• 제목/요약/키워드: 40-GHz

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Millimeter-wave Dielectric Ceramics of Alumina and Forsterite with High Quality factor and Low Dielectric Constant

  • Ohasto, Hitoshi;Tsunooka, Tsutomu;Ando, Minato;Ohishi, Yoshihiro;Miyauchi, Yasuharu;Kakimoto, Ken ichi
    • 한국세라믹학회지
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    • 제40권4호
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    • pp.350-353
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    • 2003
  • Millimeter-wave dielectric ceramics have been used like applications for ultrahigh speed wireless LAN because it reduces the resources of electromagnetic wave, and Intelligent Transport System (ITS) because of straight propagation wave. For millimeterwave, the dielectric ceramics with high quality factor (Q$.$f), low dielectric constant($\varepsilon$), and nearly zero temperature coefficient of resonant frequency ($\tau$) are needed. No microwave dielectric ceramics with these three properties exist except Ba(Mg$\_$1/3/Ta/sub1/3/)O$_3$ (BMT), which has a little high s: In this paper, alumina (Al$_2$O$_3$) and fosterite (Mg$_2$SiO$_4$), candidates for millimeter-wave applications, were studied with an objective to get high q$.$f and nearly zero $\tau$$\_$f/ For alumina ceramics, q$.$f more than 680,000 GHz was obtained but it was difficult to obtain nearly zero Qf. On the other hand, for forsterite ceramics, q$.$f was achieved from 10,000 GHz of commercial for sterite to 240,000 GHz of highly purified MgO and SiO$_2$ raw materials, and $\tau$$\_$f/ was reduced a few by adding TiO$_2$ with high positive $\tau$$\_$f/.

이중대역 무선랜 응용을 위한 높은 격리도와 선형성을 갖는 MMIC SPDT 스위치 (High Isolation and Linearity MMIC SPDT Switch for Dual Band Wireless LAN Applications)

  • 이강호;구경헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제43권1호
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    • pp.143-148
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    • 2006
  • 본 논문에서는 이중대역 무선랜 응용을 위한 SPDT(single-pole double-throw) 스위치를 설계 및 제작하였다. 높은 격리도와 송신단의 선형성을 개선하기 위해 적층-게이트(stacked-gate)를 이용하는 비대칭구조를 제안하였다. 제안한 SPDT 스위치의 트랜지스터의 게이트-폭과 제어전압 그리고 적층-게이트의 개수는 모의실험을 통해 최적의 값으로 설계되었고, 500mS/mm의 Gmmax와 150GHz의 fmax를 갖는 $0.25{\mu}m$ GaAs pHEMT 공정을 이용하여 제작하였다. 설계된 스위치는 $DC\~6GHz$ 대역에서 0.9dB 이하의 삽입손실과 송신시 40dB 이상의 격리도와 수신시 25dB 이상의 격리도를 나타내었고, -3/0V 제어전압으로 23dBm의 입력 PldB 를 보였다. 제작된 SPDT 스위치는 $1.8mm{\times}1.8mm$의 면적을 갖는다.

High Conversion Gain Q-band Active Sub-harmonic Mixer Using GaAs PHEMT

  • Uhm, Won-Young;Lee, Bok-Hyung;Kim, Sung-Chan;Lee, Mun-Kyo;Sul, Woo-Suk;Yi, Sang-Yong;Kim, Yong-Hoh;Rhee, Jin-Koo
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제3권2호
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    • pp.89-95
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    • 2003
  • In this paper, we have designed and fabricated high conversion gain Q-band active sub-harmonic mixers for a receiver of millimeter wave wireless communication systems. The fabricated active sub-harmonic mixer uses 2nd harmonic signals of a low local oscillator (LO) frequency. The fabricated mixer was successfully integrated by using $0.1{\;}\mu\textrm{m}$GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors (PHEMTs) and coplanar waveguide (CPW) structures. From the measurement, it shows that maximum conversion gain of 4.8 dB has obtained at a RF frequency of 40 GHz for 10 dBm LO power of 17.5 GHz. Conversion gain from the fabricated sub-harmonic mixer is one of the best reported thus far. And a phase noise of the 2nd harmonic was obtained -90.23 dBc/Hz at 100 kHz offset. The active sub-harmonic mixer also ensure a high degree of isolations, which are -35.8 dB from LO-to-IF and -40.5 dB from LO-to-RF, respectively, at a LO frequency of 17.5 GHz.

패턴 변환 루프 구조를 가지는 마이크로스트립 패치 안테나 (Pattern-Switchable Microstrip Patch Antenna with Loop Structure)

  • 김용진
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제13권11호
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    • pp.5447-5451
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    • 2012
  • 본 논문은 마이크로스트립 패치 안테나에 루프구조를 추가하여 방사패턴의 변환이 가능한 안테나를 제안한다. 패턴 변환을 위한 루프 구조를 패치 안테나의 급전부와 연결하며, 스위치 on/off 에 따라서 안테나의 방사패턴이 가변되는 구조가 된다. 제안된 안테나의 동작주파수는 2.4GHz이며, 최대이득은 3.2dBi 이다. MIMO (Multi-Input Multi-Output), WLAN등의 무선통신 시스템에서 diversity나 스마트 안테나 시스템에 장착을 목적으로 한다. 제안된 안테나의 patch 사이즈는 $28mm{\times}28mm$이며, ground plane의 사이즈는 $40mm{\times}50mm$이다. 제안된 안테나는 2층의 적층 구조를 하고 있으며, 스위치 on/off 동작에 의해 안테나의 패턴이 가변됨을 시뮬레이션과 측정을 통하여 보였다.

40-TFLOPS artificial intelligence processor with function-safe programmable many-cores for ISO26262 ASIL-D

  • Han, Jinho;Choi, Minseok;Kwon, Youngsu
    • ETRI Journal
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    • 제42권4호
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    • pp.468-479
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    • 2020
  • The proposed AI processor architecture has high throughput for accelerating the neural network and reduces the external memory bandwidth required for processing the neural network. For achieving high throughput, the proposed super thread core (STC) includes 128 × 128 nano cores operating at the clock frequency of 1.2 GHz. The function-safe architecture is proposed for a fault-tolerance system such as an electronics system for autonomous cars. The general-purpose processor (GPP) core is integrated with STC for controlling the STC and processing the AI algorithm. It has a self-recovering cache and dynamic lockstep function. The function-safe design has proved the fault performance has ASIL D of ISO26262 standard fault tolerance levels. Therefore, the entire AI processor is fabricated via the 28-nm CMOS process as a prototype chip. Its peak computing performance is 40 TFLOPS at 1.2 GHz with the supply voltage of 1.1 V. The measured energy efficiency is 1.3 TOPS/W. A GPP for control with a function-safe design can have ISO26262 ASIL-D with the single-point fault-tolerance rate of 99.64%.

Fabrication and Characterization of $0.2\mu\textrm{m}$ InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT's with Inverse Step-Graded InAlAs Buffer on GaAs Substrate

  • Kim, Dae-Hyun;Kim, Sung-Won;Hong, Seong-Chul;Paek, Seung-Won;Lee, Jae-Hak;Chung, Ki-Woong;Seo, Kwang-Seok
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제1권2호
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    • pp.111-115
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    • 2001
  • Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT are successfully demonstrated, exhibiting several advantages over conventional P-HEMT on GaAs and LM-HEMT on InP substrate. The strain-relaxed metamorphic structure is grown by MBE on the GaAs substrate with the inverse-step graded InAlAs metamorphic buffer. The device with 40% indium content shows the better characteristics than the device with 53% indium content. The fabricated metamorphic HEMT with $0.2\mu\textrm{m}$T-gate and 40% indium content shows the excellent DC and microwave characteristics of $V_{th}-0.65V,{\;}g_{m,max}=620{\;}mS/mm,{\;}f_T120GHZ{\;}and{\;}f_{max}=210GHZ$.

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마이크로스트립 슬로트의 원형 위상배열 안테나 설계 (A design of a circular phased-array antenna with microstrip slots)

  • 임계재;고성선;윤현보
    • 한국전자파학회지:전자파기술
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    • 제2권1호
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    • pp.46-54
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    • 1991
  • 排列 素子간의 급전 位相差에 의하여 放射 빔의 방향을 조정할 수 있고 指向性과 利得을 높일 수 있는 마이크 로스트립 슬로트 素子가 圓形으로 排列된 位相 排列 안테나 시스템을 提案 設計하였다. 排列된 슬로트의 수와 圓의 반경을 변화시켜 요구되는 指向性과 利得을 얻을 수 있으나, 본 연구에서는 4개의 마이크로스트립 슬로트를 원주의 接線방향으로 排列시키고 바렉터 다이오드릎 사용한 아나로그 移相器로 안테 나 소자에 급전시켜 40。까지 放射 빔을 조정시킬 수 있는 位相排列 안테나시스템을 분산과 불연속 특성을 고려 하여 10 GHz에서 마이크로스트립 선로로 製作하였다. 측정 결과는 이론과 잘 일치하였으며, 64개의 마이크로스트립 디스크 패치를 短形排列시킨 경우(1)와 비교하였을 때 배열 소자의 수를 고려한 안테나의 性能이 전반적으로 향상되었음을 알 수 있었다.

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Microwave Dielectric Properties of Bi2O3-TiO2 Composite Ceramics

  • Axelsson, Anna-karin;Sebastian, Maladil;McN Alford, Neil
    • 한국세라믹학회지
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    • 제40권4호
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    • pp.340-345
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    • 2003
  • B $i_2$ $O_3$-Ti $O_2$ composite dielectric ceramics have been prepared by a conventional solid state ceramic route. The composite ceramics were prepared with starting materials of different origin and the microwave dielectric properties were investigated. The sintered ceramics were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, energy dispersive X-ray microanalysis, Raman and microwave methods. Structural and microstructural analyses identified two separate phases: Ti $O_2$(rutile) and B $i_2$ $Ti_4$0$_{11}$. The separate grains of titania and bismuth titanate were distributed uniformly in the ceramic matrix. The composition 0.88Ti $O_2$-0.12B $i_2$ $Ti_4$ $O_{11}$ was found to have a Q$\times$f of 9300 GHz (measured at a frequency of 3.9 GHz), a temperature coefficient of frequency, $\tau$$_{cf}$ near zero and a high relative permittivity, $\varepsilon$r of 83. The microwave dielectric properties were measured down to 20$^{\circ}$K K. The quality factor increased on cooling the ceramic samples.les.

PDP용 광대역 EMC 필터의 설계 및 제작에 관한 연구 (A Study on Design and Fabrication of Broad-Band EMC filter for PDP)

  • 김동일;구동우;양은정;김도연
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제14권5호
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    • pp.437-443
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    • 2003
  • 정밀 전기.전자기기들이 외부의 전원장해와 과도 전압에 의하여 오동작되거나 부품이 파괴되어 기기의 기억장치가 지워지기도 하며, 전도성 노이즈의 형태로 다른 기기에 장해원이 될 수도 있는 등 그 피해가 늘고 있어 이에 대한 보호대책이 요구되고 있다. 따라서 본 논문에서는 디지털 영상기기인 PDP를 측정대상기기(EUT)로 하여 임피던스에 적합한 노이즈 저감 필터를 제작하고, 더불어 관통형(Feed-through) 커패시터 와 높은 투자율을 가진 페라이트 비드로 이루어 진 필터를 함께 적용한 PDP용 광대역 EMC 필터를 제작하고, 그 특성을 평가하였다. 본 연구에서 제작한 필터의 삽입손실은 10 MHz~l.5 GHz에서 40 dB 이상 감쇠되어 CISPR Pub. 22규격과 IEC 61000-4-4의 level 4까지 만족하는 우수한 필터임을 확인하였다.

다수의 도체 비어로 형성된 캐비티가 있는 마이크로스트립 패치 안테나 (Microstrip Patch Antenna with a Metal Cavity Using Conducting Vias)

  • 변우진;김붕수;은기찬;김광선;송명선
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2005년도 종합학술발표회 논문집 Vol.15 No.1
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    • pp.371-374
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    • 2005
  • This paper presents the design and fabrication of a cost effective and broad band 8$\times$8 stacked patch array antenna which are backed by a metal cavity operating at 400Hz based on 4 layers LTCC technology. Gain of antenna can be enhanced by using a metal cavity, which can be easily implemented by using LTCC substrates and vias. The broadband performance can be obtained by varying the dimension of patch and the number of layers. Furthermore, to keep the feeding network as smal1 as possible and reduce radiation from feeding network a mirrored patch orientation and embedded micro strip line are adopted, The fabricated antenna is $40\times45\times0.4$ $mm^3$in size. It shows gain 20.4dBi, beam width 10.7deg and impedance bandwidth of l0dE return loss 3.35GHz (40.9$\sim$44.25 GHz), which is about 8% of a center frequency.

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