• 제목/요약/키워드: Al) thin film

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SiC 기판상에 성장된 AlN 박막을 이용한 AlN 결정 성장에 관한 연구 (A study on the AlN crystal growth using its thin films grown on SiC substrate)

  • 인경필;강승민
    • 한국결정성장학회지
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    • 제28권4호
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    • pp.170-174
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    • 2018
  • AlN 결정은 직경 1인치 크기의 기판이 개발되었고 계속 품질의 향상을 위해 연구되고 있다. 한편 2인치급 기판은 UV LED 칩 제조와 원가 감소를 위해 개발이 필요한 실정이다. 본 연구에서는 PVT 법으로 2인치의 AlN 결정을 SiC 기판상에 성장된 AlN 박막을 종자로 사용하여 성장의 가능성을 보고자 하였다. $10{\mu}m$ 두께의 AlN 박막 결정을 종자결정으로 사용하여 두께 7 mm의 AlN 결정을 성장하였다. 성장된 결정은 금속현미경과 실체현미경, DCXRD를 사용하여 분석하였다.

RF 마그네트론 스퍼터링법으로 증착된 Al 도핑된 ZnO 투명 전도 산화막의 Ar 유량에 따른 특성 (Properties of Al-doped ZnO Transparent Conducting Oxide Films Deposited with Ar Flow Rate by RF Magnetron Sputtering)

  • 이인환;김덕규;김홍배
    • 한국진공학회지
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    • 제19권3호
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    • pp.206-210
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    • 2010
  • RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 Al 도핑된 ZnO 박막을 Ar 유량에 따라 증착하고 박막의 다양한 특성을 연구하였다. ZnO 박막의 Ar 유량 변화를 통해 고품질 박막을 증착할 수 있었고 Al 도핑된 ZnO 박막에 대한 Ar 유량의 영향을 확인하였다. 모든 Al 도핑된 ZnO에서 80% 이상의 좋은 투과도를 보였다. Hall 측정과 X-ray photoelectron spectrometer 측정 결과, 비저항이 가장 작은 60 sccm에서 가장 작은 Al 도핑 농도를 보였다. Ar 유량에 따른 Al 도핑된 ZnO 박막에서의 전기적인 특성은 Al 도핑 농도보다 산소 공공에 의해 더 영향을 받음을 확인하였다.

알루미늄 박막의 화학기계적연마 가공에 관한 연구 (Chemical Mechanical Polishing of Aluminum Thin Films)

  • 조웅;안유민;백창욱;김용권
    • 한국정밀공학회지
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    • 제19권2호
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    • pp.49-57
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    • 2002
  • The effect of mechanical parameters on chemical mechanical polishing (CMP) of blanket and patterned aluminum thin films are investigated. CMP process experiments are conducted using the soft pad and the slurry mainly composed of acid solution and A1$_2$O$_3$ abrasive. The result for the blanket film showed that as the concentration of abrasive in slurry is increased, the surface roughness gets worse but the waviness gets better. The planarity of the patterned Al films is slowly improved by CMP when the width of and gap between the patterns are relatively small. It is tried to find the optimized CMP process conditions by that the patterned Al thin film can be planarized with fine surface. The most satisfiable film surface is obtained when the applied pressure is low (10kPa) and the abrasive concentration is relatively high (5wt%).

표시소자 응용을 위한 copper, aluminum 박막의 성장과 특성 (Copper, aluminum based metallization for display applications)

  • 김형택;배선기
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제8권3호
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    • pp.340-351
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    • 1995
  • Electrical, physical and optical properties of Aluminum(Al), Copper(Cu) thin films were investigated in order to establish the optimum sputtering parameters in Liquid Crystal Display (LCD) panel applications. DC-magnetron sputtered film on coming 7059 samples were fabricated with variations of deposition power densities, deposition pressures and substrate temperatures. Low resistivity films(AI;2.80 .mu..ohm.-cm, Cu:1.84 .mu..ohm-cm),which lower than the reported values, were obtained under sputtering parameters of power density(250W), substrate temperature(450-530.deg. C) and 5*10$\^$-3/ Torr deposition pressure. Expected columnar growth and stable grain growth of both films was observed through the Scanning Electron Microscope(SEM) micrographs. Dependency of the applicable defect-free film density upon depositon power and temperature was also characterized. Not too noticable variations in X-ray diffraction patterns were remarked under the alterations of sputtering parameters. High optical reflectivities of Al, Cu films, approximately 70-90 %, showed high degree of surface flatness.

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