The quality factors ($k_{Q,Q_0}$) were evaluated by appling the results recently studied for the effect of central electrode in TRS-398 protocol. The PTW-31010 and IBA-CC13 chambers were used in this study. The quality factors were calculated as a function of beam quality for high energy electron and photon beams and compared with data currently used in TRS-398 protocol. In the PTW-31010 chamber using aluminium electrode, appling the new central electrode collections, the quality factors were 0.4% and 0.9% higher than current TRS-398 data for high energy photon and electron beams respectively. In the IBA-CC13 chamber using C-552 electrode, there are no variations in quality factors compared to TRS-398 data currently used.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.224-225
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2009
Aluminium nitride thin film was deposited on Au electrode and Si substrate by radio frequency sputtering system. X-ray diffraction (XRD) was utilized to identify the AlN phase, and Atomic Force Microscope (AFM) was used to obtain the images of surface morphology and roughness value of AlN thin film. The result of XRD and AFM measurement showed that the AlN thin film has strong c-axs orientation and smooth surface. In order to investigate piezoelectric response and polarization properties along to the direction of electric field, PFM (Piezoresponse Force Microscope) system was used, and the images of piezoelectric response due to switching of polarization was observed by PFM.
A new type of electron emitter device of chemical-vapor-deposited diamond thin film is proposed. The device is a diode of metal-insulator-insulator-semiconductor (MIS) structure consisting of an intrinsic polycrystalline diamond film as the insulator, an aluminium electrode on one side, and hydrogenated diamond surface on the other side as the p-type semconductor with negative electron affinity (NEA). Electrons will be injected and/or excited to the conduction band of intrinsic diamond layer to be emitted from the hydrogenated diamond surface of NEA.
The main purpose of this paper is to study on the effect of contact state between metal-polymer interface in electrical conduction of polymeric materials under low field region. The electric conduction of polythylene (PE) sandwitched in between two gold (Au) electrodes was lower than that of PE Sandwitched in between two Aluminium (Al) electrodes under low external field. The discharge current of PE which have been treated by the high field application is also obtained some results under no external field. The obtained results can suggest that the material of electrode come to influence on the electrical conduction of polymeric materials and are important as a basis for analysing the data on TSC. It is also suggestive that results of observation must be considered in cases of insulation design of electrical machinery.
Zinc oxide films have been actively investigated as transparent electrode materials for display. We report the effect of the working pressures on electro-optical properties of Al-doped ZnO thin films deposited by d.c. magnetron sputtering. The resistivity of the ZnO thin films was depended on atomic bombardment effect by working pressure.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.53
no.2
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pp.53-58
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2020
In this study, we developed plasma electrolytic oxidation (PEO) process for aluminum 7075 alloy to improve the corrosion and mechanical properties. The electrolyte consists of potassium hydroxide and sodium silicate. Additionally, sodium stannate was added into the electrolyte to investigate its effect on PEO film formation. Titanium was used as the counter electrode. Plasma generation voltage reduced from 300V to 150 V by adding 4 g/L of sodium stannate. The thin oxide films were observed by SEM(Scanning Electron Microscopy)/EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) for quantitative and qualitative analyses. XRD (X-ray diffraction) and XRF (X-ray Fluorescences) analyses were also carried out to identify oxide layer on aluminum 7075 surface. Vicker's hardness test was performed on the PEO-treated aluminum 7075 surface.
We fabricated amorphous zinc tin oxide (ZTO) transparent thin-film transistors (TTFTs). The effects of Al electrode on the mobility and threshold voltage of the ZTO TTFTs were investigated. It was found that the aluminum (Al)-ZTO contact decreased the mobility and increased the threshold voltage. Traps, originating from $AlO_x$, were assumed to be the cause of degradation. An indium tin oxide film was inserted between Al and ZTO as a buffer layer, forming an ohmic contact, which was revealed to improve the performance of ZTO TTFTs.
There are many methods to investigate the physical properties of monolayers formed at the air-water interface. Among them, the displacement current method is appropriate for the investigation of the dynamic behavior of monolayers. The measuring system of displacement current method was constructed at home-made Kuhn type LB deposition apparatus using aluminium plate electrode. The currents induced by the dynamic motion of molecules were measured when the molecules were pressed by barrier. To verify the measuring system, we used 4-octyl -4'-(5-carboxy-pentamethyleneoxy)-azobenzene molecules which has two remarkable variations of surface pressure of monolayer at the air-water interface. We can detect the two peaks of displacement currents which shows that the orientations of molecules are changed greatly at the state of these two remarkable changes of surface pressure.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.49
no.4
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pp.357-362
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2016
In this study, we manufactured the anodized alumina oxide (AAO) template and fabricated the carbon nanofibers and manganese oxide nanofibers using AAO template for application to electrochemical capacitor. Pore diameters of the AAO template were increased from 50 to 90 nm by increasing the acid treatment time after two-step anodizing process. Furthermore nanofibers, which is fabricated by AAO template, showed uniform diameter and micro structure. It is suggested that the surface area is larger than commercial electrode material and it is enhancing the energy density by increasing the specific capacitance.
Jang, Suyoung;Jang, Jun Sung;Jo, Eunae;Karade, Vijay Chandraknt;Kim, Jihun;Moon, Jong-Ha;Kim, Jin Hyeok
Korean Journal of Materials Research
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v.31
no.3
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pp.150-155
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2021
Zinc oxide (ZnO) based transparent conducting oxides (TCO) thin films, are used in many applications such as solar cells, flat panel displays, and LEDs due to their wide bandgap nature and excellent electrical properties. In the present work, fluorine and aluminium-doped ZnO targets are prepared and thin films are deposited on soda-lime glass substrate using a RF magnetron sputtering unit. The aluminium concentration is fixed at 2 wt%, and the fluorine concentration is adjusted between 0 to 2.0 wt% with five different concentrations, namely, Al2ZnO98(AZO), F0.5AZO97.5(FAZO1), F1AZO97(FAZO2), F1.5AZO96.5(FAZO3), and F2AZO96(FAZO4). Thin films are deposited with an RF power of 40 W and working pressure of 5 m Torr at 270 ℃. The morphological analysis performed for the thin film reveals that surface roughness decreases in FAZO1 and FAZO2 samples when doped with a small amount of fluorine. Further, optical and electrical properties measured for FAZO1 sample show average optical transmissions of over 89 % in the visible region and 82.5 % in the infrared region, followed by low resistivity and sheet resistance of 3.59 × 10-4 Ωcm and 5.52 Ω/sq, respectively. In future, these thin films with excellent optoelectronic properties can be used for thin-film solar cell and other optoelectronics applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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