• 한국재료학회지
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• 제11권8호
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• pp.655-660
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• 2001

Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)으로 성장한 $In_{0.5}$ ($Gal_{1-x}$ $Al_{x}$ )0.5P/GaAS 이중 이종접합 구조의 특성을 표면 광전압 (surface Photovoltage ; SPV) 측정으로 연구하였다. $In_{0.5}$($Gal_{1-x}$ $Al_{x}$ )0.5P/GaAS 이중 이종접합 구조의 SPV 측정값을 Lorentzian 피팅한 띠 간격에너지 ($E_{0}$ ) 값과 조성비 (x)로 구한 이론 값이 잘 일치하였다. 그리고 변조 주파수 의존성을 측정한 결과 SPV 신호의 형태는 변하지 않고, 신호의 크기만이 변하는 것은 광 조사에 따른 전기적 상태의 과도 현상에 따른 것이고, GaAs와 InGaAlP의 특성시간의 차이는 광 캐리어의 수명의 차이로 분석된다. 그리고 온도 의존성 측정으로 $In_{0.5}$ /($Gal_{1-x}$ $Al_{x}$ )0.5P/GaAS 이중 이종 접합 시료의 균일한 변형분포와 계면상태가 양호함을 알 수 있었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1995년도 추계 학술발표 강연 및 논문개요집
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• pp.13-13
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• 1995

• 한국결정성장학회지
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• 제6권3호
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• pp.309-317
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• 1996

Al2O3 thin films were deposited on Si-wafer (100) using organo-aluminum compounds at low pressure by chemical vapor deposition (CVD) method. The vapor of the organo-metallic precursor was carried by pure N2 gas. The deposition rate increased and then saturated as Tsub increased with increasing the AIP flow rate. The main contamination didn't found in deposited films except carbon. The H-O(H2O) IR absorption band decreased in intensity as the deposition temperature increased, and completely disappeared through annealing.

• 한국진공학회지
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• 제12권S1호
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• pp.52-55
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• 2003

GaAs/AlGaAs quantum-wire (QWR) gain-coupled distributed-feedback (GC-DFB) lasers are fabricated and characterized Constant metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth is used to avoid grating overgrowth during the fabrication of DFB structures. Numerical calculation shows large gain anisotropy by optical feedback along the DFB directions near Bragg wavelength. DFB lasing via QWR active gratings is also experimentally achieved.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1991년도 제6회 파동 및 레이저 학술발표회 Prodeedings of 6th Conference on Waves and Lasers
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• pp.139-143
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• 1991

GRIN-SCH quantum well structured Laser Diode were fabricated using MOCVD and operated as CW at room temperature. The threshold current density of the LD with 670${\mu}{\textrm}{m}$ cavity length was 530 A/$\textrm{cm}^2$. For the ridge waveguide type index guiding structured LD with 6${\mu}{\textrm}{m}$ stripe width and 240${\mu}{\textrm}{m}$ cavity length, the threshold current was 50㎃. The maximum differential quantum efficiency was 0.95W/A when the optical output was 60mW. The lasing wavelength of QW LD was 865nm. In the L-I measurement. TE mode was superior to TM mode. From the near field pattern, single lateral mode operation was observed.

• 한국진공학회지
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• 제17권3호
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• pp.211-214
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• 2008

Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)를 이용하여 사파이어 기판 위에 405 nm의 파장을 갖는 GaN light-emitting diode (LED)를 제작하였다. LED의 InGaN 활성층에서 생성되어 칩의 후면으로 향하는 광자를 전면으로 반사시키기 위하여, 사파이어 기판 후면에 반사막을 증착하였다. 반사막으로는 Al을 사용하였으며, 사파이어 기판에 대한 Al 박막의 접착력을 개선하기 위하여 사파이어 기판 후면에 Ti를 먼저 증착한 후에 Al을 증착하였다. Ti-Al 반사막을 채용한 결과, 광추출 효율이 52 % 향상되었다.

• 한국진공학회지
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• 제8권3B호
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• pp.290-296
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• 1999

We have studied the phase separation and ordering phenomeon of InAlAs epilayers grown on InP substrate by LP-MOCVD with DCXRD, PL, and TEM. From the intensity and FWHM of DCXRD and PL, we observed that the structural and optical quality of InAlAs epilayers were improved as growth temperature increased. The band-gap reduction due to phase separation and ordering is 291, 246, and 28 meV in the InAlAs epilayers grown at $565^{\circ}C$, $615^{\circ}C$, and $700^{\circ}C$, respectively, and shows the same from the InAlAs epilayer town at 5$65^{\circ}C$ in which the HRTEM micrograph showed the lattice fringe between InAs-rich and AlAs-rich regions was tilted by $2^{\circ}$ due to composition difference. However the maximum degree of ordering by intensity of extra spots was obtained at medium growth temperature. The annealing experiment by RTA of sample grown at $565^{\circ}$ shows a maximum band-gap shift of 78eV at $880^{\circ}$ for 3 min, and TEM shows that the origin of the blue shift of band-gap is the complete disappearance of ordering. Through annealing we can conclude that short time annealing affects only ordering and that most of the total band-gap reduction (~3/4) occurs by phase separation.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권2호
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• pp.216-223
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• 1997

출발물질로 aluminum iso-propoxide ($Al(OC_3H_7)_3$, AIP)를 사용하여 화학증착법으로 Si-wafer(100)위에 알루미나 박막을 증착하였다. 증착된 박막의 조성을 알아보기 위해 ESCA를 이용하였으며, SEM을 이용하여 박막의 형상 및 두께를 평가하였다. 그리고 굴절율 및 C-V 특성은 각각 ellipsometry와 HP4192A를 사용하였다. ESCA와 SEM의 분석결과에서 상압보다는 저압에서 막이 균일하고 조성이 잘 맞는 것을 알 수 있었으며 열처리를 통해 굴절율의 변화를 볼 수 있었다. 그리고 NMOS소자에서의 C-V특성을 개선하기 위해, $Al_2O_3$와 Si사이에 $SiO_2$층을 형성하는 것이 좋음을 알 수 있었다.

• 한국광학회지
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• 제7권3호
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• pp.287-294
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• 1996

MOCVD(metal-organic chemical vapour deposition)방법으로 성장시킨 이중 이종접합구조 GaAs/AlGaAs 웨이퍼를 이용하여 광위상변조기를 제작하였다. 제작과정에서 도파로와 절연층의 형성시 동일 포토레지스트 패턴을 이용하는 자기종렬공정을 개발하여 그 효용성을 입증하였다. Fabry-Perot 간섭법을 이용하여 변조기의 위상변조효율을 측정하였으며 1.31.mu.m파장에서 TE 편광의 경우 22.5.deg./Vmm의 위상변조특성을 얻었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권10호
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• pp.1123-1132
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• 1994

Bi-Sr-Ca-Cu-O superconductor thin films were prepared on MgO and LaAlO3 substrates by MOCVD technique. The films deposited on MgO and LaAlO3 substrates became superconducting at 64 K and 70 K respectively. The measured critical current density of thin film deposited on LaAlO3 substrate was around 104 A/$\textrm{cm}^2$. After annealing at $700^{\circ}C$ for 3 hours, the critical transition temperature(Tc) of films deposited on LaAlO3 was changed from 70 K to 74 K.