• 한국자기학회지
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• 제23권4호
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• pp.117-121
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• 2013

본 연구에서는 대표적인 강자성 금속인 Fe에 비자성 원소가 치환된 비교적 단순한 B2 구조의 FeX(X = Al, Si, Ni, Ga, Ge, Sn) 합금의 자기변형계수를 제일원리계산으로 수행하여 Fe 기반 합금이 희토류 원소 기반 자기변형 물질인 Terfenol을 대체할 수 있는 가능성을 탐색하였다. 계산방법으로 자성 연구에 가장 적합한 것으로 알려져 있는 총퍼텐셜 선형보강 평면파(Full-potential Linearized Augmented Plane Wave; FLAPW) 방법을 사용하였으며 일반화 물매근사(generalized gradient approximation: GGA)을 도입하여 전자 상호간의 교환-상관 퍼텐셜을 기술하였다. B2 구조의 FeX(X = Al, Si, Ni, Ga, Ge, Sn)의 합금들 중에 FeSi와 FeGe은 비자성 상태가, 그 외 나머지 합금은 강자성 상태가 안정된 것으로 계산되었다. FeAl, FeNi, FeGa, FeSn의 자기변형계수 는 각각 -5, +6, -84, -522ppm으로 계산되어 FeSn은 큰 자기변형을 가질 수도 있음을 예측하였다.

• 핵의학기술
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• 제27권2호
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• pp.111-127
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• 2023

Purpose: Gallium-68 (⁶⁸Ga) is increasingly used in nuclear medicine imaging for various conditions such as lymphoma and neuroendocrine tumors by labeling tracers like Prostate Specific Membrane Antigen (PSMA) and DOTA-TOC. However, compared to Fluorine-18 (¹⁸F) used in conventional nuclear medicine imaging, ⁶⁸Ga has lower spatial resolution and relatively higher Signal to Background Ratio (SBR). Therefore, this study aimed to investigate the optimized parameters and reconstruction methods for PET/CT imaging using the ⁶⁸Ga radiotracer through model-based image evaluation. Materials and Methods: Based on clinical images of ⁶⁸Ga-PSMA PET/CT, a NEMA/IEC 2008 PET phantom model was prepared with a Hot vs Background (H/B) ratio of 10:1. Images were acquired for 9 minutes in list mode using DMIDR (GE, Milwaukee WI, USA). Subsequently, reconstructions were performed for 1 to 8 minutes using OS-EM (Ordered Subset Expectation Maximization) + TOF (Time of Flight) + Sharp IR (VPFX-S), and BSREM (Block Sequential Regularized Expectation Maximization) + TOF + Sharp IR (QCFX-S-400), followed by comparative evaluation. Based on the previous experimental results, images were reconstructed for BSREM + TOF + Sharp IR / 2 minutes (QCFX-S-2min) with varying β-strength values from 100 to 700. The image quality was evaluated using AMIDE (freeware, Ver.1.0.1) and Advanced Workstation (GE, USA). Results: Images reconstructed with QCFX-S-400 showed relatively higher values for SNR (Signal to Noise Ratio), CNR (Contrast to Noise Ratio), count, RC (Recovery Coefficient), and SUV (Standardized Uptake Value) compared to VPFX-S. SNR, CNR, and SUV exhibited the highest values at 2 minutes/bed acquisition time. RC showed the highest values for a 10 mm sphere at 2 minutes/bed acquisition time. For small spheres of 10 mm and 13 mm, an inverse relationship between β-strength increase and count was observed. SNR and CNR peaked at β-strength 400 and then decreased, while SUV and RC exhibited a normal distribution based on sphere size for β-strength values of 400 and above. Conclusion: Based on the experiments, PET/CT imaging using the ⁶⁸Ga radiotracer yielded the most favorable quantitative and qualitative results with a 2 minutes/bed acquisition time and BSREM reconstruction, particularly when applying β-strength 400. The application of BSREM can enhance accurate quantification and image quality in ⁶⁸Ga PET/CT imaging, and an optimization process tailored to each institution's imaging objectives appears necessary.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권4A호
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• pp.566-572
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• 2000

일반적으로 광통신 시스템은 전기적 신호를 광신호로 바꾸어 주는 송신부와 전송되어 온 광신호를 전기적 신호로 변환하여 부는 수신부 및 송수신부 간의 정보를 전송해 주는 경로인 정보채널로 구성된다. 광통신 시스템의 동작속도를 개선하기 위해서는 송신부 및 수신부 회로들의 고속화가 필요하다. 디멀티플렉서는 고 비트율을 갖는 하나의 직렬 스트림을 원래의 낮은 비트율을 갖는 여러 병렬 스트림들로 환원하는 장치로, 광통신 시스템의 수신부에 사용된다. 본 논문에서는 고속 및 저전력 소자로 주목을 받고 있는 에미터 크기가 2$\times$8um2 인 SiGe HBT를 사용하여 1 : 4 디멀티플렉셔를 설계하였다. 설계된 회로의 동작속도는 10Gbps, 입력전압 및 출력전압은 각각 800mVp-p와 400mVp-p, 20-80% 간의 상승시간 및 하강시간은 각각 37ps와 36ps이며, 전력소모는 1.40W이다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제8권2호
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• pp.73-78
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• 2007

The crystallization temperature in GeTe solid electrolyte films was improved by in situ-nitrogen doping by rf magnetron co-sputtering technique at room temperature. The crystallization temperature of $250\;^{\circ}C$ in electrolyte films without nitrogen doping increased by approximately $300\;^{\circ}C$, $350\;^{\circ}C$, and above $400\;^{\circ}C$ in films deposited with nitrogen/argon flow ratios of 10, 20, and 30 %, respectively. A PMC memory device with $Ge_{45}Te_{55}$ solid electrolytes deposited with nitrogen/argon flow ratios of 20 % shows reproducible memory switching characteristics based on resistive switching at threshold voltage of 1.2 V with high $R_{off}/R_{on}$ ratios. Nitrogen doping into the silver saturated GeTe electrolyte films improves the crystallization temperature of electrolyte films and does not appear to have a negative impact on the switching characteristics of PMC memory devices.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.174-175
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• 2007

A programmable metallization cell (PMC) memory structure with copper-saturated GeTe solid electrolyte films doped by nitrogen was prepared on a TiW bottom electrode by a co-sputtering technique at room temperature. The $Ge_{45}Te_{55}$ solid electrolyte films deposited with various $N_2$/Ar flow ratios showed an increase of crystallization temperature and especially, the electrolyte films deposited at $N_2$/Ar ratios above 30% showed a crystallization temperature above $400^{\circ}C$, resulting in surviving in a back-end process in semiconductor memory devices. The device with a 200 nm thick $Cu_{1-x}(Ge_{45}Te_{55})_x$ electrolyte switches at 1 V from an "off " state resistance, $R_{off}$, close to $10^5$ to an "on" resistance state, Ron, more than 20rders of magnitude lower for this programming current.

• 한국진공학회지
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• 제7권1호
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• pp.24-28
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• 1998

n형 InGaAs에 대한 Pd/Ge계 오믹 특성을 조사하였다. 급속 열처리 방법에 의해 $400^{\circ}C$까지 우수한 오믹 특성을 나타내어 low-10-6$\Omega\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항을 보였으나, $425^{\circ}C$이 상에서는 오믹 금속과 InGaAs간의 상화 확산 및 상반응에 의해 오믹 특성이 저하되었다. $350^{\circ}C$이하에서는 상변화가 발생하지 않았지만, $375^{\circ}C$부근에서 상변태가 시작되어 $425^{\circ}C$이상 에서는 현저한 상변화가 관찰되었다. $425^{\circ}C$에서 열처리한 후에도 오믹 금속과 InGaAs와의 계면이 매우 평탄하였고, 오믹 금속의 표면도 $400^{\circ}C$까지 평탄하고 광택 있는 표면을 유지하 였다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제51권5호
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• pp.1428-1435
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• 2019

The total ionizing dose (TID) and non ionizing energy loss (NIEL) effects of 100 MeV phosphorous ($P^{7+}$) and 80 MeV nitrogen ($N^{6+}$) ions on 200 GHz silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBTs) were examined in the total dose range from 1 to 100 Mrad(Si). The in-situ I-V characteristics like Gummel characteristics, excess base current (${\Delta}I_B$), net oxide trapped charge ($N_{OX}$), current gain ($h_{FE}$), avalanche multiplication (M-1), neutral base recombination (NBR) and output characteristics ($I_C-V_{CE}$) were analysed before and after irradiation. The significant degradation in device parameters was observed after $100MeV\;P^{7+}$ and $80MeV\;N^{6+}$ ion irradiation. The $100MeV\;P^{7+}$ ions create more damage in the SiGe HBT structure and in turn degrade the electrical characteristics of SiGe HBTs more when compared to $80MeV\;N^{6+}$. The SiGe HBTs irradiated up to 100 Mrad of total dose were annealed from $50^{\circ}C$ to $400^{\circ}C$ in different steps for 30 min duration in order to study the recovery of electrical characteristics. The recovery factors (RFs) are employed to analyse the contribution of room temperature and isochronal annealing in total recovery.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제12권2호
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• pp.167-174
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• 2012

본 논문에서는 IEEE 802.3ah의 규격을 만족하는 GE-PON의 버스트모드 트랜시버 제작을 위하여 상용 광모듈과 클락 데이터 복구기, 직병렬변환기 등의 회로로 트랜시버를 구현하며, PON의 상향채널 광전송환경인 버스트모드 특성을 측정하기 위해 지그를 제작하여 그 특성을 측정하고, 트랜시버 성능을 평가한다. PON의 버스트모드 트랜시버 특성의 리미팅 앰프 특성은 최대 26[dB]의 광전력차를 보상하는 결과를 실험을 통해 확인하였고, 개시포착 고정시간은 VSC7123이 670[ns], S2060이 2300[ns]로 결과치가 측정되었고, 데이터포착 고정시간 또한 S2060은 600[ns]로 표준을 벗어나는 특성을 보인 반면, VSC7123이 400[ns] 이내로 IEEE 802.3ah의 표준안을 만족시켰다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제32권5호
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• pp.376-381
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• 2019

In this work, we evaluated the structural, electrical and optical properties of $Ge_8Sb_2Te_{11}$ and Cu-doped $Ge_8Sb_2Te_{11}$ thin films prepared by rf-magnetron reactive sputtering. The 200-nm-thick deposited films were annealed in a range of $100{\sim}400^{\circ}C$ using a furnace in an $N_2$ atmosphere. The amorphous-to-crystalline phase changes of the thin films were investigated by X-ray diffraction (XRD), UV-Vis-IR spectrophotometry, a 4-point probe, and a source meter. A one-step phase transformation from amorphous to face-centered-cubic (fcc) and an increase of the crystallization temperature ($T_c$) was observed in the Cu-doped film, which indicates an enhanced thermal stability in the amorphous state. The difference in the optical energy band gap ($E_{op}$) between the amorphous and crystalline phases was relatively large, approximately 0.38~0.41 eV, which is beneficial for reducing the noise in the memory devices. The sheet resistance($R_s$) of the amorphous phase in the Cu-doped film was about 1.5 orders larger than that in undoped film. A large $R_s$ in the amorphous phase will reduce the programming current in the memory device. An increase of threshold voltage ($V_{th}$) was seen in the Cu-doped film, which implied a high thermal efficiency. This suggests that the Cu-doped $Ge_8Sb_2Te_{11}$ thin film is a good candidate for PRAM.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.100-100
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• 2011

포항가속기연구소에서는 제3세대 방사광가속기 성능향상사업(PLS-II)을 수행하고 있다. 2010년 12월 말 PLS (Pohang light Source) 해체를 시작한 후 2011년 6월 말 까지 PLS-II 저장링 건설을 완료 하였으며 현재 시운전을 계속하고 있다. 성능향상은 기존 PLS 건물을 그대로 유지한 채 삽입장치를 20기 까지 설치하도록 변경하도록 하였으며 전자빔의 에너지는 2.5 GeV에서 3 GeV로, 빔전류는 200 mA에서 400 mA로 증가시키는 반면 빔에미턴스는 약 1/3로 줄인다. 저장링 진공시스템은 저장된 전자가 충분한 시간동안 저장되도록 운전시 2${\times}$10-9 Torr 이하의 진공도를 가지도록 건설하였다. 본 발표에서는 지난 2년 동안 진행되어온 PLS-II 저장링 진공시스템에 대한 설계, 제작, 시험, 설치, 시운전 및 건설 일정/인력에 등에 대하여 보고하며 PLS 건설 및 해체에 대한 내용도 보고한다.