Limiting thermal exposure time using rapid thermal processing(RTP) has emerged as promising simplified process for manufacturing of solar cell in a continuous way. This paper reports the simplification of co-firing using RTP. Actual temperature profile for co-firing after screen printing is a key issue for high-quality metal-semiconductor contact. The plateau time during the firing process were varied at $450^{\circ}C$ for 10~16 sec. Glass frit in Ag paste etch anti-reflection layer with plateau time. Glass frit in Ag paste is important for the Ag/Si contact formation and performances of crystalline Si solar cell. We achieved 17.14% efficiency with optimum conditions.
Keeping the polarization direction of the projection light unchanged is of crucial importance for high quality of images on a double-screen 3D projection display system. It has been found that the deposition of oxide layers on the surfaces of scattering polarizer film results in an improvement of polarization maintenance property of the film. The secondary image formed on the front screen by the light scattered from the rear screen decreases by 30% through the application of oxide layers on both surfaces of the screen. Since the oxide layer can also be used as an anti-reflection (AR) coating of the film, this method is very effective for the projection display applications.
In this study, oxide/metal/oxide-type transparent electrodes based on Al and ZnO were investigated. Thin films of these materials were sputter-deposited at room temperature. To evaluate the thickness dependence of the oxide layers, the top and bottom ZnO layers were varied in the range of 5~80 nm and 2.5~20 nm, respectively. When the thicknesses of the top and bottom ZnO layers were fixed at 30 nm and 2.5 nm, a maximum transmitance of 66% and sheet resistance of $16.5{\Omega}/{\square}$ were achieved, which is significantly improved compared with the Al layer without top and bottom ZnO layers showing a maximum transmitance of 44.3% and sheet resistance of $44{\Omega}/{\square}$.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1415-1417
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2009
High transmittance and low resistance index matched transparent conducting oxide (IMTCO) coated glass was prepared and characterized. IMTCO was deposited by RF magnetron sputtering with the thickness of 15nm and 90nm thick anti-reflection layer was evaporated. To modify surface to hydrophilic, in-situ plasma treatment was also performed. IMTCO coated glass exhibited 96.6% of transmittance in the wavelength range of 400~700nm which is relatively high value compared to commercially available IMTCO glass. The sheet resistance uniformity was measured to be 1.53%.
Herein, the Magneto-Optical Kerr Effect (MOKE) signal enhancement in nanostructures in investigated. It is well known that the MOKE signals of ferromagnetic thin films are enhanced with an additional dielectric layer due to multiple reflections. The MOKE signal is modulated with the additional dielectric layer thickness and is at a maximum when reflectivity is at a minimum. This is not always true in the nanostructures due to the contribution from the non-magnetic substrate portion, especially when substrate reflectivity is minimized and the dependence of the additional dielectric layer thickness for the nanostructure is changed in the case of the continuous thin film. We showed that the MOKE signal for nanostructures could be enhanced with a properly designed, dielectric layer in addition to the anti-reflection coated substrates.
In this study, we discussed the optical property to find the optimal condition of Te-based antireflection trilayer(ART) structure for a high density optical recording. It was found that the optical property was improved by suggesting the environmental parameters satisfied the optimum condition. As the results, the optimized(.lambda.=8.000${\AA}$.) thickness of the recording layer is 27${\AA}$, and the 1st and 2nd minimum ART conditions of dielectric layers are 1080${\AA}$, 3820${\AA}$, respectively. And the high SNR, the contrast ratio and the sensitivity are achieved by using the ART conditions.
태양전지 모듈의 효율 상승을 위한 한 가지 방법으로써 태양전지 모듈에 보호층으로 사용되는 고분자 플레이트 및 보호 유리층 등에 저반사 효과를 갖는 나노급 크기의 패턴을 형성 하였다. PVC, PMMA 등의 고분자 소재의 보호층은 hot-embossing의 방법을 사용하여 표면에 반사방지막을 형성하였으며, 양면 동시 엠보싱 방법을 사용하여 그 효율을 높이고자 하였다. 또한 저철분 유리판 위에 nano-imprinting 공정을 사용한 고분자 패턴을 형성함으로써 반사 방지효과를 얻고자 하였다. 또한, 형성된 패턴의 내구성을 측정함으로써 태양전지 모듈에의 적용 가능성을 확인 하였다.
In this study, we analyze the electrical optical characteristics of transparent glass for photovoltaic and glass-glass module application. The elemental facts from raw glass to laminated glass with solar cells are analyzed using UV spectrophotometer and spectroradiometer. From the data of transmittance and reflectance, the optimum PV module processing condition and selection of material for fabrication should be considered deeply for obtaining high module efficiency. Also we introduce two glasses which has 2%$\sim$4% higher transmittance using coating technology with anti-reflection material. From this experiment, we try to give some basic information for PV module manufacturing industry. The detail description is specified as the following paper.
Recently there was a proposal for a spin filter by using the spin superlattice structure. In a certain energy range, the proposed structure exhibits a high spin filtering efficiency close to 100%. Unfortunately such energy range turns out to be narrow. In this paper, we report a method to widen the energy range by using an analogy to optical anti-reflection coating. In optics, it is well known that a stack of alternating layers of two dielectric materials can function as a highly transmissive or reflective filter for wide range of wavelength. Since electrons also have wave character as light, it would be possible to make an electronic analog of an optical filter. We demonstrate that alternating layers of two materials with different g-factors can function as a spin filter that allows electrons to be transmitted only when their spins point towards a certain particular direction. This spin-superlattice-based spin filter operates in wide energy ranges, curing the problem in the previous proposal.
InSb (III-V compound semiconductor) is used for photodiode to detect the mid-wavelength infrared radiation. Generally the quantum efficiency of InSb IR FPAs(Focal Plane Arrays) is known to be determined by thickness of InSb and transmittance of anti-reflection coating layer. In this study, we confirmed that the C-V characteristics of detector array affects the quantum efficiency of the InSb IR FPAs. We fabricated the IR FPAs with various $V_{fb}$(flat band voltage) values and confirmed the tendency between the $V_{fb}$ value and quantum efficiency of the IR FPAs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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