• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1277-1279
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• 1997

In this study, the mechanism underlying the corrosion problem have been investigated using X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and scanning electron microscopy(SEM), AES(Auger electron spectroscopy) In regard to the removal of Al-Cu corrsion, the subsequent treatment of the $SF_6$ plasma has also been completed. This work evaluated the effects of grain boundary on the AlCu after dry etching and the role of subsequent $SF_6$ plasma for the removal of AlCu corrosion.

• 대한치과보철학회지
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• 제30권4호
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• pp.481-492
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• 1992

Author measured the bonding strength between Dental Porcelain and Nonprecious Dental Alloy and analyzed diffusion Phenomena at the interfaceby by Auger electron spectroscopy and also Electron spectroscopy for Chemical Analysis. The each specimen was sputtered with Al, Cr, In and Sn. 1. Ni whic is the main element of the matris of dental nonprecious alloy diffuse more than the other element and the Ni diffusion rate of each specimen was well coordinated with the bonding strength of each. 2. The Sn thin film suppress the diffusion rate of Ni of matrix into the Dental Porcelain than the In or Cr thin films. 3. The Al thin film suppress the diffusion rate of Ni than the Sn thin film. 4. The main coponent of dental porcelain : Al, Si, Mo diffused into the matrix of alloy. It means that the each element of dental alloy and dental porelain diffused into the each other part.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.384-384
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• 2010

Zirconium oxynitride films were obtained by r.f. reactive magnetron sputtering of a zirconium target with nitrogen flow rate ranging from 0 to 60 sccm. The phases present in the films were determined by X-ray diffraction (XRD). Measurements of the oxidation state $ZrON_x$ films were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Auger electron spectroscopy (AES). Thickness of these samples was estimated by spectroscopic ellipsometry (SE) and scanning electron microscopy (SEM). We found that the surface morphology of $ZrON_x$ films measured by atomic force microscopy (AFM) was also depended on the nitrogen gas flow.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제17권12호
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• pp.1154-1157
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• 1996

The growth and electronic properties of ultrathin silver films deposited onto Pt(211) surface were studied using Auger electron spectroscopy (AES), low-energy electron diffraction (LEED), and x-ray photoelectron spectroscopy. The AES and LEED results indicate that the silver grows by a layer by layer growth followed by three dimensional islands growth. The XPS results show that the Ag 3d core-level binding energy of Ag overlayers on Pt(211) shifts toward lower binding energy relative to the bulk value at lower Ag coverage. This negative binding energy shift of the Ag 3d core level is explained by the reduced coordination number of the overlayer atoms and the resulting initial state band narrowing effect suggested by Wertheim and Citrin [Phys. Rev. Lett. 1978, 41, 1425].

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.110-110
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• 2015

표면에너지는 계면특성을 지배하는 핵심인자로 디스플레이의 터치 스크린 패널 공정, 이종소재의 접합, 금속의 클래딩 등 실제 산업에 있어서 매우 중요하다. 표면에너지는 코팅과 본딩 이론에 있어서 기본이 되는 물리량으로 표면에너지가 높을수록 코팅 또는 박막 증착시 코팅, 증착이 용이하며 이종소재의 접합도 쉽게 일어난다. 본 연구에서는 플라즈마 표면처리시 산소 분율의 변화에 따른 기판의 표면에너지와 코팅층과 기판의 부착력의 변화에 대해 연구하였다. 연구의 주요 기판으로 ITO, PET 기판을 사용하였고, 표면 에너지 변화를 확인하기 위해 기판을 상온 상압 플라즈마에 노출시켰다. 플라즈마는 아르곤(Ar)의 공급량을 20 LPM으로 고정하고 산소($O_2$)의 공급량을 0 sccm에서 40 sccm 까지 10 sccm 간격으로 변수를 주었다. 표면에너지 값은 기판 위에 형성된 액체의 접촉각을 통해 도출하였다. 표면에너지 측정 액체로 증류수(deionized water)와 디오도메탄(diiodo-methane)을 사용하였다. 표면에너지는 산소분압이 10 sccm에서 최대값인 76 mJ/m2으로 증가한 후 20 sccm까지 유지하다 다시 직선적으로 감소하였다. 기판에 증착된 크롬 박막의 부착력은 스크래치 테스트를 통해 측정하였다. 표면에너지의 증가와 비례하게 부착력은 증가하였고 표면에너지가 감소하는 범위에서는 부착력도 감소하였다. 기판과 코팅층의 부착력 증가 원인 중 하나인 계면 산화물 층의 생성 여부를 알아보기 위해 auger electron spectroscopy (AES) 분석을 진행하였다. AES 분석을 통해 플라즈마 표면처리시 기판과 코팅층의 계면 산화물층의 두께가 표면에너지의 변화와 비례하게 증가하였다가 감소하는 것을 확인하였다. 산소분압이 10 sccm 이었을 경우 산화물층의 두께가 가장 두꺼웠다. 또한 계면의 화학적 결합 상태를 알아보기 위해 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 분석을 진행하였으며 산소 분율의 변화에 따라 크롬 산화물의 양이 증가하였다 감소하는것을 확인하였다. 이 연구를 통해 산소를 포함한 플라즈마 표면개질이 기판과 코팅층의 부착력 증가에 영향을 끼침을 확인 할 수 있었다. 또한 이를 응용하여 부착력 증가가 필요한 다양한 분야에서도 쉽게 적용시킬 수 있을 것이다.

• 한국진공학회지
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• 제8권1호
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• pp.36-42
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• 1999

이온빔 스퍼터링 방법으로 n-type si 기판에 고팅된, 수소를 함유하지 않은 다이아몬드성 카본 필름의 전계 방출 특성을 조사하였다. 필름의 구조나 두께에 관계없이 전계 방출 전류는 양극과 시편의 표면사이에서 발생하는 electrical breakdown에 의해 현저히 증가하였으며, 이때의 effective work function은 약 0.1eV의 작은 값을 가지고 있었다. 텅스텐 tip을 이용하여 breakdown에 의해 발생한 시편표면의 손상수위 근처를 scanning 하면서 전계 방출 전류를 측정하여, 전계 방출이 일어나는 정확한 위치를 확인하였다. 전계 방출은 breakdown에 의해 발생한 표면 손상 부위의 모든 곳에서 균일하게 일어나는 것이 아니라 특정 부위에서 집중적으로 관찰되었다. Auger electron spectroscopy와 SEM을 이용한 분석을 통해 손상 부위 중 Si과 C의 화합물이 형성된 곳에서만 절계 방출이 일어나고 있음을 알 수 있었으며, 손상부위의 형상변화는 전계 방출의 충분조건이 아니었다. 본 연구의 결과는 breakdown에 의한 전기 방출 전류의 증가는 시편 표면의 형상 변화에 의한 전계증진의 효과보다는 표면에서 발생하는 화학적 결합의 변화에 기인하고 있음을 보여준다.

• 한국재료학회지
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• 제26권3호
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• pp.109-116
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• 2016

To achieve the fabrication of high-quality Ag-coated Cu particles through a wet chemical process, we reported herein pretreatment conditions using an ammonium-based mixed solvent for the removal of a $Cu_2O$ layer on Cu particles that were oxidized in air for 1 hr at $200^{\circ}C$ or for 3 days at room temperature. Furthermore, we discussed the results of post-Ag plating with respect to removal level of the oxide layer. X-ray diffraction results revealed that the removal rate of the oxide layer is directly proportional to the concentration of the pretreatment solvent. With the results of Auger electron spectroscopy using oxidized Cu plates, the concentrations required to completely remove 50-nm-thick and 2-nm-thick oxides within 5 min were determined to be X2.5 and X0.13. However, the optimal concentrations in an actual Ag plating process using Cu powder increased to X0.4 and X0.5, respectively, because the oxidation in powder may be accelerated and the complete removal of oxide should be tuned to the thickest oxide layer among all the particles. Back-scattered electron images showed the formation of pure fine Ag particles instead of a uniform and smooth Ag coating in the Ag plating performed after incomplete removal of the oxide layer, indicating that the remaining oxide layer obstructs heterogeneous nucleation and plating by reduced Ag atoms.

• 방사성폐기물학회지
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• 제6권1호
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• pp.17-23
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• 2008

이 연구에서는 플라즈마 제염 기술의 실용화를 위해 $CF_4/O_2$, $SF_6/O_2$, $NF_3$ 등의 반응성 플라즈마 기체를 이용하여 원자력 시설의 주요 오염원인 코발트 핵종에 대한 표면 제염 모의실험을 수행하였다. 디스크 형태의 금속코발트에 대하여 시편 표면 온도를 변수로 플라즈마 식각 실험을 수행한 결과 반응율은 $420^{\circ}C$에서 $NF_3$ 기체의 경우 $17.2\;{\mu}m/min.$ 그리고 $SF_6$와 $CF_6/O_2$ 기체의 경우 각각 $2.56\;{\mu}m/min.$과 $1.14\;{\mu}m/min.$이었으며, 이들 반응의 활성화에너지는 각각 39.4 kJ/mol, 42.1 kJ/mol, 116.0 kJ/mol이었다. 이와 함께 AES (Auger Electron Spectroscopy)를 이용하여 반응 생성물 성분 분석 결과 이들 반응의 주요 반응 기구는 코발트의 불화 반응임이 밝혀졌다. 이 연구를 통해 확보된 $17\;{\mu}m/min.$의 금속 표면 식각율은 주요 반도체 공정의 식각율을 뛰어넘는 높은 식각율로 플라즈마 제 염 기술의 실용화를 앞당길 수 있는 고무적인 결과라 할 수 있을 것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.175.1-175.1
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• 2015

CuSn thin films were deposited by rf magnetron co-sputtering method with pure Cu and Sn metal targets with a variety of rf powers. CuSn thin films were studied with a surface profiler (alpha step), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray induced Auger electron spectroscopy (XAES), X-ray diffraction (XRD), and contact angle measurement. The thickness of CuSn thin films was fixed at $200{\pm}10nm$ and deposition rate was calculated by the measured with a surface profiler. From the survey XPS spectra, the characteristic peaks of Cu and Sn were observed. Therefore, CuSn thin films were successfully synthesized on the Si (100) substrate. The oxidation state and chemical environment of Cu and Sn were investigated with the binding energy regions of Cu 2p XPS spectra, Sn 3d XPS spectra, and Cu LMM Auger spectra. Change of the crystallinity of the films was observed with XRD spectra. Using contact angle measurement, surface free energy (SFE) and wettability of the CuSn thin films were studied with distilled water (DW) and ethylene glycol (EG).

• 한국진공학회지
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• 제11권3호
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• pp.171-175
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• 2002

Indium-Tin-Oxide(ITO)에 대해 산소 플라즈마 처리를 한 후 일함수에 대한 변화를 $\gamma$-집속 이온빔을 사용하여 조사하였다. ITO의 표면이 산소 플라즈마 처리를 보다 많이 경험할수록 표면저항이나 일함수는 높아졌다. Auger 전자 분광법을 이용해 표면의 화학적 분석을 해본 결과 산소는 증가한 반면 주석은 감소하였다. 표면 일함수와 표면 저항의 증가는 ITO 표면에서의 산소와 주석의 변화와 관계가 있는 것으로 여겨진다.