Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.97-97
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2010
We demonstrate the hybrid polymer-quantum dot based multi-functional device (Organic bistable devices, Light-emitting diode, and Photovoltaic cell) with a single active-layer structure consisting of CdSe/ZnS semiconductor quantum-dots (QDs) dispersed in a poly N-vinylcarbazole (PVK) and 1,3,5-tirs- (N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene (TPBi) fabricated on indium-tin-oxide (ITO)/glass substrate by using a simple spin coating technique. The multi-functionality of the device as Organic bistable device (OBD), Light Emitting Diode (LED), and Photovoltaic cell can be successfully achieved by adding an electron transport layer (ETL) TPBi to OBD for attaining the functions of LED and Photovoltaic cell in which the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level of TPBi is positioned at the energy level between the conduction band of CdSe/ZnS and LiF/Al electrode (band-gap engineering). Through transmission electron microscopy (TEM) study, the active layer of the device has a p-i-n structure of a consolidated core-shell structure in which semiconductor QDs are uniformly and isotropically adsorbed on the surface of a p-type polymer core and the n-type small molecular organic materials surround the semiconductor QDs.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.76.1-76.1
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2013
Atomic Layer Deposition (ALD) has remarkably developed in semiconductor and nano-structure applications since early 1990. Now, the advantages of ALD process are well-known as controlling atomic-level-thickness, manipulating atomic-level-composition control, and depositing impurity-free films uniformly. These unique properties may accelerate ALD related industries and applications in various functional thin film markets. On the other hand, one of big markets, Display industry, just starts to look at the potential to adopt ALD functional films in emerging display applications, such as transparent and flexible displays. Unlike conventional ALD process strategies (good quality films and stable precursors at high deposition processes), recently major display industries have suggested the following requirements: large area equipment, reasonable throughput, low temperature process, and cost-effective functional precursors. In this talk, it will be mentioned some demands of display industries for applying ALD processes and/or functional films, in terms of emerging display technologies. In fact, the AMOLED (active matrix organic light emitting diode) Television markets are just starting at early 2013. There are a few possibilities and needs to be developing for AMOLED, Flexible and transparent Display markets. Moreover, some basic results will be shown to specify ALD display applications, including transparent conduction oxide, oxide semiconductor, passivation and barrier films.
Morphogenesis of rat retina was studied by light and electron microscope from day 14 of gestation to 55 days after birth. The results indicate as follows: 1. At the outer border of the neuroblastic layer at the 14th day of gestation, cells she wed active mitotic figures which result in the increases of thickness and differentiations of this layer. 2. At birth, rat retina is still in a premature state. But, it is begining to approach its adult condition in appearance till the 9th postnatal day. Particulary photosensitive cells are fully developed by the 14th postnatal day, so they are functional from now on. 3. It is observed that the pigment epithelium begins differentiation at the fetal period, but is not functional urtil birth 4. The pigment epithelium differentiates earlier than the neuroblastic layer. It is suggested that these two layers are so closely associated that the pigment epithelium takes part in the differentiations of the neuroblastic layer. In conclusion, rat retina is differentiated soon after the optic cup formation before the 14th day of gestation, but even new born rat retina is not functional, and then it has function as photoreceptors coincided with the eye opening.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.229.2-229.2
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2014
Graphene, an allotrope of carbon, is a two-dimensional material having a unique electro-mechanical property that shows significant change of the electrical conductance under the applied strain. In addition of the extraordinary mechanical strength [1], graphene becomes a prospective candidate for pressure sensor technology [2]. However, very few investigations have been carried out to demonstrate characteristics of graphene sensor as a device form. In this study, we demonstrate a pressure sensor using graphene double layer as an active channel to generate electrical signal as the response of the applied vertical pressure. For formation of the active channel in the pressure sensor, two single graphene layers which are grown on Cu foil (25 um thickness) by the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) are sequentially transformed to the poly-di-methyl-siloxane (PDMS) substrate. Dry and wet transfer methods are individually employed for formation of the double layer graphene. This sensor geometry results a switching characteristic which shows ~900% conductivity change in response to the application of pulsed pressure of 5 kPa whose on and off duration is 3 sec. Additionally, the functional reliability of the sensor confirms consistent behavior with a 200-cycle test.
Aluminum was used as metallic bipolar plate material to reduce a stack weight. The functional materials such as conductive material, Au and nonconductive material, PTFE [polytetrafluoroethylene] were coated on the bipolar plate to enhance electrical contact and corrosion prevention in PEMFC. The active area of bipolar plate is divided into the top layer part that electric current mainly passes, and the bottom layer part that gas and water pass. The bottom layer part in the flow channel needs not to have electrical conductivity because it doesn't pass electric current directly. In this reason, Au on the top layer and PTFE on the bottom layer were coated to apply high electrical conductivity and/or good corrosion resistance. Although the single cell performance using Au-PTFE/Al bipolar plate was shown 78% in comparison with that of graphite, specific power of Au-PTFE/Al bipolar plate(0.4 W/g) was twice as much as graphite bipolar plate.
PEMS (printed electro-mechanical system) is fabricated by means of various printing technologies. Passive and active components in 2D or 3D such as conducting lines, resistors, capacitors, inductors and TFT, which are printed with functional materials, can be classified in this category. And the issue of PEMS is applied to a R2R process in the manufacturing process. In many electro-devices, the vacuum process is used as the manufacturing process. However, the vacuum process has a problem: it is difficult to apply toa continuous process as a R2R printing process. In this paper, we propose an ESD (electro static deposition) printing process has been used to apply an organic solar cell of thin film forming. ESD is a method of liquid atomization by electrical forces, anelectrostatic atomizer sprays micro-drops from the solution injected into the capillary, with electrostatic force generated by electric potential of about tens of kV. ESD method is usable in the thin film coating process of organic materials and continuous process as a R2R manufacturing process. Therefore, we experiment the thin films forming of PEDOT:PSS layer and Active layer which consist of the P3HT:PCBM. The result of experiment, organic solar cell using ESD thin film coated method is occurred efficiency of about 1.4%. Also, the case of only used to ESD method in the active layer coating is occurred efficiency of about 1.86% as the applying a spin coating in the PEDOT:PSS layer. We can expect that ESD method is possible for continuous process to manufacture in the organic solar cell or OLED device.
Mi, Dongbo;Park, Jong Baek;Xu, Fei;Kim, Hee Un;Kim, Ji-Hoon;Hwang, Do-Hoon
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.35
no.6
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pp.1647-1653
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2014
9,10-Bis(bromomethyl)phenanthrene reacted with fullerenes via a Diels-Alder reaction to give phenanthrene-substituted fullerene mono-adducts (PCMA) and bis-adducts (PCBA) as electron acceptors for organic photovoltaic cells (OPVs). The syntheses of the fullerene derivatives were confirmed by $^1H$$^{13}C$ NMR spectroscopy and MALDI-TOF mass spectrometry. PCMA and PCBA showed better light absorption in the UV-visible region than $PC_{61}BM$. Their electrochemical properties were measured using cyclic voltammetry. Accordingly, the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy levels of PCMA and PCBA were -3.66 and -3.57 eV, respectively. Photovoltaic cells were fabricated with a ITO/PEDOT:PSS/poly(3-hexylthiophene)(P3HT):acceptor/LiF/Al configuration, where P3HT and PCBA are the electron donors and acceptors, respectively. The polymer solar cell fabricated using the P3HT:PCBA active layer showed a maximum power conversion efficiency of 0.71%.
The RGO with controllable oxygen functional groups is a novel material as the active layer of resistive switching memory through a reduction process. We designed a nanoscale conductive channel induced by local oxygen ion diffusion in an Au / RGO+GQD / Al resistive switching memory structure. A strong electric field was locally generated around the Al metal channel generated in BIL, and the local formation of a direct conductive low-dimensional channel in the complex RGO graphene quantum dot region was confirmed. The resistive memory design of the complex RGO graphene quantum dot structure can be applied as an effective structure for charge transport, and it has been shown that the resistive switching mechanism based on the movement of oxygen and metal ions is a fundamental alternative to understanding and application of next-generation intelligent semiconductor systems.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.7
no.1
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pp.16-20
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2006
In this paper, we investigated the effects of short-term oxygen plasma treatment of semiconducting silicone layer to improve interfacial performances in joints prepared with a insulating silicone materials. Surface characterizations were assessed using contact angle measurement and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and then adhesion level and electrical performance were evaluated through T-peel tests and electrical breakdown voltage tests of treated semi-conductive and insulating joints. Plasma exposure mainly increased the polar component of surface energy from $0.21\;dyne/cm^2$ to $47\;dyne/cm^2$ with increasing plasma treatment time and then leveled off. Based on XPS analysis, the surface modification can be mainly ascribed to the creation of chemically active functional groups such as C-O, C=O and COH on semi-conductive silicone surface. This oxidized rubber layer is inorganic silica-like structure of Si bound with three to four oxygen atoms ($SiO_x,\;x=3{\sim}4$). The oxygen plasma treatment produces an increase in joint strength that is maximum for 10 min treatment. However, due to brittle property of this oxidized layer, the highly oxidized layer from too much extended treatment could be act as a weak point, decreasing the adhesion strength. In addition, electrical breakdown level of joints with adequate plasma treatment was increased by about $10\;\%$ with model samples of joints prepared with a semi-conducting/ insulating silicone polymer after applied to interface.
The critical buckling temperature rise of a newly proposed piezoelectrically active sandwich plate (ASP) has been investigated in this work. This structure includes a porous polymeric layer integrated between two piezoelectric nanocomposite layers. The piezoelectric material is made of a passive polymeric material that is activated by lead-free nanowires (NWs) of zinc oxide (ZnO) embedded inside the matrix. In both nanocomposite layers and porous core, functional graded (FG) patterns have been considered for the distributions of ZnO NWs and voids, respectively. By adopting a higher-order theory of plates, the governing equations of thermal buckling are obtained. This set of equations is then treated using an extended mesh-free solution. The effects of plate dimensions, porosity states, and the nanowire parameters have been investigated on the critical buckling temperature rises of the proposed lightweight ASPs with different boundary conditions. The results disclose that the use of porosities in the core and/or mixing ZnO NWs in the face sheets substantially arise the critical buckling temperatures of the newly proposed active sandwich plates.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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