• 한국통신학회논문지
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• 제36권10A호
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• pp.847-851
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• 2011

본 논문에서는 밀리미터파 응용에서 사용 가능한 우수한 성능의 MMIC (Millimeter-wave Monolithic Integrated Circuit) star 혼합기를 구현하였다. MMIC star 혼합기를 구현하기 위하여 PHEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor) 공정 기반의 소오스와 드레인 단자를 연결한 쇼트키 (Schottky) 다이오드를 사용하였다. 혼합기의 측정 결과 LO 주파수가 75 GHz이며 전력이 10 dBm 인 경우, 81 GHz에서 86 GHz의 RF 주파수 범위에서 평균 13 dB의 변환손실 특성을 얻었다. RF-LO 격리도 특성은 30 dB 이상의 결과를 얻었으며 약 4 dBm의 P1 dB 특성을 얻었다. 전체 칩의 크기는 0.8 mm ${\times}$ 0.8 mm이다.

• Elastomers and Composites
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• 제35권3호
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• pp.188-195
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• 2000

Host Polymer인 Poly(acrylonitrile-co-butadiene) (NBR)과 전도성 고분자인 Polypyrrole (PPY)과의 복합체를 유화 중합법으로 제조하였다. 여러 가지의 유화제 중에서 dodecyl sodium sulfate (DSS)를 사용하여 중합하였을 때 복합체의 전기전도도가 가장 높게 나타났다. 복합체 필름은 압축성형법으로 제조되었으며 복합체의 전기전도도는 전도성고분자의 함량과 온도에 따라 4단자법으로 측정되었다. 제조된 복합체의 전기전도도는 PPY 함량이 25wt%일 때 1.17S/cm까지 증가되었으며 percolation threshold는 PPY의 함량 l5wt% 근처에서 나타났다.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제25권6호
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• pp.21-26
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• 2011

본 논문에서는 에너지원에 따른 이동전화기(SCH_W830) 배터리의 소손 패턴을 제시함으로써 소비자분쟁 해결의 자료로 활용하고자 한다. 실험이 진행될 때의 주위 온도는 $22{\pm}2^{\circ}C$, 습도는 40~60 %를 유지함으로써 신뢰성을 확보하였다. 실험에 사용된 이동전화기의 배터리 전압은 양극(+)과 음극 (1)(-) 사이의 전압은 4.19 V이며, 양극(+)과 음극 (2)(-) 사이의 전압은 4.18 V로 측정되었다. 일반화염 인가에 의한 이동 전화기의 난연성 시험은 한국산업규격(KS)을 적용하였으며, 일반화염이 30 sec 동안 외함에 인가되어도 내장된 배터리의 소손은 없는 것으로 확인되었다. 생리 식염수(NaCl, 0.9%)에 이동전화기를 180 sec 침수시킨 결과 배터리 단자 사이에 누설전류에 의한 발열로 탄화 및 용융이 발생한 흔적을 확인할 수 있었다. 전자레인지(MWO)를 이용하여 70 sec 동안 이동전화기를 가열하면 금속홀더, 충전용 커넥터, 안테나 등이 내장된 부분에서 용융 및 변색이 확인되며, 그 밖의 부분은 특이사항이 없는 것을 알 수 있다. 즉, 인가된 에너지원의 종류에 따라 이동전화기 외형의 탄화, 내장된 금속 및 유전체, 배터리 단자대의 손상 및 변형 등이 다르게 발생하지만 전압은 비교적 일정한 특성을 보이는 것으로 보아 연소의 확산 패턴, 금속의 용융 및 변형 부분의 특성을 종합적으로 고려하여 해석하면 소손 원인 판정이 가능하다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권9호
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• pp.1098-1106
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• 2007

본 논문은 초광대역 코프래너 급전 모노폴 안테나를 이용한 능동 안테나 다이플렉서 구조를 제안한다. 제안된 다이플렉서 구조는 초고주파 시스템 집적 패키지 기술(RF System on Package: RF-SoP)을 이용한 것으로서 평면형 초광대역 모노폴 안테나와 능동 소자를 직접 연결법에 의해 연결하여 다이플렉서(diplexer)를 형성하는 방식이다. 이는 안테나 회로 성분과 능동 소자의 패키지 회로 성분으로 형성되는 통과 대역을 이용함으로써 별도로 추가된 대역 통과 필터 등의 회로 구조 없이 다이플렉서를 내장하여 구성하는 방식이다. 따라서 입력된 수신 신호의 주파수 대역에 따라 동작 회로가 분리되며, 분리된 수신 신호가 능동 소자의 동작에 의해 증폭되는 능동 안테나 다이플렉서(diplexer)로서 구성된다. FR-4 에폭시 기판 위에서 제작된 능동 안테나 다이플렉서의 특성을 측정한 결과, 2.4 GHz 수신 단자에서는 0.9 dB의 삽입 손실(insertion loss), 1.1 GHz(2.0{\sim}3.1\;GHz)$ 대역폭, 17.0 dB의 수신 신호 증폭 특성을 보여주었으며, 5.8 GHz 수신 단자에서는 0.8 dB의 삽입 손실, 650 MHz$(5.25{\sim}5.9\;GHz)$ 대역폭, 15.0 dB의 수신 신호 증폭 특성을 보여주었다 또한 -10.0 dB 이상의 주파수 분리(isolation) 특성과 -20.0 dB 이상의 고조파 성분(harmonics) 감쇄 특성을 나타내어, 제시된 능동 안테나 다이플렉서 구조가 설계된 동작을 하고 있음을 알 수 있었다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권4호
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• pp.203-211
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• 2013

태그 안테나를 설계할 때에는 태그 칩이 패드(pad)에 마운트(mount)된 상태에서 구한 칩 임피던스(chip impedance)와 읽기 전력감도(read power sensitivity) 값이 필요하다. 하지만 칩 임피던스 값은 태그 설계와 제조공정에 따라 그 값이 달라지기 때문에 칩 제조회사들이 이 자료를 제공하지 못하고, 단지 참고할 수 있는 근사값을 만을 제고하고 있다. 본 연구는 간단한 보조기구들과 RF 측정장비들을 가지고 마운트된 칩의 임피던스와 읽기 전력감도를 산출할 수 있는 방법을 제시한다. 본 연구는 마운틴된 칩의 단자에서 직접 측정하는 것이 불가능하기 때문에 보조 픽스쳐(fixture)들이 사용되었으며, 보조 픽스쳐에서 발생되는 전기력 특성들은 등가회로 모델과 디임베드(de-embed) 기법을 사용하여 제거함으로써 칩 임피던스와 읽기 전력감도 값을 산출하였다. 값을 알고 있는 커패시터와 저항 칩을 가지고 제안된 디임베드 방법의 타당성과 정확도를 검증하였으며, 상업용 태그 칩을 대상으로 한 심험에서도 제안된 방법의 타당성을 재확인 할 수 있다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권2호
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• pp.137-144
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• 1998

고온초전도체 61심 Bi-2223 선재간의 초전도 접합부위를 화학적 부식 및 열적· 기계적 반복 공정에 의하여 제조하였다. 초전도 선재 테이프의 은 피복재 한쪽 표면을 초전도체와 반응하지 않는 부식액(NH4OH:H2O2=1:1)으로 화학적으로 제거한 다음, 두 시편을 일출가압 성형하여 접합시편을 제조하였고 일련의 서로 다른 열적· 기계적 처리를 거쳐 접합부의 물성 및 미세구조를 분석하였다. 접합부를 따라 임계전류(Ic) 변화와 전류전압 곡선의 특성을 측정하기 위하여 여러 단자를 접합부 주위에 설치하여 부위별 I~V 특성을 측정한 결과 단심선재에 비하여 다심선재에서 선재 전체의 통전 능력을 좌우하는 천이구간의 임계전류값이 높았다. 그러나 단심에 비해 다심선재는 천이급속도를 나타내는 n값이 다심선재내 각각의 초전도 core들의 상호작용에 의하여 낮은 값을 나타내었다. 접합부의 임계전류 통전성은 반복적인 가압성형 공정과 서냉반응 열처리 공정에 의하여 향상되었다.

• Progress in Superconductivity
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• 제4권2호
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• pp.127-131
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• 2003

We have designed and measured an SFQ(Single Flux Quantum) OR gate for a superconducting ALU (Arithmetic Logic Unit). To optimize the circuit, we used WRspice, XIC and Lmeter for simulations and layouts. The OR gate was consisted of a Confluence Buffer and a D Flip-Flop. When a pulse enters into the OR gate, the pulse does not propagate to the other input port because of the Confluence Buffer. A role of D Flip-Flip is expelling the data when the clock is entered into D Flip-Flop. For the measurement of the OR gate operation, we attached three DC/SFQs, three SFQ/DCs and one RS Flip -Flop to the OR gate. DC/SFQ circuits were used to generate the data pulses and clock pulses. Input frequency of 10kHz and 1MHzwere used to generate the SFQ pulses from DC/SFQ circuits. Output data from OR gate moved to RS flip -Flop to display the output on the oscilloscope. We obtained bias margins of the D Flip -Flop and the Confluence Buffer from the measurements. The measured bias margins $\pm$38.6% and $\pm$23.2% for D Flip-Flop and Confluence Buffer, respectively The circuit was measured at the liquid helium temperature.

• 전력전자학회논문지
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• 제8권4호
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• pp.336-343
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• 2003

일반적으로 브러시리스 직류 전동기의 운전을 위한 회전자의 위치정보와 여자시점 검출을 위해서는 홀센서나 엔코더와 같은 측정 장치가 요구된다. 본 논문에서는 부가적인 검출 장치를 사용하지 않고 각 상의 단자전압을 분석하여 여자 시점뿐만 아니라 회전자의 절대위치를 검출 할 수 있는 센서리스 운전 시스템을 제안한다. 더불어, 제안한 알고리즘을 10k[W]급 전동기에 적용하여 유효성과 타당성을 검증한다.

• 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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• 한국소음진동공학회 2002년도 춘계학술대회논문집
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• pp.346-352
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• 2002

This paper is the experimental study to estimate the influence of various design parameters on the performance of mufflers with perforated tubes and through-flow partitions. Muffler types considered in the present work include through-flow chamber, through-flow chamber with partition, and cross-flow chamber. The influences of the design parameters on the performance of the mufflers can be outlined as follows. In the case of the through-f]ow type mufflers, increasing the tube thickness and the hole diameter of the perforated tubes does not change the maximum value of the transmission loss but decrease the cutoff frequency. In the case of the through-flow with partitions type mufflers, it is shown that combining a fe w short chambers and long chambers can modify the frequency locations of the resonance frequencies to optimize the performance of the mufflers. For the case of the cross-flow type mufflers, it is shown that the transmission loss of the mufflers is mainly affected by the lower porosity when the porosities are different in both sides of the plug. Overall, it is shown that performance of the through-flow type with partition type mufflers is excellent in the lower frequency region, where the cross-flow type mufflers have better performance in the higher frequency region.

• 한국결정학회:학술대회논문집
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• 한국결정학회 2003년도 춘계학술연구발표회
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• pp.12-12
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• 2003

초전도 선재로의 응용을 위하여 Pulsed laser deposition(PLD)법으로 고온 초전도 체 YBa₂Cu₃O/sub 7-δ/(YBCO) coated conductor를 제조하였다. coated conductor는 금속기판/완충층/초전도층의 구조를 이루고 있는데 완충층은 금속 기판의 집합조직을 초전도층까지 전달하는 역할과 금속기판의 금속이 초전도층으로 확산되어 초전도층의 전기적 특성을 열화시키는 것을 막아주는 확산장벽으로의 역할 등을 수행한다. 완충층의 박막 성장이 제대로 이루어지지 않으면 우수한 초전도 특성을 가지는 초전도층을 얻을 수 없다. 완충층은 금속기판과의 lattice match, thermal match등이 요구되고, 화학적으로 금속기판 및 초전도층과 반응하지 않아야 하며, 긍속기판의 산화없이 epitaxial하게 박막증착이 이루어질 수 있는 재료이어야 한다. 이러한 조건을 만족하는 YBCO, CeO₂, YSZ 등이 주로 사용되고 있다. 전기연구원에서 YBCO coated conductor 선재를 제조하기 위하여 사용하고 있는 다층 박막의 구조는 YBCO/CeO₂/YSZ/CeO₂/Ni(002)과 YBCO/CeO₂/YSZ/Y₂O₃/Ni(002)이며, 최적의 증착조건을 찾기 위하여 성장시 챔버의 산소분압, 완충층의 두께, 기판 온도 등을 변화시켰다. 증착된 완충층 및 초전도층의 집합 조직은 D8-Discover with GADDS(General Area Detector Diffraction System)로 XRD분석을 했고, 미세구조는 SEM으로 관찰하였으며 4단자법을 이용하여 초전도 특성을 측정하였다.