• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.746-748
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• 2004

a-Si TFTs with field-effect mobility of 1.2 $cm^2$/V-s have been fabricated on plastic substrate. Pixel circuits on plastic for AMOLED were made with the same low-temperature fabrication process. The circuits compensate for $V_T$-shift, exhibit high output current, retain functionality and drive current level during long-time continuous operation.

• 융합정보논문지
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• 제9권3호
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• pp.75-81
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• 2019

본 논문은 유기물로 이루어진 폴리머 기판상에 저온 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법에 대해 연구하였다. 먼저, 폴리머 기판에 화학증착방식으로 비결정 실리콘 박막을 증착하였고, 열처리 장치인 퍼니스로 탈수소 및 활성화 공정을 430도에서 2시간동안 진행하였다. 이후 엑시머 레이저를 이용하여 결정화를 진행하여 다결정 실리콘 반도체 막을 제조하였다. 이 박막은 박막트랜지스터 제작을 위한 활성층으로 사용하였다. 제작된 p형 박막트랜지스터는 이동도 $77cm^2/V{\cdot}s$, on/off 전류비는 $10^7$이상의 동작특성을 보였고, 이는 결정화된 박막내부에 결함 농도가 낮음을 의미한다. 이 결과로 유기물 기판상에 엑시머 레이저로 형성된 다결정 실리콘으로 제작된 전자소자는 플렉서블 AMOLED 디스플레이 회로 형성에 최적의 기술임을 알 수 있다.

• 전자통신동향분석
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• 제30권6호
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• pp.1-11
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• 2015

최근 디스플레이 산업은 Liquid Crystal Display(LCD)산업의 성숙 및 동북아 선도업체를 중심으로 과점화 양상에 따라, 국가 간 주도권 경쟁을 위한 경쟁 치열해지고 있으며, 디스플레이 시장정체 극복 및 경쟁국 간의 기술시장의 우위를 선점하기 위하여 차세대 디스플레이 개발을 추진하고 있다. 차세대 디스플레이는 기능이 다양화 된 디스플레이, Active Matrix Organic Light Emitting Diode(AMOLED), 플렉서블 디스플레이, 투명 디스플레이와 같은 새로운 디스플레이 및 자동차 교육, 광고 의료 분야와 융합되는 신시장 창출형 융합 디스플레이로 발전하고 있다. 본고에서는 차세대 디스플레이의 최근 기술동향 및 디스플레이 국제 표준 기술동향 및 이슈를 살펴보고자 한다.

• Journal of Information Display
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• 제7권4호
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• pp.17-20
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• 2006

The inline manufacturing equipment using a combination of the belt source and LPS source which is innovatively designed is introduced for the large-size AMOLED. The features of the inline system include 60sec TACT time, 19 numbers of chambers, non-substrate bending and easy application to very thin TFT substrates for the $4^{th}$ - $8^{th}$ Generation AMOLEDs.

• Journal of Information Display
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• 제10권2호
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• pp.80-86
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• 2009

The variation of the electrical characteristics of thin-film transistors (TFTs) causes a non-uniform image quality problem, and the differential aging of organic light-emitting diode (OLED) devices causes an image-sticking problem. A video data correction method is proposed herein as an effective solution to the non-uniform electro-optical characteristics of the pixels in activematrix organic light-emitting diode (AMOLED) displays. The results of the simulation that was conducted show that the proposed method successfully senses the electrical characteristics of TFTs and the degradation of OLEDs and effectively compensates for them.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.336-336
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• 2011

AMOLED에 대한 관심이 높아짐에 따라 LTPS (Low Temperature Poly Silicon) TFT에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 다결정 실리콘은 단결정 실리콘에 비해 100 cm2/V 이상의 이동도를 보이는 우수한 특성으로 인해 AMOLED 디스플레이에 적합하며 여러 기업에서 LTPS 공정을 이용한 TFT제작을 연구 중이다. LTPS 공정은 현재 ELA (Excimer Laser Annealing) 방식으로 대면적 유리기판에 ELA 방법을 적용함에 있어 설비투자 비용이 지나치게 높아진다는 단점을 가지고 있다. 설비투자 비용의 문제점을 해결하기 위해 Diode Laser을 이용하여 Annealing하는 방법에 대해 연구하였다. 본 연구는 Diode Laser Annealing 방식을 이용하여 poly-Si을 구현하였다. 단결정 실리콘을 제작하기 위해 ICP-CVD장비를 이용하여 150$^{\circ}C$에서 SiH4, He2 혼합, He/SiH4의 flow rate는 20/2[sccm], RF power는 400 W에서 700 W으로 가변, 증착 압력은 25mTorr으로 하였다. 940 nm 파장의 30 W Diode Laser를 8 mm Spot Size로 a-Si에 순간 조사하여 결정화, 그 결과 grain을 형성한 polycrystalline 구조를 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.199-199
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• 2010

최근 평판 디스플레이 산업의 발전에 따라 능동행렬 액정 표시 소자 (AMOLED : Active Matrix Organic Liquid Crystral Display) 가 차세대 디스플레이 분야에서 각광을 받고있다. 기존의 TFT-LCD에 사용되는 a-Si:H는 균일도가 좋지만 전기적인 스트레스에 의해 쉽게 열화되고 낮은 이동도는 갖는 단점이 있으며, ELA (Eximer Laser Annealing) 결정화 poly-Si은 전기적인 특성은 좋지만 uniformity가 떨어지는 단점을 가지고 있어서 AMOLED 및 대면적 디스플레이에 적용하기 어렵다. 따라서 a-Si:H TFT보다 좋은 전기적인 특성을 보이며 ELA 결정화 poly-Si TFT보다 좋은 uniformity를 갖는 SPC (Solid Phase Crystallization) poly-Si TFT가 주목을 받고있다. 본 연구에서는 차세대 디스플레이 적용을 위해서 glass 기판위에 증착된 a-Si을 SPC 로 결정화 시킨 후 TFT를 제작하고 평가하였다. 또한 TFT 형성시에 저온공정을 실현하기 위해서 소스/드레인 영역에 실리사이드를 형성시켰다. 소자 제작시의 최고온도는 $500^{\circ}C$ 이하에서 공정을 진행하는 저온 공정을 실현하였다. Glass 기판위에 a-Si이 80 nm 증착된 기판을 퍼니스에서 24시간 동안 N2 분위기로 약 $600^{\circ}C$ 에서 결정화를 진행하였다. 노광공정을 통하여 Active 영역을 형성시키고 E-beam evaporator를 이용하여 약 70 nm 의 Pt를 증착시킨 후, 소스와 드레인 영역의 실리사이드 형성은 N2 분위기에서 $450^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $550^{\circ}C$에서 열처리를 통하여 형성하였다. 게이트 절연막은 스퍼터링을 이용하여 SiO2를 약 15 nm 의 두께로 증착하였다. 게이트 전극의 형성을 위하여 E-beam evaporator 을 이용하여 약 150 nm 두께의 알루미늄을 증착하고 노광공정을 통하여 게이트 영역을 형성 후 에 $450^{\circ}C$, H2/N2 분위기에서 약 30분 동안 forming gas annealing (FGA)을 실시하였다. 제작된 소자는 실리사이드 형성 온도에 따라서 각각 다른 특성을 보였으며 $450^{\circ}C$에서 실리사이드를 형성시킨 소자는 on currnet와 SS (Subthreshold Swing)이 가장 낮은것을 확인하였다. $500^{\circ}C$와 $550^{\circ}C$에서 실리사이드를 형성시킨 소자는 거의 동일한 on current와 SS값을 나타냈다. 이로써 glass 기판위의 SB-TFT 제작 시 실리사이드 형성의 최적온도는 $500^{\circ}C$로 생각되어 진다. 위의 결과를 토대로 본 연구에서는 SPC 결정화 방법을 이용하여 SB-TFT를 성공적으로 제작 및 평가하였고, 차세대 디스플레이에 적용할 경우 우수한 특성이 기대된다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1213-1215
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• 2007

The OTFT technologies have been mature almost up to the level of commercialization. In this paper we report the OTFT's applications to the backplane for active matrix electrophoretic, active matrix OLED and to integrated circuits. In addition we also introduce the recently developed technologies for reduction of OTFT's operating voltage.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1600-1602
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• 2007

TPS (Temperature Programmed Sublimation) technology is known to research for the plane evaporation of the organic film.[5] Using TPS technology, the plane source evaporation of NPB organic film has been studied for the first time. The NPB organic film consists of nano scale film phase and bulk phase on a substrate. The 400 ${\AA}$ in film phase thickness of NPB sublimates at the $175^{\circ}$ of the Ta made metal plate. It was proved that the sublimation temperature of the organic film has much lower than that of the organic powder. ($130^{\circ}$ is lower for Alq3 and $90^{\circ}$ is lower for NPB.)

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1603-1606
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• 2007

The TPS (Temperature Programmed Sublimation) technology has been developed to monitor the plane evaporation of the organic films and introduced in SID2007, P53.[4] The Alq3 organic film is deposited on various metal surface such as Cu, Ti, Invar, STS to sublimate. The TPS signal confirms that the Alq3 film consists of nano scale film phase and bulk phase on all the metal plates. The sublimation temperature of the Alq3 film was much lower ($130^{\circ}C$) than the vapor temperature ($265^{\circ}$) of the Alq3 powder.