산화제($H_2O_2$ )의 첨가 유무에 따른 Ti/TiN막의 CMP 연마 특성
(Improvement of Polishing Characteristics Using with and without Oxidant ($H_2O_2$ ) of Ti/FiN Layers)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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- pp.88-91
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- 2003