CMP (chemical mechanical polishing) process remained to solve several problems in deep sub-micron integrated circuit manufacturing process. especially consumables (polishing pad, backing film, slurry, pad conditioner), one of the most important components in the CMP system is the slurry. Among the composition of slurries (buffer solution, bulk solution, abrasive particle, oxidizer, inhibitor, suspension, antifoaming agent, dispersion agent), the abrasive particles are important in determining polish rate and planarization ability of a CMP process. However, the cost of abrasives is still very high. So, in order to reduce the high COO (cost of ownership) and COC (cost of consumables) in this paper, we have collected the silica abrasive powders by filtering after subsequent CMP process for the purpose of abrasive particle recycling. And then, we have studied the possibility of recycle of reused silica abrasive through the analysis of particle size and hardness. Also, we annealed the collected abrasive powders to promote the mechanical strength of reduced abrasion force. Finally, we compared the CMP characteristics between self-developed KOH-based silica abrasive slurry and original slurry. As our experimental results, we obtained the comparable removal rate and good planarity with commercial products. Consequently, we can expect the saving of high cost slurry.
Recently, the recycle of CMP (chemical mechanical polishing) slurries have been positively considered in order to reduce the high COO (cost of ownership) and COC (cost of consumables) in CMP process. Among the composition of slurries (buffer solution, bulk solution, abrasive particle, oxidizer, inhibitor, suspension, antifoaming agent, dispersion agent), the abrasive particles are one of the most important components. Especially, the abrasive particles of slurry are needed in order to achieve a good removal rate. However, the cost of abrasives, is still very high. In this paper, we have collected the silica abrasive powders by filtering after subsequent CMP process for the purpose of abrasive particle recycling. And then, we have studied the possibility of recycle of reused silica abrasive through the analysis of particle size and hardness. Also, we annealed the collected abrasive powders to promote the mechanical strength of reduced abrasion force. Finally, we compared the CMP characteristics between self-developed KOH-based silica abrasive slurry and original slury, As our experimental results, we obtained the comparable removal rate and good planarity with commercial products. Consequently, we can expect the saving of high cost slurry.
CMP(chemical mechanical polishing) process has been attracted as an essential technology of multi-level interconnection. However, the COO(cost of ownership) is very high, because of high consumable cost. Especially, among the consumables, slurry dominates more than 40 %. So, we focused how to reduce the consumption of raw slurry. In this paper, We have studied the CMP (chemical mechanical polishing) characteristics of slurry by adding of raw alumina abrasive and annealed alumina abrasive. As a experimental results, we obtained the comparable slurry characteristics compared with original silica slurry in the view point of high removal rate and low non-uniformity. Therefore, we can reduce the cost of consumables(COC) of CMP process for ULSI applications.
In this paper, We have studied the CMP (chemical mechanical polishing) characteristics of diluted slurry by adding of raw alumina abrasive and annealed alumina abrasive. As a experimental results, we obtained the comparable slurry characteristics compared with original silica slurry in the view point of high removal rate and low non-uniformity. Therefore, we can reduce the cost of consumables(COC) of CMP process for ULSI applications.
본 연구에서는 섬유의 표면 거칠기를 조사하기 위하여 tetraethyl orthosilicate, 에탄올, 증류수 및 염산의 혼합 용액을 이용하여 실리케이트 섬유를 제조하였다. $80^{\circ}C$에서 증발시킨 점성용액으로부터 섬유를 인상하여 제조하였으며, 건조된 겔 섬유는 건조공기를 흘려보내며(flow rate = ∼200 m1/min) $1000^{\circ}C$, $1100^{\circ}C$, $1200^{\circ}C$ 및 $1300^{\circ}C$로 60분간 최종열처리를 행하였다 열처리된 섬유의 결정화도는 X-선 회절 $\theta$-2$\theta$ 분석을 통하여 행하였으며, 표면 특성을 조사하기 위하여 전계 방사 주사 전자현미경과 원자간력 현미경을 이용하였다. $1300^{\circ}C$로 열처리된 실리케이트 섬유는 높은 root mean square 거칠기 값을 보였으며, 비교적 불균질한 표면 구조를 가지고 있었다.
본 연구는 황과 가교 촉진제의 함량이 달리 적용된 acrylonitrile styrene-butadiene rubber (AN-SBR)/silica 컴파운드가 타이어 트레드 컴파운드의 특성에 미치는 영향에 대해 연구하였다. 실험 결과, 가교제 및 가교촉진제의 함량이 증가할수록 가교 반응성이 증대되어 가교속도 및 컴파운드의 가교도가 상승하였다. 또한 내마모 특성 뿐만 아니라 경도, 모듈러스와 같은 컴파운드의 기계적 특성은 높은 가교도에 기인하여 향상되었다. 동적 점탄 특성에서는 가교도의 증가와 함께 유리전이온도 ($T_g$)가 상승하여 $0^{\circ}C$ 영역에서의 tan ${\delta}$ 값이 향상되었고, $60^{\circ}C$ 영역에서의 tan ${\delta}$ 값이 감소되었다. 초기 가교 속도 ($t_1$)는 $60^{\circ}C$의 tan ${\delta}$ 값과 선형적인 관계를 나타내었다. 이는 가교제의 증량으로 초기 가교 속도 ($t_1$)가 빨라져 조기에 가교가 시작됨으로써 filler network 의 발달을 억제시킨 결과에 따른 것으로 판단된다. 이러한 결과는 AFM (atomic force microscopy)을 통하여 열처리된 컴파운드의 표면 관찰에서도 확인할 수 있었다. 따라서, 빠른 초기 가황 반응에 기인한 실리카의 re-agglomeration 감소는 $60^{\circ}C$에서의 tan ${\delta}$를 결정하는 매우 중요한 변수임을 알 수 있다.
목적: 본 논문은 저온열처리로 비결정 또는 결정 ZnO 박막의 UV emission 가능하다는 것이다. 방법: 화학적 용액법을 이용하여 소다-라임-실리카 유리 위에 100, 150, 200, 250 및 $300^{\circ}C$로 열처리하여 비정질 및 나노 결정질 ZnO 박막을 제조하였으며, 박막의 성장 특성 및 광학적 특성을 X-선 회절 분석법, 자외선-가시광선-근적외선 분광법 및 발광분석법을 통하여 분석하였다. 결과: $100^{\circ}C{\sim}200^{\circ}C$에서 60분간 열처리된 박막은 비정질 특성을 나타내고 있었으며, $250^{\circ}C$ 및 $300^{\circ}C$로 열처리된 박막에서는 ZnO 결정상이 나타났다. 비정질 ZnO 박막의 PL분석에 의하면 매우 강한 Near-band-edge emission이 나타났으며, Green emission은 거의 검출되지 않았다. 결론: 앞으로는 저온에서 ZnO 광전자소자를 쉽게 제조할 수 있을 것이다.
본 연구에서는 용매 증기 하에서 박막으로 제조된 polystyrene-poly(1,4-butadiene) 블록공중합체(PS-b-PBD)의 모폴로지 형성과 특성이 원자주사현미경(AFM)을 사용하여 연구되었다. 사이클로헥산으로만 용매 어닐링된 박막의 경우 폴리스티렌의 매트릭스 내부에 PBD가 미세상을 형성하는 perforated lamellae가 형성되었지만, n-헥산만으로 용매 어닐링 된 박막은 불규칙한 패턴만이 관측되었다. 그러나 사이클로헥산과 n-헥산의 혼합 용매를 사용하여 용매 어닐링할 경우 기질에 수직으로 배향된 라멜라가 관측되었다. 이러한 모폴로지 전이는 혼합 용매의 혼합비에 의해 조절되며 n-헥산의 양이 증가하면서 라멜라의 형성이 뚜렷이 관측되었다. 그러나 용매 어닐링에 사용된 혼합 용매 중 n-헥산의 주요 성분이 될 경우 n-헥산의 PBD로의 용매 친화력에 의해 모폴로지 형성이 오히려 지연되는 것을 확인하였다. 이러한 사이클로헥산과 n-헥산의 혼합비에 따른 모폴로지 전이는 블록공중합체에 대한 두 용매들의 친화력과 관련 있으며, 이를 이해하기 위해 이들의 용해도 상수 및 Flory 상호인력 인자들이 고려되었다. 또한 본 연구로부터 얻어진 두 가지 모폴로지를 이용하여 실리카 나노 패턴의 제조를 위한 템플레이트로 활용하였다.
$80SiO_2-20TiO_2$(mol%)의 무색투명한 비정질 박막을 현미경용 슬라이드 유리판과 사파이어 위에 tetraethyl orthosilicate와 titanium trichloride의 전구체 용액을 사용하여 스핀코팅방법으로 제조하였다. 코팅 후 $750^{\circ}C$에서 열처리된 박막은 높은 투과율과 낮은 반사율을 보였다. 슬라이드 유리판에 코팅한 $SiO_2-TiO_2$ 박막의 경우에 나트륨이온과 산소 간의 강한 상호작용에 의하여 고온과 높은 습도에서도 안정성이 우수하였다.
Ti-나프텐산염과 금속을 출발원료로 사용하고, 스핀코팅-열분해법을 이용하여 실리카 유리위에 박막을 제조하였다. 도포된 박막은 $500^{\circ}C$ 공기에서 10min동안 열처리하였다. 이를 5회 코팅한 박막은 마지막으로 공기에서 $600^{\circ}C$에서 30min으로 하였다. 박막의 특성을 분석하기 위하여 X-선 회절 분석, 전자현미경, UV스펙트럼을 이용하여 분석하였다. 밴드갭에서 가장 큰 장파장 쪽으로 이동은 Fe을 도핑한 $TiO_2$ 박막이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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