Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.52
no.3
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pp.123-129
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2019
With recent demand for the renewable energy resources, we conducted a research on the energy conversion and storage device of supercapacitor. The hybrid graphene-zinc oxide(GZO) electrodes for the supercapacitors (SCs) were fabricated and investigated. To increase the electrical conductivity of the GZO electrode, the rapid thermal annealing(RTA) in $Ar/H_2$(10%) atmosphere was applied and the effect was examined by comparing it with RTA at Ar atmosphere. In Raman spectroscopy, the electrodes annealed at 400? in $Ar/H_2$ atmosphere showed a lower ratio of D/G peak than that of annealed at Ar atmosphere, and had a larger specific capacitance(Sc) in the cyclic voltammetry(CV), and a lower the equivalent series resistance(ESR) in the electrochemical impedance spectroscopy(EIS). The reason seems to come from the better mixing of the graphene and zinc oxide by the RTA in $Ar/H_2$(10%).
An, Sehoon;Lee, Geun-Hyuk;Jang, Seong Woo;Hwang, Sehoon;Yoon, Jung Hyeon;Lim, Sang-Ho;Han, Seunghee
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.129-129
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2016
Graphene, as a single layer of $sp^2$-bonded carbon atoms packed into a 2D honeycomb crystal lattice, has attracted much attention due to its outstanding properties. In order to synthesize high quality graphene, transition metals, such as nickel and copper, have been widely employed as catalysts, which needs transfer to desired substrates for various applications. However, the transfer steps are not only complicated but also inevitably induce defects, impurities, wrinkles, and cracks of graphene. Furthermore, the direct synthesis of graphene on dielectric surfaces has still been a premature field for practical applications. Therefore, cost effective and concise methods for transfer-free graphene are essentially required for commercialization. Here, we report a facile transfer-free graphene synthesis method through nickel and carbon co-deposited layer. In order to fabricate 100 nm thick NiC layer on the top of $SiO_2/Si$ substrates, DC reactive magnetron sputtering was performed at a gas pressure of 2 mTorr with various Ar : $CH_4$ gas flow ratio and the 200 W DC input power was applied to a Ni target at room temperature. Then, the sample was annealed under 200 sccm Ar flow and pressure of 1 Torr at $1000^{\circ}C$ for 4 min employing a rapid thermal annealing (RTA) equipment. During the RTA process, the carbon atoms diffused through the NiC layer and deposited on both sides of the NiC layer to form graphene upon cooling. The remained NiC layer was removed by using a 0.5 M $FeCl_3$ aqueous solution, and graphene was then directly obtained on $SiO_2/Si$ without any transfer process. In order to confirm the quality of resulted graphene layer, Raman spectroscopy was implemented. Raman mapping revealed that the resulted graphene was at high quality with low degree of $sp^3$-type structural defects. Additionally, sheet resistance and transmittance of the produced graphene were analyzed by a four-point probe method and UV-vis spectroscopy, respectively. This facile non-transfer process would consequently facilitate the future graphene research and industrial applications.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.282.1-282.1
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2016
The remarkable physical properties of two-dimensional (2D) semiconducting materials such as molybdenum disulfide ($MoS_2$) and tungsten disulfide ($WS_2$) etc. have attracted considerable attentions for future high-performance electronic and optoelectronic devices. The ongoing studies of $MoS_2$ based nonvolatile memories have been demonstrated by worldwide researchers. The opening hysteresis in transfer characteristics have been revealed by different charge confining layer, for instance, few-layer graphene, $MoS_2$, metallic nanocrystal, hafnium oxide, and guanine. However, limited works built their nonvolatile memories using entirely of assembled 2D crystals. This is important in aspect view of large-scale manufacture and vertical integration for future memory device engineering. We report $WS_2$ based nonvolatile memories utilizing functional van der Waals heterostructure in which multi-layered graphene is encapsulated between $SiO_2$ and hexagonal boron nitride (hBN). We experimentally observed that, large memory window (20 V) allows to reveal high on-/off-state ratio (>$10^3$). Moreover, the devices manifest perfect retention of 13% charge loss after 10 years due to large graphene/hBN barrier height. Interestingly, the performance of our memories is drastically better than ever published work related to $MoS_2$ and black phosphorus flash memory technology.
Natural frequency behavior of graphene platelets reinforced composite (GPL-RC) joined truncated conical-cylindrical- conical shells resting on Winkler-type elastic foundation is presented in this paper for the first time. The rule of mixture and the modified Halpin-Tsai approach are applied to achieve the mechanical properties of the structure. Four different graphene platelets patterns are considered along the thickness of the structure such as GPLA, GPLO, GPLX, GPLUD. Finite element procedure according to Rayleigh-Ritz formulation has been used to solve 2D-axisymmetric elasticity equations. Application of 2D axisymmetric elasticity theory allows thickness stretching unlike simple shell theories, and this gives more accurate results, especially for thick shells. An efficient parametric investigation is also presented to show the effects of various geometric variables, three different boundary conditions, stiffness of elastic foundation, dispersion pattern and weight fraction of GPLs nanofillers on the natural frequencies of the joined shell. Results show that GPLO and BC3 provide the most rigidity that cause the most natural frequencies among different BCs and GPL patterns. Also, by increasing the weigh fraction of nanofillers, the natural frequencies will increase up to 200%.
Two-dimensional (2D) materials, especially graphene and $MoS_2$ sheets, have gained much attention and shown great promise for the application in supercapacitors. To widely use the 2D materials for supercapacitors, highly efficient, low cost, and environmentally friendly synthetic methods for the preparation of 2D materials should be developed. Here, we will review recently developed solution-based processes for preparing 2D materials for supercapacitors. Chemical exfoliation-reduction, chemical intercalation, and liquid phase exfoliation methods will be introduced. Moreover, the electrochemical characteristics of graphene and $MoS_2$-based electrodes for supercapacitors are summarized. In addition to solution-based processes, other challenges and opportunities are discussed in terms of controlling nanosheet compositions, sizes, and thicknesses.
Graphene is a two-dimensional carbon allotrope composed of honeycomb sp2 hybrid orbital bonds. It shows excellent electrical and mechanical properties and has been spotlighted as a core material for next-generation electronic devices. However, it exhibits low environmental stability due to the easy penetration or adsorption of external impurities from the formation of an unstable interface between the materials in the electronic devices. Therefore, this work aims to improve and investigate the low environmental stability of graphene-based field-effect transistors through direct growth using solid hydrocarbons as a precursor of graphene. Graphene synthesized from direct growth shows high electrical stability through reduction of change in charge mobility and Dirac voltage. Through this, a new approach to utilize graphene as a core material for next-generation electronic devices is presented.
Raman spectroscopy is one of the most widely used tools in the field of graphene and two-dimensional (2D) materials. It is used not only to characterize structural properties such as the number of layers, defect densities, strain, etc., but also to probe the electronic band structure and other electrical properties. As the field of 2D materials expanded beyond graphene to include new classes of layered materials including transition metal dichalcogenides such as $MoS_2$, new physical phenomena such as anomalous resonance behaviors are observed. In this review, recent results from Raman spectroscopic studies on 2D materials are summarized.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.210.2-210.2
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2014
Recently, molybdenum disulfide (MoS2) nanostructures have been investigated for applications of lithium-ion batteries, solar cell, and gas sensors. In this regard, we have studied atomic and electronic properties of MoS2 nanostructures with adsorbed atoms and molecules using density functional theory calculations. Our calculations reveal that the several atoms such as H, C, N, and F are chemically bound to several sites on the two-dimensional (2D) MoS2 surface. On the other hand, various contamination molecules such as CO, CO2, NO, NO2, and NH3 do not bind to the surface. Next, adsorption of various molecules on the one-dimensional (1D) armchair MoS2 nanoribbon is investigated. Contrary to the case of 2D MoS2 monolayer surface, some molecules (CO and NO) are bound well to the edge of the MoS2 nanoribbon. We find that the molecular states due to adsorption are located near the Fermi level, which makes the band gap narrower. Therefore, we suggest that monolayer MoS2 nanoribbons be used as the gas sensors or detectors.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.155-155
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2011
그래핀(graphene)은 모든 탄소 원자가 표면에 존재하는 이차원 결정이기 때문에 다른 고체 표면에 고착될 때 인장 및 압축 변형(tensile & compressive strain)과 전하 도핑(charge doping)에 취약하다고 알려져 있다. 본 연구에서는 산화실리콘(SiO2/Si) 기판 위에 기계적으로 박리된 그래핀에 혼재되어 나타나는 기계적 변형과 전하 도핑 현상을 분석할 수 있는 라만 분광법 기술을 개발하고자 하였다. 대부분의 시료에서 기계적 변형으로 인해 라만 G-band와 2D-band의 진동수(${\omega}$)가 특별한 상관관계(${\Delta}{\omega}2D/{\Delta}{\omega}G$ = 2.0 ${\pm}$ 0.2)를 가진다는 사실을 확인하였다. 전자 친화도가 큰 F4-TCNQ (tetrafluorotetracianoquinodimethane)를 증착하여 화학적으로 p-형 전하 도핑을 유도한 그래핀에서는 기계적 변형과는 분명히 구별되는 상관관계(${\Delta}{\omega}2D/{\Delta}{\omega}G$ = 1.0 ${\pm}$ 0.3)가 관찰되었다. 본 연구는 라만 분광법을 통해 그래핀의 기계적 변형과 전하 도핑 정도를 정량적으로 분리해서 분석할 수 있는 방법을 제시해 준다.
We proposed an integrated wavelength-selective photodetector based on a grating-assisted contradirectional coupler and a graphene absorption layer for a coarse wavelength division multiplexing (CWDM) communication system. The center wavelength of the absorption spectrum of the proposed device can be tuned simply by changing the period of the grating, and the proposed device structure is suitable to forming a cascaded structure. Therefore, an array of the proposed device of different grating periods can be used for simultaneous wavelength demultiplexing and signal detection in a CWDM communication system. Our theoretical study showed that the designed device with a grating length of $500{\mu}m$ could have an absorption of 95.1%, an insertion loss of 0.2 dB, and a 3 dB bandwidth of 7.5 nm, resulting in a -14 dB crosstalk to adjacent CWDM channels. We believe that the proposed device array can provide a compact and economic solution to receiver implementation in the CWDM system by combining functions of wavelength demultiplexing and signal detection.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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