A compact and two-dimensional atomic force microscope (AFM) using an orthogonal sample scanner, a calibrated homodyne laser interferometer and a commercial AFM head was developed for use in the nanometrology field. The x and y position of the sample with respect to the tip are acquired by using the laser interferometer in the open-loop state, when each z data point of the AFM head is taken. The sample scanner which has a motion amplifying mechanism was designed to move a sample up to $100{\times}100{\mu}m^2$ in orthogonal way, which means less crosstalk between axes. Moreover, the rotational errors between axes are measured to ensure the accuracy of the calibrated AFM within the full scanning range. The conventional homodyne laser interferometer was used to measure the x and y displacements of the sample and compensated via an X-ray interferometer to reduce the nonlinearity of the optical interferometer. The repeatability of the calibrated AFM was measured to sub-nm within a few hundred nm scanning range.
Ab initio periodic Hartree-Fock calculations with the full potential and minimum basis set are applied to interpretation of scanning tunneling microscope (STM) and atomic force microscope (AFM) images on 1TVTe2. Our results show that the simulated STM image shows asymmetry while the simulated AFM image shows the circular electron densities at the bright spots without asymmetry of electron density to agree with the experimental AFM image. The bright spots of both the STM and AFM images of VTe2 are associated with the surface Te atoms, while the patterns of bright spots of STM and AFM images are different.
Park Jeong-Woo;Lee Deug-Woo;Kawasegi Noritaka;Morita Noboru
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2005.10a
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pp.268-271
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2005
Etch resistance of mask layer on silicon substrate modified by AFM-based Tribo-Nanolithography (TNL) in Aqueous Solution in an aqueous solution was demonstrated. n consists or sequential processes, nano-scratching and wet chemical etching. The simple scratching can form a mask layer on the silicon substrate, which acting as an etching mask. For TNL, a specially designed cantilever with diamond tip, allowing the formation of mask layer on silicon substrate easily by a simple scratching process, has been applied instead of conventional silicon cantilever fur scanning. This study demonstrates how the TNL parameters can affect the etch resistance of mask layer, hence introducing a new process of AFM-based maskless nanolithography in aqueous solution.
Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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2000.11a
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pp.643-648
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2000
The AFM is an imaging tool or a profiler with unprecedented 3-D resolution for various surface types. The AFM technology, however, leaves a lot of room for improvement due to its delicate and fragile probing mechanism. The distance between probe tip and sample surface must be maintained in below the nano meter level in order to measure the sample surface in Angstrom resolution. In this paper, the mode analysis of AFM system, modification based on the mode analysis are performed and finally the sample surface is measured by the home-built AFM.
Neuromorphic systems require integrated structures with high-density memory and selector devices to avoid interference and recognition errors between neighboring memory cells. To improve the performance of a selector device, it is important to understand the characteristics of the switching process. As changes by switching cycle occur at local nanoscale areas, a high-resolution analysis method is needed to investigate this phenomenon. Atomic force microscopy (AFM) is used to analyze the local changes because it offers nanoscale detection with high-resolution capabilities. This review introduces various types of AFM such as conductive AFM (C-AFM), electrostatic force microscopy (EFM), and Kelvin probe force microscopy (KPFM) to study switching behaviors.
We found that SOG which had been used in plarnarization of VLSI circuit fabrication at present could be used as a resist material for AFM lithography. In this experiment on the basis of previous studies, we improved the process flexibility by controlling the coating film thickness, etching time, etching selectively and proper applied voltage on the pattern size to apply for practical VLSI lithography process. We obtained pattern with the current of 5 nA at 60 V. The line width was 800 $\AA$. With the developed flexibility of SOG as a resist material, AFM lithography will be a expedient technique in the next generation DRAM fabrication.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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v.13
no.6
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pp.30-36
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2014
Many different cells types have been found to be highly sensitive to mechanical force imposed by their surroundings. The cellular response to external mechanical forces has very important effects on numerous biological phenomena. In spite of its importance in biological processes, the cell adhesion force remains difficult to measure quantitatively at the cellular level. In this paper, to enhance quantitative measurements of cell adhesive interactions, a new attaching system and a method in which a glass bead can be attached to an AFM cantilever was designed and fabricated, and the degree of range displacement was controlled in the system. In an experiment, the movement of the stage in the attaching system and the attaching process were measured. The effectiveness of this system was confirmed as well in the experiment. In addition, through a commercial AFM system, the spring constant of the modified AFM probe could be measured.
For a survey of the occurrence of aflatoxin M$_{1}$ (AFM$_{1}$) in domestic cow's milk, we developed an enzyme-linked immunosorbent assay (ELISA) system, and quantitated the toxin in cow's milk. In order to produce specific antibodies AFM, conjugated to bovine serum albumin (AFM$_{1}$-BSA) and Freund's adjuvant were immunized subcutaneously to rabbits. By use of the antiserum showing the highest titer and AFB$_{1}$-HRP conjugate, we established a competitive direct ELISA (cdELISA) for AFM$_{1}$, whose detection limit was 0.003 ppb. The cross-reactivities of the antiserum against aflatoxin M$_{1}$ M$_{2}$, B$_{1}$, B$_{2}$, G$_{1}$, G$_{2}$, B$_{2a}$, and G$_{2a}$, were 100, 29.9, 25.0, 2.7, 13.0, 0.65, 0, and 0%, respectively. When the cdELISA was applied to the cow's milk spiked with AFM$_{1}$ and followed by cleanup with C$_{18}$ cartridge, the mean recovery of the assay was 104% (mean of CV, 6.4%) in the final concentration of 0.01-1 ppb (10-1, 000 ppt). When cow's milk samples gathered from markets and farms were assayed by the cdELISA, the mean concentration and SD of AFM$_{1}$ was 80.4 $\pm$ 55.0 ppt (n=64; range, 5.6-280 ppt).
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.13
no.1
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pp.35-38
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2012
In this study, we have attempted to characterize the photovoltaic effect in real-time measurement of photoinduced current in a poly-Si-based solar cell using photoconductive atomic force microscopy (PC-AFM). However, the high contact resistance that originates from the metal-semiconductor Schottky contact disturbs the current flow and makes it difficult to measure the photoinduced current. To solve this problem, a thin metallic film has been coated on the surface of the device, which successfully decreases the contact resistance. In the PC-AFM analysis, we used a metal-coated conducting cantilever tip as the top electrode of the solar cell and light from a halogen lamp was irradiated on the PC-AFM scanning region. As the light intensity becomes stronger, the current value increases up to $200{\mu}A$ at 80 W, as more electrons and hole carriers are generated because of the photovoltaic effect. The ratio of the conducting area at different conditions was calculated, and it showed a behavior similar to that generated by a photoinduced current. On analyzing the PC-AFM measurement results, we have verified the correlation between the light intensity and photoinduced current of the poly-Si-based solar cell in nanometer scale.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.23
no.6
s.183
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pp.96-103
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2006
To establish of standard technique of nano-length measurement in 2D plane, new AFM system has been designed. In the long range (about several tens of ${\mu}m$), measurement uncertainty is dominantly affected by the Abbe error of XY scanning stage. No linear stage is perfectly straight; in other words, every scanning stage is subject to tilting, pitch and yaw motion. In this paper, an AFM system with minimum offset of XY sensing is designed. And XY scanning stage is designed to minimize rotation angle because Abbe errors occur through the multiply of offset and rotation angle. To minimize the rotation angle optimal design has performed by maximizing the stiffness ratio of motion direction to the parasitic motion direction of each stage. This paper describes the design scheme of full AFM system, especially about XY stage. Full range of fabricated XY scanner is $100{\mu}m\times100{\mu}m$. And tilting, pitch and yaw motion are measured by autocollimator to evaluate the performance of XY stage. As a result, XY scanner can have good performance. Using this AFM system, 3um pitch specimen was measured. The uncertainty of total system has been evaluated. X and Y direction performance is different. X-direction measuring performance is better. So to evaluate only ID pitch length, X-direction scanning is preferable. Its expanded uncertainty(k=2) is $\sqrt{(3.96)^2+(4.10\times10^{-5}{\times}p)^2}$ measured length in nm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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