• 제목/요약/키워드: BM3D

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A CMOS Envelope Tracking Power Amplifier for LTE Mobile Applications

  • Ham, Junghyun;Jung, Haeryun;Kim, Hyungchul;Lim, Wonseob;Heo, Deukhyoun;Yang, Youngoo
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제14권2호
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    • pp.235-245
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    • 2014
  • This paper presents an envelope tracking power amplifier using a standard CMOS process for the 3GPP long-term evolution transmitters. An efficiency of the CMOS power amplifier for the modulated signals can be improved using a highly efficient and wideband CMOS bias modulator. The CMOS PA is based on a two-stage differential common-source structure for high gain and large voltage swing. The bias modulator is based on a hybrid buck converter which consists of a linear stage and a switching stage. The dynamic load condition according to the envelope signal level is taken into account for the bias modulator design. By applying the bias modulator to the power amplifier, an overall efficiency of 41.7 % was achieved at an output power of 24 dBm using the 16-QAM uplink LTE signal. It is 5.3 % points higher than that of the power amplifier alone at the same output power and linearity.

A 1.2-V Wide-Band SC Filter for Wireless Communication Transceivers

  • Yang, Hui-Kwan;Cha, Sang-Hyun;Lee, Seung-Yun;Lee, Sang-Heon;Lim, Jin-Up;Choi, Joong-Ho
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제6권4호
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    • pp.286-292
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    • 2006
  • This paper presents the design of a low-voltage wide-band switched-capacitor (SC) filter for wireless communication receiver applications. The filter is the 5th-order Elliptic lowpass filter. With the clock frequency of 50MHz implying that an effective sampling frequency is 100MHz with double sampling scheme, the cut-off frequency of the filter is programmable to be 1.25MHz, 2.5MHz, 5MHz and 10MHz. For low-power systems powered by a single-cell battery, the SC filter was elaborately designed to operate at 1.2V power supply. Simulation result shows that the 3rd-order input intercept point (IIP3) can be up to 27dBm. The filter was fabricated in a $0.25-{\mu}m$ 1P5M standard CMOS technology and measured frequency responses show good agreement with the simulation ones. The current consumption is 34mA at a 1.2V power supply.

근거리 무선 전력 전송을 위한 평형 증폭기 구조의 10MHz 10W급 전력원 설계 (Design of the 10MHz and 10W Power Source for Short Distance Wireless Power Transmission)

  • 박동훈;김귀성;임은천;박혜미;이문규
    • 전기학회논문지
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    • 제61권3호
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    • pp.437-441
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    • 2012
  • In this paper, we have designed and manufactured 10MHz power source for the application of short distance wireless power transmission. The designed power source consists of a DDS(direct digital synthesizer) signal generator, a buffer driver and a balanced power amplifier. Short range wireless power transmission is usually carried out by near-field inductive coupling between source and load. The distance variation between source and load gives rise to the change of load impedance of power amplifier, which has effect on the operation of power amplifier. To overcome this problem due to load variation of power amplifier, we have adopted the balanced power amplifier using the quadrature hybrid implemented by lumped capacitors and a mutually coupled coil. The experiment results show the above 40dBm output power, frequency range of 9 to 11MHz, and total DC power consumption of 36W.

5G 이동통신 셀 설계를 위한 타부 탐색과 유전 알고리즘의 성능 (Performance comparison of Tabu search and genetic algorithm for cell planning of 5G cellular network)

  • 권오현;안흥섭;최승원
    • 디지털산업정보학회논문지
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    • 제13권3호
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    • pp.65-73
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    • 2017
  • The fifth generation(5G) of wireless networks will connect not only smart phone but also unimaginable things. Therefore, 5G cellular network is facing the soaring traffic demand of numerous user devices. To solve this problem, a huge amount of 5G base stations will need to be installed. The base station positioning problem is an NP-hard problem that does not know how long it will take to solve the problem. Because, it can not find an answer other than to check the number of all cases. In this paper, to solve the NP hard problem, we compare the tabu search and the genetic algorithm using real maps for optimal cell planning. We also perform Monte Carlo simulations to study the performance of the Tabu search and Genetic algorithm for 5G cell planning. As a results, Tabu search required 2.95 times less computation time than Genetic algorithm and showed accuracy difference of 2dBm.

3-포드 변압기를 이용한 바이패스 구조를 적용하여 효율이 개선된 이중 모드 2.4-GHz CMOS 전력 증폭기 (A 2.4-GHz Dual-Mode CMOS Power Amplifier with a Bypass Structure Using Three-Port Transformer to Improve Efficiency)

  • 장요셉;유진호;이미림;박창근
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제23권6호
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    • pp.719-725
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    • 2019
  • 본 연구에서는 2.4-GHz CMOS 전력 증폭기의 저 출력 전력 영역에서의 전력 변환 효율을 개선시키기 위한 이중모드 증폭기 구조를 제안하였다. 이를 위하여 출력 정합 회로 및 발룬의 역할을 하는 출력부 변압기의 1차 측을 두 개로 나누고, 그 중 하나는 전력 증폭단의 출력부와, 나머지 하나는 구동 증폭단의 출력부와 연결 되도록 구성하였다. 이를 통하여, 전력 증폭기가 고 출력 전력 영역에서 동작 할 경우, 일반적인 전력 증폭기 동작과 동일하게 동작 하며, 반대로 전력 증폭기가 저출력 전력 영역에서 동작 할 경우, 전력 증폭단은 작동을 하지 않으며, 구동 증폭단의 출력이 전력 증폭기의 최종 출력부로 전달 되도록 구성하였다. 이 경우, 저출력 전력 영역에서는 전력 증폭단에서의 dc 전력소모가 원천적으로 차단되기 때문에 저출력 전력 영역에서의 전력 변환 효율을 개선시킬 수 있다. 제안하는 구조는 180-nm RFCMOS 공정을 통해 설계된 2.4-GHz 전력 증폭기의 측정을 통하여 그 효용성을 검증하였다.

국제핵융합실험로(ITER) 시험을 위한 한국형 시험증식블랑켓 개념설계 및 성능해석

  • 이동원;진형곤;이어확;윤재성;김석권;박성대;조아라;안무영;조승연
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.255-255
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    • 2015
  • 국제핵융합실험로(ITER)의 3대 목표 중 하나는 핵융합로 개발을 위한 삼중수소증식블랑켓 개념을 시험하고 검증하는 것이며, 이를 위해 시험증식블랑켓(TBM, Test Blanket Module) 프로그램을 마련, 각국이 참여할 수 있도록 하고 있다. 한국도 2012년 국가핵융합위원회 결정에 따라, EU, 일본, 중국, 인도와 함께 TBM 프로그램에 참여하고 있으며, 2021년 설치를 목표로 헬륨냉각 고체증식재 개념의 HCCR (Helilum Cooled Ceramic Reflector) TBM을 설계, 개발하고 있다. 한국형 TBM은 총 4개의 서브모듈과 하나의 후벽(Back Manifold, BM) 으로 구성되며, 각 서브모듈은 플라즈마와 대면하는 일차벽(First Wall, FW), 증식재와 증배재, 반사재를 담고 있는 증식영역(Breeding Zong, BZ), 냉각재 매니폴드 및 구조물 역할을 하는 측벽(Side Wall, SW) 등의 기능부품으로 구성되어 있다. 냉각재는 8 MPa, $300-500^{\circ}C$의 고온고압헬륨을 사용하고, Li2SiO4 혹은 Li2TiO4 형태의 Li 세라믹 증식재를 사용하며, 중성자 증배를 위해 Be 증배재 및 흑연 반사재를 사용한다 [1-3]. 2015년 2월 개념설계검토(CDR, Conceptual Design Review)를 위해, TBM-shield를 포함한 TBM-set 설계가 완료되었으며, 열수력, 구조, 지진, 전자기, 복합하중에 대한 평가가 진행되었다. 본 논문에서는 이 중 H/He-phase에 시험될 EM-TBM과 D-T phase에 시험될 INT-TBM에 대한 열수력 성능 결과를 소개하였다[5]. 각각의 열부하 조건은 0.17과 $0.3MW/m^2$이며, 중성자 조사는 D-T phase 에서만 고려되었다. 구조재 및 사용된 기능소재별 온도 요건을 정의하고, 성능해석 결과와 비교하였으며, 이를 통해 모든 온도 요건을 만족함을 최종 확인하였다. 이러한 온도 분포는 열응력 평가를 위해 구조해석 입력자료로 활용되었다.

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Evaluation of GaN Transistors Having Two Different Gate-Lengths for Class-S PA Design

  • Park, Jun-Chul;Yoo, Chan-Sei;Kim, Dongsu;Lee, Woo-Sung;Yook, Jong-Gwan
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제14권3호
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    • pp.284-292
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    • 2014
  • This paper presents a characteristic evaluation of commercial gallium nitride (GaN) transistors having two different gate-lengths of $0.4-{\mu}m$ and $0.25-{\mu}m$ in the design of a class-S power amplifier (PA). Class-S PA is operated by a random pulse-width input signal from band-pass delta-sigma modulation and has to deal with harmonics that consider quantization noise. Although a transistor having a short gate-length has an advantage of efficient operation at higher frequency for harmonics of the pulse signal, several problems can arise, such as the cost and export license of a $0.25-{\mu}m$ transistor. The possibility of using a $0.4-{\mu}m$ transistor on a class-S PA at 955 MHz is evaluated by comparing the frequency characteristics of GaN transistors having two different gate-lengths and extracting the intrinsic parameters as a shape of the simplified switch-based model. In addition, the effectiveness of the switch model is evaluated by currentmode class-D (CMCD) simulation. Finally, device characteristics are compared in terms of current-mode class-S PA. The analyses of the CMCD PA reveal that although the efficiency of $0.4-{\mu}m$ transistor decreases more as the operating frequency increases from 955 MHz to 3,500 MHz due to the efficiency limitation at the higher frequency region, it shows similar power and efficiency of 41.6 dBm and 49%, respectively, at 955 MHz when compared to the $0.25-{\mu}m$ transistor.

Differential Effect of MyD88 Signal in Donor T Cells on Graft-versus-Leukemia Effect and Graft-versus-Host Disease after Experimental Allogeneic Stem Cell Transplantation

  • Lim, Ji-Young;Ryu, Da-Bin;Lee, Sung-Eun;Park, Gyeongsin;Choi, Eun Young;Min, Chang-Ki
    • Molecules and Cells
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    • 제38권11호
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    • pp.966-974
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    • 2015
  • Despite the presence of toll like receptor (TLR) expression in conventional $TCR{\alpha}{\beta}$ T cells, the direct role of TLR signaling via myeloid differentiation factor 88 (MyD88) within T lymphocytes on graft-versus-host disease (GVHD) and graft-versus-leukemia (GVL) effect after allogeneic stem cell transplantation (allo-SCT) remains unknown. In the allo-SCT model of C57BL/6 ($H-2^b$) ${\rightarrow}$ B6D2F1 ($H-2^{b/d}$), recipients received transplants of wild type (WT) T-cell-depleted (TCD) bone marrow (BM) and splenic T cells from either WT or MyD88 deficient (MyD88KO) donors. Host-type ($H-2^d$) P815 mastocytoma or L1210 leukemia cells were injected either subcutaneously or intravenously to generate a GVHD/GVL model. Allogeneic recipients of MyD88KO T cells demonstrated a greater tumor growth without attenuation of GVHD severity. Moreover, GVHD-induced GVL effect, caused by increasing the conditioning intensity was also not observed in the recipients of MyD88KO T cells. In vitro, the absence of MyD88 in T cells resulted in defective cytolytic activity to tumor targets with reduced ability to produce IFN-${\gamma}$ or granzyme B, which are known to critical for the GVL effect. However, donor T cell expansion with effector and memory T-cell differentiation were more enhanced in GVHD hosts of MyD88KO T cells. Recipients of MyD88KO T cells experienced greater expansion of Foxp3- and IL4-expressing T cells with reduced INF-${\gamma}$ producing T cells in the spleen and tumor-draining lymph nodes early after transplantation. Taken together, these results highlight a differential role for MyD88 deficiency on donor T-cells, with decreased GVL effect without attenuation of the GVHD severity after experimental allo-SCT.

다중사용자 환경에서 비선형 전력증폭기로 인한 DS/CDMA의 순방향 성능 분석 (Performance of DS-CDMA forward Link Due to Nonlinear Power Amplifier in Multiuser Environment)

  • 최성호;목진담;손동철;김성철;정희창;조경록
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제10권4호
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    • pp.479-486
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    • 1999
  • 본 논문에서는 CDMA시스댐의 성능분석시 RF 측면에서의 요구사항인 낮은 전력소비를 만족시키기 위해 증폭기의 효율을 높히기 위한 비선형 전력 증폭기를 사용함에 있어서 증폭기의 비선형성 즉 AM-AM, AM-PM의 특성으로 인한 순방향의 성능 저하에 대한 분석을 하였다. CDMA 송수선기를 구성하여 시간영역에 서의 왜곡된 선호의 파형, 선호성좌 특성을 통해 증폭기의 진폭, 위상 비 선형성으로 인해 심볼간 간섭이나 위상 왜곡 등의 현상이 나타남을 알 수 있었다. 또한 주파수 영역에서의 전력스펙트럼밀도의 분석을 통해 진 폭특성의 비선형성으로 인해 평균선호전력이 28 dBm일 때 $\pm$1.98 MHz 에서의 대역외 방사성분은 선형전력 증폭기에 비해 약 3~4 dB 이상이 증가하였으며 스퓨리어스 성분의 경우 비선형 전력증폭기를 사용하였을 경 우 선형 증폭기를 사용한 경우에 비해 약 I5dB 이상의 측대파 재생이 큰 것을 알 수 있었다. 이러한 현상으 로인해 타 사용자와 이웃채널사용자의 간섭전력의 증가로 인한 BER 성능이 저하됨을 볼 수 있었다 이러한 분석방법은 전력증폭기의 비선형성뿐만 아니라 혼합기나 스위치 등과 같은 다른 비선형 부품의 특성으로 인 한 성능분석에도 적용할 수 있다.

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Mid-Span Spectral Inversion을 이용한 광 펄스 왜곡의 보상에서 전력 대칭을 통한 광대역 WDM 전송 (Wideband WDM Transmission through the Power Symmetry Method in the Mid-Span Spectral Inversion)

  • 이성렬;이윤현
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제12권7호
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    • pp.1157-1166
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    • 2001
  • 본 논문에서는 분산 천이 광섬유를 전송로로 채택한 10 Gbps, 20 Gbps, 40 Gbps 전송 시스템에서의 전력 대칭 MSSI(mid-span spectral inversion)에 의한 보상 정도를 변조된 광 펄스의 다양한 첩 파라미터에 따라 분석하였다. 우선 각각의 전송 속도에서 입력 전력 변화에 따른 수신단에서의 EOP(eye-opening penalty)를 계산하여 수신 성능을 양호하게 유지할 수 있는 최대 입력 전력의 크기를 첩 파라미터에 따라 살펴보았다. 또한 MSSI의 장거리 광대역 WDM 전송 시스템에의 적용 가능성을 확인해 보기 위하여 송신단부터 광 위상 공액기(OPC; optical phase conjugator)가지의 첫 번째 광섬유의 분산 계수 D$_{11}$ 변동에 따른 EOP의 고찰을 통해 수신 성능이 양호하게 유지될 수 있는 송신 과장의 범위를 살펴보았다. 본 논문에서 제안된 최적 펌프 전력 조건을 유지하는 MSSI 방법은 이상 분산(anomalous dispersion) 영역에서 변조 과정을 통해 광 펄스에 인가된 초기 첩이 up-chirp 인 경우보다 down-chirp인 경우에서 더욱 효과적임을 확인할 수 있었고. 장거리 WDM 전송에서 비트율에 따라 3.5 dBm 이상의 비교적 높은 전력으로 수~수 십 nm 이상의 광대역 전송이 가능하다는 것을 확인할 수 있었다.다.

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