Acid amplifiers derived from a certain class of sulfonates suffer from autocatalytic decomposition in the presence of a strong acid to give corresponding sulfonic acid, which catalyze the composition of the parent sulfonates, leading to the liberation of more of the same sulfonic acids in an exponential manner. In this research we synthesized and evaluated 4-hydroxy-4'-(2-trifluoromethyl)benzenesulfonyloxy isopropylidene dicyclohexane (1), 4,4'-di-(2-trifluoromethyl)benzenesulfonyloxy isopropylidene dicyclohexane (2), 4-hydroxy-4'-(3-trifluoromethyl)benzenesulfonyloxy isopropylidene dicyclohexane (3) and 4,4-di-(3-trifluoromethyl)benzenesulfonyloxy isopropylidene dicyclohexane (4) as novel acid amplifiers with electron withdrawing group. These acid amplifiers (1-4) showed reasonable thermal stability for resist processing temeprature and exhibited higher photosensitivity compared to poly(tert-butyl methacrylate) film without acid amplifiers. Application of acid amplifiers to photofunctional materials, including photoresists, are described as a consequence of the combination of the acid amplifiers with photoacid generator.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제9권4호
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pp.257-265
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2009
Recent progress in development of CMOS power amplifiers for mobile terminals is reviewed, focusing first on switching mode power amplifiers, which are used for transmitters with constant envelope modulation and polar transmitters. Then, various transmission line transformers are evaluated. Finally, linear power amplifiers, and linearization techniques, are discussed. Although CMOS devices are less linear than other devices, additional functions can be easily integrated with CMOS power amplifiersin the same IC. Therefore, CMOS power amplifiers are expected to have potential applications after various linearity and efficiency enhancement techniques are used.
An acid amplifier is defined as an acid-generating agent which is decomposed autocatalytically to produce new strongly acidic molecules in a non-liner manner, The addition of the acid amplifiers to conventional chemically amplified photoresists consisting of photoacid generators and acid-sensitive polymers result in the improvement of photosensitivity due to the amplified generation of catalytic acid molecules as a result of the decomposition of acid amplifiers. We synthesized and evaluated 1-hydroxy-4-tosyloxy cyclohexane(AA-1) and 1,4-ditosyloxy cyclohexane(Ah-2) as novel acid amplifiers. The acid amplifiers(AA-1, AA-2) showed reasonable thermal stability for resist processing temperature. As estimated by the sensitivity curve, tort-butyl methacrylate homopolymer(ptBMA) film doped with AA-1 or 2 exhibited much higher photosensitivity than ptBMA film without AA-1 or 2. And AA-1 showed higher effect than AA-2 on enhancing photosensitivity of ptBMA film.
We propose a method for driving loudspeakers from class D audio power amplifiers in current mode, instead of in conventional voltage mode, which was impossible with the feedback circuitry. Unlike analog audio amplifiers, Class D audio power amplifiers have signal delay between the input and output signals, which makes it difficult to apply the feedback circuitry for current-mode driving. The idea of the pre-distortion scheme used for the compensation of the non-linearity of RF power amplifiers is adapted to remedy the impedance variation effect of the loudspeakers for current driving. The method uses the speaker model for the pre-distorter to compensate for the speaker impedance variation with frequency. The simulation and test results confirms the validity of the proposed method.
부궤환증폭기의 잡음지수를 해석하는데 있어서, 부궤환증폭기를 기본증폭기와 궤환회로망으로 나누어서 신호전달을 2원적으로 생각하였다. 이 개념으로 일반적이고 기븐적인 4가지 형태의 부궤환증폭기의 잡음지수 해석에 간편한 잡음등가회로 모델을 유도하고, 이를 이용하여 각 경우에 대한 잡음지수를 구하였다. 이 이론을 적용하는 한 보기로, 트란지스터로서 4가지 각각의 부궤환증폭기를 구성하여, 이 이론을 이들의 잡음지수를 구하는데 적용 하였다. 잡음지수의 이론치와 실험치 간에는 약 11%의 오차 범위 내에서 이론의 타당성을 보였으며, 그리고 회로구성 및 오차에 대하여 검토하였다.
본 논문은 마이크로스트립이나 코플래너 웨이브가이드와 같은 평면형 전송선로의 접지면에 결함 접지 구조(defected ground structure, DGS)를 식각하여 증폭기 의 길이를 줄이는 방법을 제시한다. DGS에 기인하여 발생하는 부가적인 등가의 L-C 성분에 의하여 전파 지연 특성이 표준형 전송선로보다 더욱 크게 나타나는데, 이로 인하여 DGS를 포함한 전송선로의 전기적 길이가 DGS가 없는 동일한 물리적 길이의 전송선로보다 더욱 길다는 점을 이용한다. 즉, 동일한 전기적 길이를 유지하기 위하여 DGS를 삽입한 후 전송선로의 물리적 길이를 줄일 수 있다는 것이 본 논문에서 이용하는 주개념이다. 원래의 전송선로가 증폭기 정합회로의 어느 부분이라고 할 때, DGS를 삽입하고 물리적 길이를 줄임으로써 전기적 길이를 원래 선로와 같게 맞추면 원증폭기의 정합과 성능을 그대로 유지할 수 있다. 제시된 방법을 검증하기 위하여 마이크로스트립, CPW 각각에 대하여 원증폭기를 제작하고, 다시 DGS를 이용하여 길이를 줄인 증폭기를 제작하였다. 그리고 이들 증폭기 정합회로에 포함된 원래의 전송선로와 DGS를 삽입하여 길이를 줄인 전송선로도 각각 제작하였다. 측정된 결과들은 DGS에 의하여 길이가 줄어든 증폭기의 성능이 원증폭기의 성능과 거의 같음을 보여주고 있다. 또한 DGS를 삽입하여 길이를 줄여준 전송선로의 측정된 전기적 길이도 원선로와 거의 유사함을 보여주고 있다.
본 논문에서는 위성중계기용 Ku-대역 증폭기에 사용되어질 수 있는 온도보상회로에 대하여 기술하였다. 위성중계기용 증폭기에서 요구하는 온도 규격과 다양한 온도보상 방식의 장단점을 살펴본 후 위성중계기용 증폭기에 적합한 온도보상회로로서 능동 바이어스 회로, 감쇄기를 이용한 온도보상회로, ALC Loop를 이용한 온도 보상회로를 선정하여 각자의 회로를 설계하였다. 각각의 온도보상회로는 설계 결과와 일치하는 실험 결과를 얻을 수 있었다. 이러한 결과는 실제 Ku-대역 위성중계기용 능동부품인 채널증폭기, 저잡음 증폭기, 중간 주파수 증폭기 등에 사용되어졌으며, 설계 규격을 만족하는 결과를 얻을 수 있었다.
Gallium nitride (GaN) can be used in high-voltage, high-power-density/-power, and high-speed devices owing to its characteristics of wide bandgap, high carrier concentration, and high electron mobility/saturation velocity. In this study, we investigate the technology trends for X-/Ku-band GaN RF power devices and MMIC power amplifiers, focusing on gate-length scaling, channel structure, and power density for GaN RF power devices and output power level and output power density for GaN MMIC power amplifiers. Additionally, we review the technology trends in gallium arsenide (GaAs) RF power devices and MMIC power amplifiers and analyze the technology trends in RF power devices and MMIC power amplifiers based on both GaAs and GaN. Furthermore, we discuss the current direction of national research by examining the national and international technology trends with respect to X-/Ku-band power devices and MMIC power amplifiers.
Radio-frequency (RF) amplifiers based on direct current (DC) superconducting quantum interference device (SQUID) have low-noise performance for precision physics experiments. Gain curves of SQUID RF amplifiers depend on several parameters of the SQUID and operation conditions. We are developing SQUID RF amplifiers for application to measure very weak RF signals from ultra-low-temperature high-magnetic-field microwave cavity in axion search experiments. In this study, we designed, fabricated and characterized SQUID RF amplifiers with different SQUID parameters, such as number of input coil turn, shunt resistance value of the junction and coupling capacitance in the input coil, and compared the results.
In this study, the pre-amplifiers were manufac-tured, which correspinds with the properties of signal source, For measuring the EMG, EEG, ECG and EOG's signal, which are generated at human body, the pre-amplifiers were manufactured in this studywhich was corresponding with the propertiies of dach signal source. So as to do, the bandwidth of filters and the amplitude of amplifiers were adaptively adjusted, according to signal source. Then, the usefulness was represented by showing the measured examples.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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