• 한국전자파학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.401-410
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• 2014

본 논문에서는 1.3 GHz와 2.1 GHz에서 소형화된 multi-harmonic matching network(MHMN)을 사용한 고효율 동시-이중대역 Class-E 전력 증폭기를 제안한다. 제안하는 구조는 스위치 혹은 집중 소자를 사용하지 않고, transmission line만을 이용하여 1.3 GHz과 2.1 GHz 그리고 각각의 2차 및 3차 고조파의 임피던스를 조절하였다. 능동 소자로는 Avago ATF-50189 GaAs p-HEMT가 사용되었다. 제작된 전력증폭기는 입력 전력이 21 dBm일 때 1.3 GHz와 2.1 GHz에서 각각 27.1 dBm, 25.7 dBm의 출력과, 6.1 dB, 4.7 dB의 전력 이득, 그리고 71.2 %, 60.1 %의 드레인 효율 특성을 나타내었다.

• 대한전자공학회논문지TE
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• 제37권2호
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• pp.83-90
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• 2000

본 논문에서는 IMT2000 중계기용으로 1.88-1.98 ㎓ 대역 전력증폭기를 저 가격, 소형으로 개발하였다. 이 전력증폭기는 두 단으로 구성되어 있으며 초단은 P-HEMT (ATF-34143, 800 micron gate width, Agilent Technologies)를 사용하였으며, 종단은 GaAs FET(EFA240D-SOT89, 2400 micron gate width, Excelics Semiconductor)를 사용하였다. 개발된 전력 증폭기는 전체 주파수 대역인 1880-1980 ㎒에서 이득이 29.5㏈, 1㏈ gain compression point는 29.5dBm, 3rd order intercept point(OIP3)는 42dBm 그리고 입출력 return loss는 -10㏈/-l2㏈ 이다. 본 연구에서는 이 전력 증폭기를 설계하기 위하여 각 소자의 비선형 모델을 사용하여 전력증폭기의 여러 가지 비선형 특성을 설계할 수 있었으며, 이 전력 증폭기의 크기는 42(L) x 34(W) mm으로 소형화가 가능하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권5호
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• pp.675-681
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• 2016

A 41dB gain control range $6^{th}$-order band-pass receiver front-end (RFE) using CMOS switched frequency translated impedance (FTI) is presented in a 40 nm CMOS technology. The RFE consists of a frequency tunable RF band-pass filter (BPF), IQ gm cells, and IQ TIAs. The RF BPF has wide gain control range preserving constant filter Q and pass band flatness due to proposed pre-distortion scheme. Also, the RF filter using CMOS switches in FTI blocks shows low clock leakage to signal nodes, and results in low common mode noise and stable operation. The baseband IQ signals are generated by combining baseband Gm cells which receives 8-phase signal outputs down-converted at last stage of FTIs in the RF BPF. The measured results of the RFE show 36.4 dB gain and 6.3 dB NF at maximum gain mode. The pass-band IIP3 and out-band IIP3@20 MHz offset are -10 dBm and +12.6 dBm at maximum gain mode, and +14 dBm and +20.5 dBm at minimum gain mode, respectively. With a 1.2 V power supply, the current consumption of the overall RFE is 40 mA at 500 MHz carrier frequency.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.411-415
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• 2003

본 논문에서는 고주파 특성이 우수한 NEC사의 ne71300-N MESFET를 이용하여 24GHz 대역 국부 발진기용 주파수 체배기를 설계 및 제작하였다. 멀티하모닉 로드 풀 시뮬레이션을 통하여 최적의 고조파 소스ㆍ부하 임피던스를 선택하였다. 리플렉터를 이용하여 변환 이득을 개선할 수 있었고, 대역 저지필터를 이용하여 기본파와 3차 고조파 성분을 억제하였다. 측정한 결과 0dBm의 입력신호에ㆍ대해 출력주파수인 24GHz에서의 출력 전력은 -3.776dBm이고, 변환 이득은 0.736dB, 41.064dBc의 고조파 억압 특성을 얻었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권11호
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• pp.1271-1278
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• 2007

본 논문에서는 composite right/left-handed 전송 선로를 이용한 주파수 체배기를 제안하였다. 제안된 주파수 체배기의 left-handed 전송 선로는 기본 주파수($f_0$) 성분을 억압하였고, composite right/left-handed ${\lambda}/4$ 개방 스터브는 원하지 않는 고조파 신호 성분들을 제거하였다. Left-handed 전송 선로와 composite right/left-handed ${\lambda}/4$ 개방 스터브를 조합하여 사용함으로, 오직 3차 및 4차 고조파와 같은 원하는 고조파 신호들만을 효과적으로 얻을 수 있었다. 본 논문의 타당성을 보이기 위해 기본 주파수를 1 GHz로 하는 주파수 체배기를 설계하고, 측정하였다. 설계된 주파수 체배기의 입력 전력을 0 dBm으로 하였을 때, 측정된 3차 체배기와 4차 체배기의 출력 전력은 각각 -5.67 dBm과 -6.43 dBm이다.

• 한국광학회지
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• 제12권3호
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• pp.200-204
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• 2001

1530-1560nm와 1 570-1600nm 대역에서 이득을 갖는 640Gbps(10 Gbps$\times$64채널) 파장 다중화된 광신호 증폭용 유니트를 설계, 제작하고 특성을 측정하였다. 640Gbps 광신호 즈옥 유니트의 이득 블록은 최적 광출력 특성을 유지하고 이득 불록의 동작 상태를 감시할 수 있도록 마이크로 프로세서에 의해서 제어된다. 640 Gbps 광신호 증폭 유니트의 각 대역별 광증폭 유니트는 총 입력 광 세기 범위 -5~+1 dBm에서 이득 평탄도 1dB이내 잡음 지수 7.2dB 이내 +21dBm 이상의 고출력 특성을 갖는다.

• 한국항행학회논문지
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• 제13권1호
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• pp.48-53
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• 2009

본 논문은 1P8M CMOS $0.13{\mu}m$ 공정을 이용하여 GPS응용에 적합한 프론트-엔드(front-end)를 구현하였다. 저잡음 증폭기(LNA)는 능동 안테나와 수동 안테나를 지원하기 위해 높은 전압이득과 낮은 잡음지수(Noise Figure)의 LNA1모드와 낮은 이득과 높은 입력 3차 교차점(IIP3: 3rd Input Intercept Point)의 LNA2모드로 동작한다. 두 LNA의 측정된 성능은 1.2 V의 공급전압에서 각각 3.2/2 mA의 전류를 이용하여 16.4/13.8 dB 이득과, 1.4/1.68 dB NF, 그리고 -8/-4.4 dBm의 IIP3값을 갖는다. 쿼드 하향주파수 혼합기(quadrature downconversion 혼합기)는 트랜스임피던스 증폭기(transimpedance amplifier)와 가변저항을 이용하여 27.5 dB에서 41 dB의 변환이득을 갖는다. 프론트-엔드는 LNA1모드 동작 시 6.6 mW의 전력을 소모하여 39.8 dB의 변환이득, 2.2 dB의 잡음지수와 -33.4 dBm의 IIP3의 성능을 갖는다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권11호
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• pp.89-94
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• 2007

다양한 표준에서 사용이 가능한 송신기를 구성하기 위해서는 이에 적합한 송신기의 구조와 부품의 개발이 반드시 필요하다. 본 논문에서는 다양한 표준에서 사용이 가능한 전력 증폭기를 CMOS 0.25 um 공정을 사용하여 구현하였다. 설계된 전력 증폭기는 중간단의 정합을 바꿈으로써 0.9, 1.2, 1.75, 1.85 GHz의 주파수에서 동작하고, bonding wire를 활용하였을 때 2.4 GHz에서 동작한다. 중간단의 정합회로는 2개의 인덕터를 4개의 스위치가 제어하도록 구성되어 있다. 제안된 전력 증폭기는 낮은 전력을 요구하는 ZigBee나 Bluetooth 표준에서는 전력증폭기로 사용될 수 있고, 높은 전력을 요구하는 CDMA 표준에서는 구동증폭기로 사용이 가능하다. 설계된 전력 증폭기는 0.9 GHz에서 18.2 dB의 이득, 10.3 dBm의 출력 전력 특성을 보였으며, 1.75 GHz와 2.4 GHz에서는 10.3 dB, 18.1 dB의 이득, 5.2 dBm, 10 dBm의 출력 전력 특성을 나타내었다.

• ETRI Journal
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• 제33권3호
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• pp.462-465
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• 2011

A millimeter-wave (mm-wave) high-linear low-noise amplifier (LNA) is presented using a 0.18 ${\mu}m$ standard CMOS process. To improve the linearity of mm-wave LNAs, we adopted the multiple-gate transistor (MGTR) topology used in the low frequency range. By using an MGTR having a different gate-source bias at the last stage of LNAs, third-order input intercept point (IIP3) and 1-dB gain compression point ($P_{1dB}$) increase by 4.85 dBm and 4 dBm, respectively, without noise figure (NF) degradation. At 33 GHz, the proposed LNAs represent 9.5 dB gain, 7.13 dB NF, and 6.25 dBm IIP3.

• 전기전자학회논문지
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• 제3권1호
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• pp.69-78
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• 1999

본 논문에서는 우수 고조파 Anti-parallel 다이오드 링 혼합기를 이용한 직접변환 수신기를 설계하였다. 설계된 Anti-Parallel 다이오드를 사용한 SHP 혼합기는 LO 신호의 제 2 고조파를 이용한 혼합작용으로 LO신호원을 사용하는 대신에 1/2의 주파수를 갖는 저가의 LO신호원을 이용한다. 따라서, LO신호에 의한 낮은 스퓨리어스 특성과 넓은 주파수 대역에 걸쳐서 우수한 분리도 특성을 나타낸다. 또한, 링 형태의 혼합기는 고유의 LO신호에 대한 고조파 상쇄특성을 가지므로 RF 입력단을 통한 LO신호의 불요복사를 최대한으로 줄일 수 있다. 제작된 Anti-Parallel SHP 혼합기의 LO/IF, RF/IF와 LO/RF 분리도는 각각 24.6dB, 36.2dB 22.5dB로 우수한 특성을 나타내고 있다. 또한 링혼합기의 변환손실은 LO 신호전력이 5.5dBm일때, RF 입력전력 -20dBm에서, IF 출력은 -35.6dBm의 값을 얻었다. 따라서, 링혼합기의 변환손실은 약 15.6dB이고 또한, 1dB 압축점은 0dBm일 때 나타났다.