• 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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• 한국소음진동공학회 2006년도 추계학술대회논문집
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• pp.187-192
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• 2006

The effect where the multiple sound arrest ing goes mad to the human being does the zone. From like that cotton, this dissertation the both sides flag executed the research regarding a sound arresting reduction in the object in one example. It compared the piping structure which generally is space-time and a specific piping structure and it tested and research and the modeling regarding a sound arresting reduction the simulation which leads and it executed result and comparison of existing it analyzed. The duplication where the reduction effect is bigger the result general VG2 piping structure than escape it did with the fact that it appears the large effect the piping structure which it connects. Also, the straight pipe effect of multiple sound arresting could not go mad with the fact that.

• 한국항해항만학회지
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• 제28권3호
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• pp.213-219
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• 2004

본 논문에서는 1,452∼l,492 MHz L-Band 대역의 위성 DAB 수신기를 위한 저잡음증폭기를 입ㆍ출력 반사계수와 전압정재파비를 개선하기 위하여 평형증폭기 형태로 설계 및 제작하였다. 저 잡음증폭기는 GaAs FET소자인 ATF-10136을 사용한 저 잡음증폭단과 MMIC 소자인 VNA-25을 사용한 이득증폭단을 하이브리드 방식으로 구성하였으며, 최적의 바이어스를 인가하기 위하여 능동 바이어스 회로를 사용하였다. 적용된 능동 바이어스 회로는 소자의 펀치오프전압($V_P$)과 포화드래인 전류($I_{DSS}$)의 변화에 따라 주어진 바이어스 조건을 만족시키기 위해 소스 저항과 드래인 저항의 조절이 필요없다. 즉, 능동 바이어스 회로는 요구된 드래인 전류와 전압을 공급하기 위해 게이트-소스 전압($V_{gs}$)을 자동적으로 조절한다. 저잡음증폭기는 바이어스 회로와 RF 회로를 FR-4기판 위에 제작하였고, 알류미늄 기구물에 장착하였다. 제작된 저잡음증폭기는 이득 32 dB, 이득평탄도 0.2 dB, 0,95 dB 이하의 잡음지수, 입ㆍ출력 전압정재파비는 각각 1.28, 1.43이고, $P_{1dB}$ 는 13 dBm으로 측정되었다.

• 유공압시스템학회:학술대회논문집
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• 유공압시스템학회 2010년도 춘계학술대회
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• pp.12-17
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• 2010

The poppet valve had used every field area due to high quality of leakage property and response characteristic. But this valve still has terrible disadvantage that is self-exited vibration. This problem affects stability of total system and raises noise. The researcher tries to reduce that self-exited vibration when valve was designed. The stability discriminant is the typical study to improve the performance of the poppet valve. This paper concerns about stability discriminant that uses poppet valve with a drain orifice. At the first, the mathematical model is computed from poppet valve. After that, the limitation of stability is calculated that based on Nyquist criterion. At the final, the stability discriminant is selected in each condition and the graph that shows stability in the system is drown by dimensionless quantity.

• Journal of Power Electronics
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• 제2권2호
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• pp.139-145
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• 2002

Because conventional switching converters have been usually using unbalanced circuit topologies, parasitice between the drain/collertor of an active switch and frame ground through its heat sink may generate the commom-mode conducted noise. We have proposed a balanced switching converter circuit, whitch is an effective way to reduce the commom-mode converter version of the balanced switching converter was presented and the mechanism of the commom-mode noise reduction was explained using equivalent circuits. This paper extends the concept of the balanced switch converter circuit and presents a buck-boost converter version of the blanced switching converter. The feature of common-mode niose reduction is confirmed by experimental resuits and the mechanisem of the commom-mode niose reduction is explained using equivalent circuits.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제48권11호
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• pp.89-94
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• 2011

본 논문에서는 밀리미터파 Tuner system을 이용하여 밀리미터파 탐색기에 적용 가능한 W-band MMIC 저잡음 증폭기를 구현하였다. 저잡음 증폭기를 위해 구현된 MHEMT의 측정결과 692mA/mm의 드레인 전류 밀도, 726mS/mm의 최대전달컨덕턴스를 얻었으며, RF 특성으로 전류이득차단주파수는 195GHz, 최대공진주파수는 305GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 제작된 W-band 저잡음 증폭기의 측정결과 94GHz에서 7.42dB의 우수한 S21 이득 특성을 얻었으며, 잡음 지수의 측정결과 94.2GHz에서 2.8dB의 잡음 특성을 얻었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 연구회
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• pp.148-152
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• 2001

One set of MMIC library has been developed using gate recess etching by spin processor. It is superior than that of dipping Method in the uniformity and the reproducibility of gate recess. A DC characteristics of p-HEMT have a uniform characteristics in the whole wafer than that of dipping method. The low noise p-HEMT with the $0.6{\mu}m$ and $200{\mu}m$ of gate length and gate width, respectivily, has a uniform characteristics of Idss 130~145 mA, conductances 190~220mS/nm, and threshold voltage -0.7~-1.1V in the drain voltage of 2V.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권3호
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• pp.1-8
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• 2004

본 연구에서는 소오스와 드레인 근처에 포켓형상으로 이온이 주입되어 halo구조를 갖고 있는 MOSFET 소자의 1/f 잡음 특성에 대하여 고찰하였다. 채널 방향으로 전도도가 균일하지 않은 MOSFET 소자가 선형영역에서 동작할 때, 영역구분 근사기법(regional approach)을 근간으로 논의된 기존의 1/f 잡음모델을 영역별로 서로 다른 전기적 성질이 정의될 수 있는 halo MOSFET 소자에 적용하여 그 타당성을 조사하였다. 잡음모델의 검증을 위하여 기존의 모델에서와 같이 영역구분 근사를 사용하여 보다 넓은 동작범위에서 적용될 수 있도록 기존의 모델식을 개선하였다. 개선된 잡음식은 선형영역에서 기존에 보고된 잡음식에 수렴한다. 실험적으로 측정된 1/f 잡음 특성과의 비교에서 영역구분 근사기법으로 정리된 잡음식은 게이트 전압이 비교적 큰 경우에 한해서 적용될 수 있음을 보였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제2권1호
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• pp.15-23
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• 1998

본 논문에서는 DGFET를 이용한 초고주파용 분포형 믹서가 연구되었다. 분포형 믹서 회로는 게이트, 드레인 전송선로와 입, 출력단에서 정합회로 및 DGFET들로 구성된다. RF와 LO신호가 각 게이트 전송선로의 입력 단에 인가되면, DGFET의 전달 컨덕턴스를 통해 드레인 전송선로로 전달되며, 각 드레인단의 출력된 신호들은 설계에 따라 동위상으로 더해지게 되고, 이러한 형태의 믹서는 변환이득을 개선할 수 있을 뿐만 아니라 각 소자의 임피던스가 전송선로에 흡수되므로 초광대역을 특성을 갖는다. 또한, 보다 높은 주파수까지 광대역 특성을 갖게 하기 위해서 각 전송선로의 입 출력 단에 m-유도 영상 임피던스 개념을 도입하여 입 출력 단을 정합 하였다, 이러한 분포형 믹서를 마이크로스트립 기판 위에 설계 및 제작하였고 광대역 특성 및 변환이득, RF/LO 분리도 등을 컴퓨터 시뮬레이션 및 실험을 통해 검증하였다.

• 센서학회지
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• 제6권3호
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• pp.194-199
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• 1997

자기센서가 전압이나 전류의 형태 그대로 출력되는 경우에 발생되는 잡음 유입 및 전압 손실 문제를 개선하기 위하여 소자부는 CMOS공정을 이용하여, 포화영역에서 동작하는 2 drain의 MAGFET을 설계 제작하고, 연산증폭기를 이용한 I-V변환회로, VCO(Voltage Controlled Oscillator)를 만들고 Schmitt trigger에 의한 주파수(Pulse) 변환회로의 시스템부를 하이브릿드 IC로 구성하여 packaging했다. 이 때 자기센서 절대감도는 1.9 V/T, 적감도는 $3.2{\times}10^{4}\;V/A{\cdot}T$ 이었으며 190 kHz/T의 안정된 출력 주파수 특성을 얻을 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제11권3호
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• pp.169-181
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• 2011

In this present paper, a comprehensive drain current model incorporating the effects of channel length modulation has been presented for multi-layered gate material engineered trapezoidal recessed channel (MLGME-TRC) MOSFET and the expression for linearity performance metrics, i.e. higher order transconductance coefficients: $g_{m1}$, $g_{m2}$, $g_{m3}$, and figure-of-merit (FOM) metrics; $V_{IP2}$, $V_{IP3}$, IIP3 and 1-dB compression point, has been obtained. It is shown that, the incorporation of multi-layered architecture on gate material engineered trapezoidal recessed channel (GME-TRC) MOSFET leads to improved linearity performance in comparison to its conventional counterparts trapezoidal recessed channel (TRC) and rectangular recessed channel (RRC) MOSFETs, proving its efficiency for low-noise applications and future ULSI production. The impact of various structural parameters such as variation of work function, substrate doping and source/drain junction depth ($X_j$) or negative junction depth (NJD) have been examined for GME-TRC MOSFET and compared its effectiveness with MLGME-TRC MOSFET. The results obtained from proposed model are verified with simulated and experimental results. A good agreement between the results is obtained, thus validating the model.