• 제목/요약/키워드: Band structure

검색결과 2,786건 처리시간 0.027초

하모닉 구조 확장과 NMF 기반의 인공 대역 확장 기술 (Artificial Bandwidth Extension Based on Harmonic Structure Extension and NMF)

  • 김기준;박호종
    • 전자공학회논문지
    • /
    • 제50권12호
    • /
    • pp.197-204
    • /
    • 2013
  • 본 논문에서는 주파수 영역에서 협대역 신호를 광대역으로 확장하는 새로운 인공 대역 확장 기술을 제안한다. 제안한 기술은 협대역 신호를 여기 신호와 스펙트럼 포락선 성분으로 분리하고, 주파수 영역에서 각각 독립적인 방법으로 확장한다. 여기 신호는 저대역의 하모닉 구조가 고대역에서 유지되도록 확장하고, 스펙트럼 포락선은 부대역별 에너지를 기반으로 NMF방법으로 확장한다. 마지막으로 시간 축에서 프레임 사이의 상관관계를 기반으로 스펙트럼 위상을 결정하여 최종 광대역 신호를 생성한다. 주관적 청취 평가를 통하여 제안한 방법으로 대역 확장된 신호가 원 협대역 신호보다 음질이 향상된 것을 확인하였다.

개구면 공유 구조를 가지는 S / X 이중 광대역 패치 안테나의 방사 특성 (Radiation Characteristics of a S / X Dual Broad Band Patch Antenna with Shared Aperture Structure)

  • 곽은혁;이용승;김부균
    • 한국전자파학회논문지
    • /
    • 제26권8호
    • /
    • pp.718-729
    • /
    • 2015
  • S-대역과 X-대역에서 동작하며, 개구면 공유 구조를 가지는 광대역 패치 안테나를 제작하였다. S-대역 안테나는 $2{\times}2$로 천공된 패치를 가지며, 천공된 자리에 X-대역에서 동작하는 패치 안테나를 $2{\times}2$ 배열하였다. 두 대역에서 모두 20 % 이상의 넓은 대역폭 특성을 가지는 개구면 공유 구조를 가지는 이중 대역 안테나를 제작하고, 방사 특성을 분석하였다.

DGS구조를 이용한 초광대역 대역통과 여파기 (A Ultra-Wideband Bandpass Filter Using DGS structure)

  • 정승백;양승인
    • 대한전자공학회논문지TC
    • /
    • 제46권5호
    • /
    • pp.162-167
    • /
    • 2009
  • 본 논문에서는 대역통과 여파기와 저역통과 여파기를 하나의 구조로 합성하여 크기 증가 없이 초광대역 특성을 가지는 여파기를 설계 및 구현하였다. 제안한 구조는 그 구조가 간단하다. 그리고 저역 통과 특성을 얻기 위하여 이미 잘 알려진 DGS(Defected Ground Structure) 구조를 이용하였다. 기존의 대역통과 여파기와 저역통과 여파기를 직접 연결하였을 때 보다 크기를 줄일 수 있었다. 측정결과 통과대역은 $2.1GHz{\sim}10.56GHz$이고 삽입손실은 최대 0.5dB, 반사손실은 최소 20dB, 군 지연은 $0.13ns{\sim}0.35ns$ 까지 최대 변화폭 0.23ns의 변화를 보인다.

Radial deformation and band-gap modulation of pressurized carbon nanotubes

  • Taira, Hisao;Shima, Hiroyuki;Umeno, Yoshitaka;Sato, Motohiro
    • Coupled systems mechanics
    • /
    • 제2권2호
    • /
    • pp.147-157
    • /
    • 2013
  • We numerically investigate the electronic band structure of carbon nanotubes (CNTs) under radial corrugation. Hydrostatic pressure application to CNTs leads to a circumferential wave-like deformation of their initially circular cross-sections, called radial corrugations. Tight-binding calculation was performed to determine the band gap energy as a function of the amplitude of the radial corrugation. We found that the band gap increased with increasing radial corrugation amplitude; then, the gap started to decline at a critical amplitude and finally vanished. This non-monotonic gap variation indicated the metal-semiconductor-metal transition of CNTs with increasing corrugation amplitude. Our results provide a better insight into the structure-property relation of CNTs, thus advancing the CNT-based device development.

Harmonic Suppression and Broadening Bandwidth of Band Pass Filter Using Aperture and Photonic Band Gap Structure

  • Seo, Chul-Hun
    • Journal of electromagnetic engineering and science
    • /
    • 제5권4호
    • /
    • pp.208-212
    • /
    • 2005
  • In this paper, we introduced a band-pass filter employed the PBG structure and the aperture on the ground together. The harmonics of band pass filter have been suppressed by employing the PBG structure and the bandwidth of it has been broadened by using the aperture on the ground. The designed PBG cells have three different sizes. The largest cells, the middle cells, and the smallest cells have suppressed the multiple of second harmonics, the multiple of third harmonics, and the multiple of fifth harmonics, respectively. The center frequency has been 2.18 GHz. The bandwidth has been increased from 230 MHz up to 310 MHz(80 MHz, about $35\%$) by the aperture and the ripple characteristics in passband have been improved and the harmonic frequencies have been suppressed about 30 dB by the PBG.

부분방전 모니터링 시스템을 위한 광대역 RF 소자설계 연구 (Design of Broad Band RF Components for Partial Discharge Monitoring System)

  • 이제광;고재형;김군태;김형석
    • 전기학회논문지
    • /
    • 제60권12호
    • /
    • pp.2286-2292
    • /
    • 2011
  • In this paper we present the design of Low Noise Amplifier(LNA), mixer and filter for RF front-end part of partial discharge monitoring system. The monitoring system of partial discharge in high voltage power machinery is used to prevent many kinds of industrial accidents, and is usually composed of three parts - sensor, RF front-end and digital microcontroller unit. In our study, LNA, mixer and filter are key components of the RF front-end. The LNA consists of common gate and common source-cascaded structure and uses the resistive feedback for broad band matching. A coupled line structure is utilized to implement the filter, of which size is reduced by the meander structure. The mixer is designed using dual gate structure for high isolation between RF and local oscillator signal.

${\gamma}$-FIB를 이용한 산소 유량에 따른 ITO (Indium Tin Oxide)의 Energy Band Structure 측정

  • 이경애;김동해;권기청;엄환섭;최은하
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
    • /
    • pp.191-191
    • /
    • 2011
  • 최근 투명전극 연구는 태양전지 및 디스플레이, LED 등 많은 분야에서 응용되며 또한 기술 개발이 활발하다. 그 중 전기 전도도가 우수하면서 밴드갭이 2.5 eV 이상으로 가시광 영역에서 투명하기 때문에 디스플레이의 투명전극으로 ITO (Indium Tin Oxide)가 많이 사용되고 있다. 본 실험에서는 RF magnetron sputtering법을 이용한 ITO의 증착시 산소 유량을 달리하여 제작한 박막의 Energy Band Structure를 ${\gamma}$-FIB system을 이용하여 측정하였다. ITO에 이온화 에너지가 24.5 eV인 He Ion source를 주사하였을 때 Auger self-convolution을 통해 이차전자의 운동 에너지 분포를 구하고, 이를 통해 ITO 내의 Energy Band Structure를 실험적으로 측정하였다.

  • PDF

Inverted structure perovskite solar cells: A theoretical study

  • Sahu, Anurag;Dixit, Ambesh
    • Current Applied Physics
    • /
    • 제18권12호
    • /
    • pp.1583-1591
    • /
    • 2018
  • We analysed perovskite $CH_3NH_3PbI_{3-x}Cl_x$ inverted planer structure solar cell with nickel oxide (NiO) and spiroMeOTAD as hole conductors. This structure is free from electron transport layer. The thickness is optimized for NiO and spiro-MeOTAD hole conducting materials and the devices do not exhibit any significant variation for both hole transport materials. The back metal contact work function is varied for NiO hole conductor and observed that Ni and Co metals may be suitable back contacts for efficient carrier dynamics. The solar photovoltaic response showed a linear decrease in efficiency with increasing temperature. The electron affinity and band gap of transparent conducting oxide and NiO layers are varied to understand their impact on conduction and valence band offsets. A range of suitable band gap and electron affinity values are found essential for efficient device performance.

A Novel Design of High Power Amplifier Employing Photonic Band Gap in Millimeter Wave Band

  • Seo Chul-Hun
    • Journal of electromagnetic engineering and science
    • /
    • 제6권2호
    • /
    • pp.98-102
    • /
    • 2006
  • In this paper, we have designed and fabricated the high power amplifier employing PBG(Photonic Band-Gap Structure) to improve the linearity of the amplifier in the millimeter wave band. The fabricated amplifier using MMIC(TGA1073G) has operated about 24 GHz band and the PBG has resulted in 35 dB suppression about 49 GHz where the second harmonic occurs due to the amplifier. As a result, the output power has been 24.43 dBm and 13.2 dBc of the IMD has been improved. Also, the PAE is obtained to 14.96 % of the amplifier employing the PBG structure in Ka band.