• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권4호
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• pp.173-178
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• 2015

In lieu of the excellent radio frequency (RF) performance of microelectromechanical system ( MEMS) switches, these micro switches need higher actuation voltage for their operation. This requirement is secondary to concerns over the swtiches’ reliability. This paper reports high reliability operation of RF MEMS switches with low voltage requirements. The proposed switch is optimised to perform in the Q-band, which results in actuation voltage of just 16.4 V. The mechanical stress gradient in the thin micro membrane is computed by simulating von Mises stress in a multi-physics environment that results in 90.4 MPa stress. The computed spring constant for the membrane is 3.02 N/m. The switch results in excellent RF performance with simulated isolation of above 38 dB, insertion loss of less than 0.35 dB and return loss of above 30 dB in the Q-band.

• Journal of Ginseng Research
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• 제47권1호
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• pp.117-122
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• 2023

Background: Human immunodeficiency virus-1 (HIV-1) that binds to the coreceptor CCR5 (R5 viruses) can evolve into viruses that bind to the coreceptor CXCR4 (X4 viruses), with high viral replication rates governing this coreceptor switch. Korean Red Ginseng (KRG) treatment of HIV-1 infected patients has been found to slow the depletion of CD4+ T cells. This study assessed whether the KRG-associated slow depletion of CD4+ T cells was associated with coreceptor switching. Methods: This study included 146 HIV-1-infected patients naïve to antiretroviral therapy (ART) and seven patients receiving ART. A total of 540 blood samples were obtained from these patients over 122 ± 129 months. Their env genes were amplified by nested PCR or RT-PCR and subjected to direct sequencing. Tropism was determined with a 10% false positive rate (FPR) cutoff. Results: Of the 146 patients naïve to ART, 102 were KRG-naïve, and 44 had been treated with KRG. Evaluation of initial samples showed that coreceptor switch had occurred in 19 patients, later occurring in 38 additional patients. There was a significant correlation between the amount of KRG and FPR. Based on initial samples, the R5 maintenance period was extended 2.35-fold, with the coreceptor switch being delayed 2.42-fold in KRG-treated compared with KRG-naïve patients. The coreceptor switch occurred in 85% of a homogeneous cohort. The proportion of patients who maintained R5 for ≥10 years was significantly higher in long-term slow progressors than in typical progressors. Conclusion: KRG therapy extends R5 maintenance period by increasing FPR, thereby slowing the coreceptor switch.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.364-371
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• 2007

본 논문에서는 와이브로 기지국 시스템을 위한 고전력 PIN 다이오드 스위치와 고속 스위치 구동회로에 대한 설계와 측정 결과를 제공한다. 일반적인 전력용 팩키지 다이오드의 기생 인덕턴스에 의한 격리도 열화를 막고 다이오드 스위치의 전력 능력을 향상시키기 위해 칩 형태의 다이오드를 사용하였으며, 본딩 와이어에 의한 직렬 인덕턴스는 전송선로의 임피던스에 쉽게 흡수될 수 있도록 회로를 구성하였다. 구현된 스위치 모듈은 사용된 다이오드의 개수를 최대한 줄이면서 최대의 성능을 얻을 수 있도록 설계되었으며 2.35 GHz에서 써큘레이터의 손실을 포함하여 약 0.84 dB의 삽입 손실과 80 dB 이상의 격리도 특성을 보였다. 또한 TTL 신호를 통한 스위치 모듈의 제어를 위해 스위치 구동회로를 설계, 제작하였으며 스위칭 속도는 200 nsec로 측정되었다. 스위치 모듈은 디지털 변조된 고전력 신호에 의해 전력능력이 시험되었으며 70 W의 전력이 인가되는 경우에도 정상적으로 동작하는 특성을 보여주었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제31권2A호
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• pp.201-206
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• 2006

다중 빔 위성중계기 부품중의 하나인 MSM(Microwave Switch Matrix)에 필요한 SPST 스위치 MMIC를 설계 및 제작하였다. 설계된 스위치 MMIC는 3GHz 대역에서 동작하며, 새로운 구조를 채택하여 기존의 FET 스위치보다 전력 특성과 격리도를 개선하였으며, 스위치의 On/Off 상태에서의 입출력 반사손실 특성이 우수하다. MMIC는 0.15um GaAs pHEMT 공정으로 제작되었으며, 3$\∼$4GHz 대역에서 2.0dB 이하의 삽입손실과, 63dB 이상의 격리도 성능을 가지는 것으로 측정되었다. 또한 사용된 단위 pHEMT 소자가 0.2mm Gate Width 임에도 불구하고 320dBm 이상의 OIP3 특성을 가지고 있는 것으로 측정되었으며, 이 결과는 기존의 발표된 FET 스위치에 비해 높은 전력 특성이다.

• 전력전자학회논문지
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• 제5권6호
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• pp.523-529
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• 2000

• 한국전자통신학회논문지
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• 제10권3호
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• pp.365-373
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• 2015

기존 6스위치 3상 인버터(SSTPI)의 한 상을 스위치 대신 커패시터로 대체한 4스위치 3상 인버터(FSTPI)에서 양 커패시터 전압의 불평형에 의한 출력전압의 오차를 보상하는 것은 FSTPI의 성능을 결정하는 중요한 요소이다. 본 논문에서는 DC 오프셋 전류 주입에 의하여 FSTPI의 커패시터 전압 불평형을 보상하는 새로운 방법과 FSTPI에 적용할 수 있는 간략화된 SVPWM 방법을 제안한다. 제안된 방법은 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 타당성을 검증하였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.283-292
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• 2016

6스위치 3상 인버터(SSTPI)의 한 상을 스위치 대신 커패시터로 대체한 4스위치 3상 인버터(FSTPI)에서 커패시터 전압의 불평형으로 인한 출력 전압의 오차를 보상하는 방법과 전압 제어 방법은 FSTPI의 성능을 결정짓는 중요한 요소이다. 본 논문에서는 DC 오프셋 전류 주입 통한 FSTPI의 커패시터 전압의 불평형을 보상하는 새로운 방법과 FSTPI의 새로운 전압 제어 방법인 간략화 된 SVPWM을 제안한다. 제안된 방법은 FSTPI로 SPMSM를 구동하는 시뮬레이션과 실험을 통해 그 타당성을 검증하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.265-268
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• 1998

This paper evaluates the VSN(Virtual switch Network) characteristics in the internal call processing of IMT-2000 switching system, which is composed of VSN instead of ATM switch network. In results, internal call establishment delay is increased approximately 5.4msec than the conventional ATM switching system. The evaluated condition is the load 0.8, and the 100km distance between VSNs. It is confirmed that the VSN has the potentiality in the practical implementation.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제54권5호
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• pp.185-189
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• 2005

This paper focuses on the design for Rx/Tx switch module of GSM(global standard mobile) band, characterization of a miniature, low power and dual-band implementation of the front-end switch module with low-pass filer And the effort to make agreement between the simulated design and the measured data for these solutions takes the place through accumulated design and manufacturing data library. We present the design, modeling and measurement of switch module integrating GSM Rx/Tx switching circuit and LPF(low pass filter) on a LTCC(low temperature co-fired ceramic) substrate. For GSM application, insertion and return loss of the low pass filter designed was less than 0.3 dB which was less than 12.7 dB at 900 MHz. The LTCC switch module contained 10 embedded passives and 3 surface mount components integrated on 4.6$\times$4.8$\times$1.2 mm, 6-layer multi-layer integrated circuit. The insertion loss of switch module measured at 900 MHz was 11 dB. In both of the design approach yielded excellent agreement between measured and simulated results.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제48권1호
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• pp.97-101
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• 2011

개인 휴대통신의 서비스 대역에 대응하는 4중 대역 p-HEMT SP6T 스위치를 구현하였다. 낮은 삽입손실과 높은 격리특성을 달성하기 위하여, 트랜지스터 단위소자의 최적화를 통해 On-Off간 상호 보완적 관계를 고려하였으며, 특히 송수선간 격리 특성의 경우, 큰 커패시터 삽입을 통하여 우수한 격리 특성을 달성하는 동시에 단일의 전압제어와 백비아를 사용한 접지를 통해 소형화를 달성하였다. 구현된 SP6T 스위치는 $950um{\times}100um$의 크기를 가지며 공정상 게이트 우물의 오류를 감안할 때, 각 주파수 대역에서 우수한 삽입손실 및 격리특성을 확인 할 수 있었다.