막을 유도 결합 플라즈마를 이용하여, $BCl_3$/Ar 가스 혼합비, RF 전력, 직류 바이어스 전압과 공정 압력을 변경하면서 실험하였다. ZnO 박막의 최고 식각속도는 80%의 $BCl_{3}/(BCl_{3}+Ar)$에서 700 W의 RF 전력, -150 V의 직류 바이어스 전압, 15 mTorr의 공정 압력, $28^{\circ}C$의 기판 온도로 고정시켰을 때 50 nm/min 이었다. 이 조건에서 ZnO 박막과 $SiO_2$의 선택비는 0.75 이었다.

• 대한골관절종양학회지
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• 제11권2호
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• pp.118-125
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• 2005

목적: 골육종에서 세포 사멸과 관련된 survivin, bcl-2, bax 유전자의 발현을 조사하여 임상적 결과와의 연관성에 대해 알아 보고자 하였다. 대상 및 방법: 항암 약물 치료 전 절개 생검으로 얻은 50예의 골육종 조직을 면역조직화학 염색법을 통하여 survivin, bcl-2, bax의 발현을 관찰하였다. 임상적으로 항암 약물 치료에 대한 반응율, 국소재발, 원격전이, 종양학적 결과 등을 연구하여 surviving, bcl-2, bax 유전자 각각의 발현 또는 이들의 복합적인 발현과의 연관성에 대해 통계적으로 분석하였다. 결과: 면역조직화학염색법으로 검사한 survivin 유전자의 발현은 26예(52%)에서 관찰되었고, bcl-2는 23예 (46%), bax는 21예 (42%)에서 관찰되었다. Survivin과 bcl-2의 공동발현은 19예(38%), survivin과 bax의 공동 발현은 13예(26%), bcl-2와 bax의 공동 발현은 8예 (16%), 그리고 이들 3가지 모두의 발현은 총 8예 (16%)에서 관찰되었다. 검사한 3가지 세포 사멸 관련 유전자의 발현과 여러 임상적 변수와의 상관 관계를 조사 하였을 때 조직학적 분류, 나이, 성별, 국소 재발 등과는 유의한 연관성이 없었다. 항암 약물 반응율과 통계적으로 유의한 연관성을 보인 인자는 bcl-2 (P=0.04), 그리고 survivin과 bcl-2가 동시 발현된 경우 (P=0.044)였으며 나쁜 항암 약물 반응율을 나타냈다. 종양학적 결과 중 질병으로 인한 사망과의 연관성을 보인 인자 역시 bcl-2 (P=0.001), 그리고 survivin과 bcl-2가 동시발현된 경우 (P=0.027)였으며, 이들의 발현은 나쁜 종양학적 결과를 나타냈다. Kaplan-Meier 생존율 분석에서 bcl-2 (P=0.0012)의 발현과 survivin, bcl-2의 동시 발현 (P=0.0075)은 생존율과 역의 상관관계를 보였다. 결론: 골육종에서 세포 사멸 관련 유전자의 발현은 비교적 높게 보였으며, bcl-2의 발현은 항암 약물치료에 대한 불량한 반응과 낮은 생존율에 의미 있는 연관성을 보이며, survivin은 bcl-2와 동시에 발현되는 경우에만 이러한 종양학적 결과와 의미 있는 관련이 있었다. 따라서 세포 사멸 관련 유전자들의 면역조직화학염색법을 통한 관찰이 골육종의 예후 판정에 도움이 될 것으로 사료된다.