• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.566-566
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• 2012

그래핀(Graphene)은 모든 탄소 동소체의 기본구성 요소로 2 차원 결정구조를 가지며, 양자홀 효과(quantum Hall effect), 뛰어난 열 전도도, 고 탄성, 광학적 투과성 등과 같은 탁월한 물리적 성질을 보이는 물질이다. 이러한 그래핀의 우수한 특성은 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor), 화학/바이오 센서, 투명 전극(transparent electrode) 등의 다양한 전자소자를 개발하는 응용 가능하다. 그 중, 그래핀 투명전극의 제조는 가장 응용가능성이 높은 분야이다. 현재 투명전극 물질로는 인듐-주석 산화물(indium tin oxide; ITO)가 널리 이용되고 있으나, 인듐의 고갈로 인한 공급부족 문제 및 고 생산비용, 휘어지지 않는 취성 등의 단점을 지니고 있다. 따라서, 우수한 광학적 투과성과 전기전도성을 지닌 그래핀이 ITO의 대체 물질로서 각광받고 있다.[1-5] 본 연구에서는 그래핀의 투명전도필름의 응용을 위해 면저항을 낮추기 위한 방법으로 화학적 도핑(doping)을 이용하였다. 그래핀은 구리(copper; Cu) 호일을 촉매로 사용하여 열 화학증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 합성하였다. 합성된 그래핀은 PMMA(Poly(methyl methacrylate)) 전사법을 이용하여 산화실리콘(SiO2) 기판에 전사 후, 염화은(AgCl)과 클로로벤젠(C6H5Cl)으로 만든 콜로이드(colloid) 용액에 디핑(dipping)하여 그래핀에 은 입자를 도핑 하였다. 그 결과, 은 입자 도핑 농도에 따라 면저항이 감소하는 양상을 보였다. 제작된 그래핀 투명전도성 필름의 투과도는 자외선-가시광선-근적외선 분광법(UV-Vis-NIR spectroscopy)를 이용하여 측정하였고, 라만 분광법(Raman spectroscopy)을 통해 그래핀 필름의 질적 우수성과 성장 균일도를 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.325-325
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• 2008

스크린 프린팅에 의한 압전 후막은 MEMS 공정을 이용하여 마이크로 펌프, 마이크로 벨브, 마이크로 센서, 마이크로 로봇 등 여러 초소형 기계부품에 응용되고 있으며, Sol-Gel, PLD를 이용해 증착된 막 등에 비해 수십${\mu}m$의 비교적 두꺼운 막을 형성시킬 수 있는 장점을 가지고 있다. 그러나 실리콘 기판을 사용하여 스크린 프린팅으로 형성된 압전 후막의 경우, 공정상 바인더를 연소시키는 과정을 거치게 되므로, 밀집된(Dense) 구조를 가지는 막을 만들기가 어렵다. 이로 인해 스크린 프린팅에 의한 후막은 전기적 특성 및 기계적 특성이 떨어지는 경향이 있다. 본 연구에서는 스크린 프린팅에 의한 압전 후막의 밀집된 구조 및 특성을 향상시키기 위해 0.01Pb$(Mg_{1/2}W_{1/2})$O3-0.41Pb$(Ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3-0.35PbTiO_3-0.23PbZrO_3$의 powder와 Attrition 밀링 처리된 powder를 비율별로 혼합하여 입자의 크기를 변화시켜 막의 충진 밀도를 향상시켰으며, 열처리 효과를 극대화시키기 위해 RTA(Rapidly Thermal Annealing)를 통해 열처리 하였다. Attrition 밀링에 의한 파우더를 각각 비율별로 100%, 50%, 25%로 혼합하여 만든 압전 세라믹 페이스트는 P-type(100)Si Wafer sample 위에 $1{\mu}m$의 하부전극용($1100^{\circ}C$) Ag 전극을 screen print하여 소결했다. 그리고 다시 전극이 형성된 Si wafer 위에 스크린 프린팅하고, 건조 한 후 RTA로 300초 동안 열처리 한 결과 밀집된 구조를 가지는 압전 후막을 제작 수 있었다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.29 no.8
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• pp.461-465
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• 2016

n-type silicon shows the better tolerance towards metal impurities with a higher minority carrier lifetime compared to p-type silicon substrate. Due to better lifetime stability as compared to p-type during illumination made the photovoltaic community to switch toward n-type wafers for high efficiency silicon solar cells. We fabricated the front electrode of the n-type solar cell with AgAl paste. The electrodes characteristics of the AgAl paste depend on the contact junction depth that is closely related to the firing temperature. Metal contact depth with p+ emitter, with optimized depth is important as it influence the resistance. In this study, we optimize the firing condition for the effective formation of the metal depth by varying the firing condition. The firing was carried out at temperatures below $670^{\circ}C$ with low contact depth and high contact resistance. It was noted that the contact resistance was reduced with the increase of firing temperature. The contact resistance of $5.99m{\Omega}cm^2$ was shown for the optimum firing temperature of $865^{\circ}C$. Over $900^{\circ}C$, contact junction is bonded to the Si through the emitter, resulting the contact resistance to shunt. we obtained photovoltaic parameter such as fill factor of 76.68%, short-circuit current of $40.2mA/cm^2$, open-circuit voltage of 620 mV and convert efficiency of 19.11%.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07d
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• pp.1501-1503
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• 1999

The $(Sr_{0.85}Ca_{0.15})TiO_3$(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode$(Pt/TiO_2/SiO_2/Si)$ using RF sputtering method. Ag, Cu, Al, Pt films for the formation of top eletrode were doposited on SCT thin films by thermal evaporator and sputtering. The effects of top electodes have be studied on SCT samples with a variety of top electrode materials.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.434-435
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• 2009

The crystalline silicon solar cell where the solar cell market grows rapidly is occupying of about 85% or more. high-efficiency and low cost endeavors many crystalline silicon solar cells. the fabrication processes of high-efficiency crystalline silicon solar cells necessitate complicated fabrication processes and Ti/Pd/Ag contact, however, this contact formation processed by expensive materials. Ni/Cu contact formation is good alternative. in this paper, according to temperature Ni silicide makes, produced Ni/Cu contact solar cell and measured conversion efficiency.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1995.05a
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• pp.145-149
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• 1995

The metallization is the key to determining cell costs, call performance, and cell and system reliabiltiy. The Burled Contact Solar Cell (BCSC) was specifical1y desinged to be compatible tilth low cost, mass production techniques and avoid the conventional metallization problem. By using electroless plating trchniqeu, we performed this metallization inexpensively and reliabley, This paper presents the details of the optimization procedure of metallization schemes on laser grooved cell surface Commercially available Ni ,Cu, and Ag plating solutions were applied for the cell metallization. The application of those solutions on the buried contact front metalization has resulted in an cell efficiency of 18.5% The cell parameters are an open circuit voltage of 651 mV, short circuit current density of 38.6 mA/$\textrm{cm}^2$, and fill factor of 73.5%.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.32 no.8
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• pp.673-680
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• 2015

A roll-to-roll (R2R) continuous manufacturing system for a carbon-nanotube (CNT)-/silver-nanowire (AgNW)- based large-area transparent conductive film was introduced in this study. The systemic guidelines of the R2R slot-die coating process including roll eccentricity, wrap angle, pump accuracy, and blower influence were discussed. To simulate the coating phenomenon, we investigated the governing parameters of the coating process by incorporating the estimated relative thickness that was defined by combining the viscocapillary model and volume model. By using experimental and mathematical approaches, an excellent transparent conductive layer with a $40{\Omega}/{\Box}$ sheet resistance and 88 % transmittance was obtained; moreover, a dimensionless number identifies the correlation between the transparent conductive film and the anti-reflection film.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.6
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• pp.505-513
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• 1993

본 논문은 전자 부품의 Soldring기에 사용되는 접합제를 Flux를 포함한 Solder paste 대신에 도금막을 이용하기 위한 Sn 도금막 형성 프로세스를 검토한 것이다. 반도체 Device를 Packaging한 외부단자(lead frame)과 HIC상의 후막전극(Ag/Pd)과의 접합 및 PCB상의 Cu land와의 접합시에는 스크린 프린트에 의한 Solder Paste가 일반적으로 사용되고 있다. 본 논문은 Fluxless Soldering의 한수단으로 도금막을 lead상에 형성시켜 접합 재료로서의 형성 프로세스 및 도금막의 특성과 도금형성 Paramete와의 관련성을 실험적으로 검토한 것으로 전류밀도 200 A/m$^{2}$의 조건으로 형성한 Sn 도금막이 접합용으로 최적조건임을 밝혔다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.11a
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• pp.384-385
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• 2006

We studied about conductive pastes of the source-drain contacts for OTFTs(organic thin-film transistors) fabricated by direct printing(screen printing) method. We used Ag and conductive carbon black powder as the conductive fillers of pastes. The conductive pastes were manufactured by various dispersing agents and dispersing conditions and source-drain contacts with $100{\mu}m$ of channel length were fabricated. We could obtain the OTFTs which exhibited different field-effect behaviors over a range of source-dram and gate voltages depending on a kind of conductive fillers used conductive pastes.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.17 no.12
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• pp.1352-1355
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• 2004

We have applied front contact metallization of plated nickel and copper for high efficiency passivated emitter rear contact(PERC) solar cell. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusion as well as desirable contact metal to silicon. The plating technique is a preferred method for commercial solar cell fabrication because it is a room temperature process with high growth rates and good morphology. In this system, the electroless plated Ni is utilized as the contact to silicon and the plated Cu serves as the primary conductor layer instead of traditional solution that are based on Ti/Pd/Ag contact system. Experimental results are shown for over 20 % PERC cells with the Plated Ni/Cu contact system for good performance at low cost.