• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.25 no.6
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• pp.272-279
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• 2015

$Y_2O_3:Eu^{3+}$ is an excellent red-emitting phosphor, which has been widely used for display devices due to highly luminescent property and chemical stability. In this study, $Y_2O_3:Eu^{3+}$ red phosphors were prepared using the solid state reaction and RF thermal plasma synthesis. The particle size of $Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors obtained by the solid state reaction varied from 10 to $20{\mu}m$, and 30~100 nanometer sized $Y_2O_3:Eu^{3+}$ particles were obtained from a liquid form of raw material through RF thermal plasma synthesis without an additional heat treatment. Photoluminescence measurements of the obtained $Y_2O_3:Eu^{3+}$ particles showed a red emission peak at 611 nm ($^5D_0{\rightarrow}^7F_2$). PL intensity of red nano phosphors prepared by RF thermal plasma synthesis was comparable to that of red phosphors prepared by the solid state reaction, indicating that nano-sized $Y_2O_3:Eu^{3+}$ red phosphors could be successfully synthesized using one-step process of RF thermal plasma.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.375-375
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• 2012

최근 차세대 평판 디스플레이의 응용에 많은 주목을 받고 있는 AMOLED의 경우 전류구동 방식이기 때문에 a-Si TFT 보다는 LTPS-TFT가 요구되며, 대면적 기판에서의 결정립 크기의 균일도가 매우 중요한 인자이다. 비정질 실리콘 박막 상부 혹은 하부에 도전층을 개재하고, 상기도전층에 전계를 인가하여 그것의 주울 가열에 의해 발생한 고열에 의해 비정질 실리콘 박막을 급속 고온 고상 결정화하는 방법에 관한 기술인 JIC (Joule-heating Induced Crystallization) 결정화 공정은 기판 전체를 한번에 결정화 하는 방법이다. JIC 결정화 공정에 의하여 제조된 JIC poly-Si은 결정립 크기의 균일성이 우수하며 상온에서 수 micro-second내에 결정화를 수행하는 것이 가능하고 공정적인 측면에서도 별도의 열처리 Chamber가 필요하지 않는 장점을 가지고 있다. 그러나 고온 고속 열처리 방법인 JIC 결정화 공정을 수행 하면 Arc에 의하여 시편이 파괴되는 현상이 발견되었다. 본 연구에서는 Arc현상의 원인을 파악하기 위해 전압 인가 조건 및 시편 구조 조건을 변수로 결정화실험을 진행하였다. ARC가 발생하는 Si층과 Electrode 계면을 식각 분리하여 Electrode와 Si층 사이의 계면이 형성되지 않는 조건에서 전계를 인가하는 실험을 통하여 JIC 결정화 공정 중 고온에 도달하게 되면, a-Si층이 변형되어 형성된 poly-Si층이 전도성을 띄게 되고 인가된 전압이 도전층과 Poly-Si 사이에 위치한 $SiO_2$의 절연파괴(Dielectric breakdown)전압보다 높을 경우 전압 인가 방향에 수직으로 $SiO_2$가 절연 파괴되며 면저항 형태의 전도층의 단락이 진행되며 전도층이 완전히 단락되는 순간 Arc가 발생한다는 것을 관찰 할 수 있었다. 본 실험의 연구 결과를 바탕으로 Arc 발생을 방지하는 다양한 구조의 Equi-Potential 방법이 개발되었다.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• v.9
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• pp.71-74
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• 1999

We have fabricated high-T$_c$ superconducting YBa$_2Cu_3O_{7-{\delta}}\;/SrTiO_3/\;YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ (YBCO/STO/YBCO) multilayer structure on (001) $SrTiO_3$ substrate by using pulsed laser deposition technique for applying to ground plane of single flux quantum digital circuits. In this structure, the top and bottom YBCO layers were connected through the holes in the STO insulating layer. The critical temperature of the two YBCO layers connected each other was 86 K after annealing at 500 $^{\circ}C$ in $O_2$ atm for about 60 hr. This result shows that the annealing process is very important fabricating YBCO/STO/YBCO multilayer structure An experiment to optimize the fabrication process of YSCO/ST0/YBCO multilayer structure with good quality is in progress.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.51 no.2
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• pp.163-170
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• 2013

Selective catalytic reduction of $NO_x$ by $NH_3$ ($NH_3$-SCR) over $V_2O_5/TiO_2$-based catalysts is recently reported to be an anthropogenic emitter of $N_2O$ that is a global warming gas with a global warming potential of 310. Therefore, this review will get a touch on significance of some parameters regarding $N_2O$ formation in the $deNO_xing$ reaction for fossil fuels-fired power plants applications. The $N_2O$ production in $NH_3$-SCR reaction with such catalysts occurs via side reactions between $NO_x$ and $NH_3$ in addition to $NH_3$ oxidation, and the extent of these undesired reactions depends strongly on the loadings of $V_2O_5$ as a primary active component and the promoter as a secondary one ($WO_3$ and $MoO_3$) in the SCR catalysts, the feed and operating variables such as reaction temperature, $NO_2/NO_x$ ratio, oxygen concentration, gas hourly space velocity, water content and thermal excursion, and the physical and chemical histories of the catalysts on site. Although all these parameters are associated with the $N_2O$ formation in $deNO_xing$ reaction, details of some of them have been discussed and a better way of suppressing the $N_2O$ production in commercial SCR plants has been proposed.

• Journal of Surface Science and Engineering
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• v.55 no.6
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• pp.363-367
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• 2022

Transparent ZnO/Ti/ZnO (ZTZ) tri-layered films were prepared with radio frequency (RF) and direct current (DC) magnetron sputtering on the glass substrate. The thickness of the ZnO and Ti films was kept at 50 and 10 nm to consider the effect of the electron irradiation on the crystallization and optoelectrical properties of the films. From the XRD spectra, post-depostion electron irradiated films showed the characteristic peaks of ZnO(002) and Ti(200), respectively. the observed grain size of the ZnO(002) and Ti(200) enlarged up to 18.27 and 12.16 nm at an irradiation condition of 750 eV. In the figure of merit which means an optoelectrical performance of the films, as deposited films show a figure of merit of 2.0×10^-5 𝛺^-1, while the films electron irradiated at 750 eV show a higher figure of merit of 5.7×10^-5 𝛺^-1.

• Cement
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• s.87
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• pp.48-50
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• 1982

화학적인 면에서 황색 clinker를 생성하는 근본원인은 $Fe^{3+}$이온이 $Fe^{3+}$이온으로 되거나, $Mg^{2+}$이온이 $Fe^{3+}$에 작용할수 없는 경우다. 이러한 원인이 생기는 공정상의 요인으로는 전체적 또는 부분적인 환원분위기, 화염접촉 및 과소, 원료에 산화물이 함유된 경우, 서냉 또는 1,250$^{\circ}C$이하에서 냉각, 기타 MgO, $MnO_2$, $Cr_2O_3$, $TiO_2$ 등 미량성분의 경향을 들 수 있다. 환원분위기의 경우에는 free CaO의 증가, $C_3S$의 감소로 인한 강도저하와 $C_3A$ 증가, $C_4AF$ 감소에 의한 조기 경화를 초래하게 되어 품질이 저하된다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.19 no.2
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• pp.236-241
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• 2008

The possibility of silicon oxidation through the aerial-diffusion of active oxygen species has been evaluated. The species originate from the surface of $TiO_2$ exposed by UV. Among process parameters such as UV intensity, substrate temperature and chamber pressure with oxygen, UV intensity was a major parameter to the influence on the oxide growth rate. When 1 kW high pressure Hg lamp was used as a UV source, the growth rate of silicon oxide was 8 times as faster as that of a 60 W BLB lamp. However, as the chamber pressure increased, the growth rate was declined due to the suppression of aerial diffusion of active oxygen species. According to the results, it could be confirmed that the aerial-diffusion of active oxygen species from UV-irradiated photocatalytic surface can be applied to a new method for preparing an ultra-thin silicon oxide at the range of relatively low temperature.

• Journal of Nuclear Fuel Cycle and Waste Technology(JNFCWT)
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• v.10 no.4
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• pp.229-236
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• 2012

A molten salt technology using $Li_2O$-LiCl has been extensively investigated to recover uranium metal from spent fuels in the field of nuclear energy. In the reduction process, it is an important point to maintain the concentration of $Li_2O$. $ZrO_2$ is inevitably contained in the spent fuels because Zr is one of the main components of fuel rod hulls. Therefore, the fate of $ZrO_2$ in $Li_2O$-LiCl molten salt has been investigated. It was found that $Li_2ZrO_3$ and $Li_4ZrO_4$ were formed chemically and electrochemically and they were not reduced to Zr. The recycling of $Li_2O$ is the key mechanism ruling the total reaction in the electrolytic reduction process. However, $ZrO_2$ will have a role as a $Li_2O$ sink.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.258-258
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• 2016

최근 디스플레이 산업의 발전에 따라 고성능 디스플레이가 요구되며, 디스플레이의 백플레인 (backplane) TFT (thin film transistor) 구동속도를 증가시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 트랜지스터의 구동속도를 증가시키기 위해 높은 이동도는 중요한 요소 중 하나이다. 그러나, 기존 백플레인 TFT에 주로 사용된 amorphous silicon (a-Si)은 대면적화가 용이하며 가격이 저렴하지만, 이동도가 낮다는 (< $1cm2/V{\cdot}s$) 단점이 있다. 따라서 전기적 특성이 우수한 산화물 반도체가 기존의 a-Si의 대체 물질로써 각광받고 있다. 산화물 반도체는 비정질 상태임에도 불구하고 a-Si에 비해 이동도 (> $10cm2/V{\cdot}s$)가 높고, 가시광 영역에서 투명하며 저온에서 공정이 가능하다는 장점이 있다. 하지만, 차세대 디스플레이 백플레인에서는 더 높은 이동도 (> $30cm2/V{\cdot}s$)를 가지는 TFT가 요구된다. 따라서, 본 연구에서는 차세대 디스플레이에서 요구되는 높은 이동도를 갖는 TFT를 제작하기 위하여, amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) 채널하부에 화학적으로 안정하고 전도성이 뛰어난 SnO2 채널을 얇게 형성하여 TFT를 제작하였다. 표준 RCA 세정을 통하여 p-type Si 기판을 세정한 후, 열산화 공정을 거쳐서 두께 100 nm의 SiO2 게이트 절연막을 형성하였다. 본 연구에서 제안된 적층된 채널을 형성하기 위하여 5 nm 두계의 SnO2 층을 RF 스퍼터를 이용하여 증착하였으며, 순차적으로 a-IGZO 층을 65 nm의 두께로 증착하였다. 그 후, 소스/드레인 영역은 e-beam evaporator를 이용하여 Ti와 Al을 각각 5 nm와 120 nm의 두께로 증착하였다. 후속 열처리는 퍼니스로 N2 분위기에서 $600^{\circ}C$의 온도로 30 분 동안 실시하였다. 제작된 소자에 대하여 TFT의 전달 및 출력 특성을 비교한 결과, SnO2 층을 형성한 TFT에서 더 뛰어난 전달 및 출력 특성을 나타내었으며 이동도는 $8.7cm2/V{\cdot}s$에서 $70cm2/V{\cdot}s$로 크게 향상되는 것을 확인하였다. 결과적으로, 채널층 하부에 SnO2 층을 형성하는 방법은 추후 높은 이동도를 요구하는 디스플레이 백플레인 TFT 제작에 적용이 가능할 것으로 기대된다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.33 no.1
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• pp.15-21
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• 2023

To prepare zinc oxide powder, three types of sodium-based alkali precipitants such as NaOH, Na₂CO₃, NaOH/NaHCO₃ were compared to the differences in the manufacturing process of zinc oxide powder from zinc precipitate products like intermediates with the consideration of thermodynamic reaction. The prepared zinc precipitate products by the reaction with the sodium-based alkali precipitant were confirmed to respectively hydroxy zinc chloride (Zn₅(OH)₈Cl₂·H₂O) and zinc carbonate hydroxide (Zn₅(OH)₆(CO₃)₂·H₂O) from XRD analysis. Zinc oxide particles were compared in heat treatment at 800℃ according to sodium-based alkali precipitants. The mixed NaOH and NaHCO₃ of alkali precipitant reaction was contributed to synthesize the more uniform zinc oxide particles.