• 제목/요약/키워드: Asymmetric ratio

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비대칭 이중게이트 MOSFET에서 상단과 하단 산화막 두께비가 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향 (Influence of Ratio of Top and Bottom Oxide Thickness on Subthreshold Swing for Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권3호
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    • pp.571-576
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    • 2016
  • 비대칭 이중게이트 MOSFET는 다른 상하단 게이트 산화막 두께를 갖는다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압이하 스윙 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 문턱전압이하 스윙은 전도중심에 따라 변화하며 전도중심은 상하단의 산화막 두께에 따라 변화한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 문턱전압이하 스윙의 저하 등 단채널효과를 감소시키기에 유용한 소자로 알려져 있다. 포아송방정식의 해석학적 해를 이용하여 문턱전압이하 스윙을 유도하였으며 상하단의 산화막 두께 비가 전도중심 및 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향을 분석하였다. 문턱전압이하 스윙 및 전도중심은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 하단 게이트 전압은 문턱전압이하 스윙에 큰 영향을 미치며 하단게이트 전압이 0.7V 일 때 $0<t_{ox2}/t_{ox1}<5$의 범위에서 문턱전압이하 스윙이 약 200 mV/dec 정도 변화하는 것을 알 수 있었다.

4MV 선형가속기에서의 비대칭 콜리메이터의 선량측정 (Dosimetric Measurement for 4MV X-Ray Linear Accelerator with Asymmetric Collimator System)

  • 이병용;최은경;장혜숙
    • 한국의학물리학회지:의학물리
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    • 제1권1호
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    • pp.69-73
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    • 1990
  • Dosimetric measurement of an asymmetric collimator system was performed, using water phantom system for 4MV X-ray linear accelerator. We have studied the system of dose calculation with those measured result. We compared the field size factor and the percent depth dose for asymmetric collimator to those factor for symmetric fields. The results show that we can use symmetric field data directly within 1% error, if we consider the off axis ratio(OAR).

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Optimization of a 3-D Thermally Asymmetric Rectangular Fin

  • 강형석
    • Journal of Mechanical Science and Technology
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    • 제15권11호
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    • pp.1541-1547
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    • 2001
  • The non-dimensional fin length for optimum heat loss from a thermally asymmetric rectangular fin is represented as a function of the ratio of the bottom surface Biot number to the top surface Biot number, fin tip surface Biot number and the non-dimensional fin width. Optimum heat loss is taken as 98% of the maximum heat loss. For this analysis, three dimensional separation of variables method is used. Also, the relation between the ratio of the bottom surface Biot number to the top surface Biot number and the ratio of the right surface Biot number to the left surface Biot number is presented.

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Optimization of a Thermally Asymmetric Rectangular Fin: Based on Fixed Fin Height

  • Kang, Hyung-Suk
    • International Journal of Air-Conditioning and Refrigeration
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    • 제13권3호
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    • pp.145-151
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    • 2005
  • A thermally asymmetric straight rectangular fin is analysed and optimized using the two-dimensional separation of variables method. The optimum heat loss is presented as a function of bottom to top Biot number ratio, fin base length and top Biot number. Decreasing rate of the optimum fin length with the increase of the fin base length is listed. The optimum fin tip length is shown as a function of bottom to top Biot number ratio, fin base length and tip to top Biot number ratio. One of the results shows that the optimum heat loss and the actual optimum fin length decrease while the optimum fin tip length increases as the fin base length increases.

비대칭 DGMOSFET에서 채널길이와 두께 비에 따른 DIBL 의존성 분석 (Dependence of Drain Induced Barrier Lowering for Ratio of Channel Length vs. Thickness of Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제19권6호
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    • pp.1399-1404
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    • 2015
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상의 변화에 대하여 분석하고자한다. 드레인 전압이 소스 측 전위장벽에 영향을 미칠 정도로 단채널을 갖는 MOSFET에서 발생하는 중요한 이차효과인 드레인 유도 장벽 감소는 문턱전압의 이동 등 트랜지스터 특성에 심각한 영향을 미친다. 드레인 유도 장벽 감소현상을 분석하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수형태의 전위분포를 유도하였으며 차단전류가 10-7 A/m일 경우 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 단채널 효과를 감소시키면서 채널길이 및 채널두께를 초소형화할 수 있는 장점이 있으므로 본 연구에서는 채널길이와 두께 비에 따라 드레인 유도 장벽 감소를 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소현상은 단채널에서 크게 나타났으며 하단게이트 전압, 상하단 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑 농도 등에 따라 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.

Effect of rigid connection to an asymmetric building on the random seismic response

  • Taleshian, Hamed Ahmadi;Roshan, Alireza Mirzagoltabar;Amiri, Javad Vaseghi
    • Coupled systems mechanics
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    • 제9권2호
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    • pp.183-200
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    • 2020
  • Connection of adjacent buildings with stiff links is an efficient approach for seismic pounding mitigation. However, use of highly rigid links might alter the torsional response in asymmetric plans and although this was mentioned in the literature, no quantitative study has been done before to investigate the condition numerically. In this paper, the effect of rigid coupling on the elastic lateral-torsional response of two adjacent one-story column-type buildings has been studied by comparison to uncoupled structures. Three cases are considered, including two similar asymmetric structures, two adjacent asymmetric structures with different dynamic properties and a symmetric system adjacent to an adjacent asymmetric one. After an acceptable validation against the actual earthquake, the traditional random vibration method has been utilized for dynamic analysis under Ideal white noise input. Results demonstrate that rigid coupling may increase or decrease the rotational response, depending on eccentricities, torsional-to-lateral stiffness ratios and relative uncoupled lateral stiffness of adjacent buildings. Results are also discussed for the case of using identical cross section for all columns supporting eachplan. In contrast to symmetric systems, base shear increase in the stiffer building may be avoided when the buildings lateral stiffness ratio is less than 2. However, the eccentricity increases the rotation of the plans for high rotational stiffness of the buildings.

그루브형상을 고려한 빗살무늬저널베어링의 유한요소해석 (An Analysis of Herringbone Groove Journal Bearing Considering Groove Shape)

  • 신동우;임윤철
    • 한국윤활학회:학술대회논문집
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    • 한국윤활학회 1999년도 제29회 춘계학술대회
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    • pp.162-169
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    • 1999
  • Herringbone groove journal bearing (HGJB) is developed to improve the static and dynamic performances of hydrodynamic journal bearing. Conventional studies on HGJB were based on the Narrow Groove theory assuming that the number of grooves approaches infinity. In this study, an oil lubricated HGJB is analyzed using Finite Element Method. Load carrying capacity, attitude angle, stiffness and damping coefficients are obtained numerically for various bearing configurations especially for the inclined width ratio and asymmetric ratio and compared with the results obtained using Finite Volume Method. The bearing load and stability characteristics are dependent on geometric parameters such as inclined width ratio, asymmetric ratio, groove depth ratio, groove width ratio, groove angle.

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그루브형상을 고려한 빗살무늬저널베어링의 유한요소해석 (An Analysis of Herringbone Groove Journal Bearing Considering Groove Shape)

  • 신동우;임윤철
    • Tribology and Lubricants
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    • 제16권6호
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    • pp.425-431
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    • 2000
  • Herringbone groove journal bearing (HGJB) is developed to improve the static and dynamic performances of hydrodynamic journal bearing. Conventional studies on HGJB were based on the Narrow Groove theory assuming that the number of grooves approaches infinity. In this study, an oil lubricated HGJB is analyzed using Finite Element Method. Load carrying capacity, attitude angle, stiffness and damping coefficients are obtained numerically for various bearing configurations especially for the inclined width ratio and asymmetric ratio and compared with the results obtained using Finite Volume Method. The bearing load and stability characteristics are dependent on geometric parameters such as inclined width ratio, asymmetric ratio, groove depth ratio, groove width ratio, and groove angle.

비대칭 DGMOSFET의 상하단 산화막 두께비에 따른 터널링 전류 분석 (Analysis of Tunneling Current of Asymmetric Double Gate MOSFET for Ratio of Top and Bottom Gate Oxide Film Thickness)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권5호
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    • pp.992-997
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    • 2016
  • 본 논문에서는 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 산화막 두께비에 대한 터널링 전류의 변화에 대하여 분석하고자 한다. 채널길이가 5 nm까지 감소하면 차단전류에서 터널링 전류의 비율이 크게 증가하게 된다. 이와 같은 단채널효과는 상하단 게이트 산화막 구조를 달리 제작할 수 있는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서도 발생하고 있다. 본 논문에서는 상하단 게이트 산화막 두께비 변화에 대하여 차단전류 중에 터널링 전류의 비율 변화를 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압을 파라미터로 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 이를 위하여 포아송방정식으로부터 해석학적 전위분포를 구하였으며 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 상하단 산화막 두께비에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압 등의 파라미터에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.

Heat Transfer from each surface for a 3-D Thermally Asymmetric Rectangular Fin

  • Kang, Hyung Suk
    • Journal of the Korean Society for Industrial and Applied Mathematics
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    • 제4권2호
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    • pp.153-163
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    • 2000
  • The non-dimensional convective heat losses from each surface are investigated as a function of the non-dimensional fin length, width and the ratio of upper surface Biot number to bottom surface Biot number (Bi2/Bi1) using the three-dimensional separation of variables method. Heat loss ratio in view of each surface with the variation of Bi2/Bi1 is presented. The variation of the non-dimensioal temperare profile along the fin center line for a thermally asymmetric conditions is also presented.

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