• 한국화재소방학회논문지
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• 제26권2호
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• pp.11-16
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• 2012

본 연구에서는 정확한 화재원인 분석 및 사기범죄 여부 확인을 위하여 극초단파를 직접 폴더형 휴대전화에 조사하고, 이때 발생되는 휴대전화의 손상형태를 분석하였다. 극초단파 조사를 위하여 전자레인지를 이용하였으며, 전자레인지의 마그네트론에서 발생되는 2.45 GHz의 극초단파가 휴대전화에 인가될 때 휴대전화의 손상형태를 분석하였다. 실험 결과, 휴대전화에 극초단파를 조사하는 경우, 조사 시간이 길어짐에 따라 심하게 손상되는 경향을 나타내었으며, 특히, 폴더의 힌지 부분 및 인테나 부분과 같이 금속이 설치되는 부분이 심하게 열변형되는 결과를 나타내었다. 휴대전화의 배터리 부분은 외함이 열변형되는 것 이외에 배터리의 손상이나 폭발 등은 발생되지 않는 것으로 평가되었다.

• 전기학회논문지
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• 제60권7호
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• pp.1385-1390
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• 2011

A coaxial-conical-radial transmission line conversion circuits have been investigated to realize a low loss high performance microwave power divider/combiner. In order to optimize the characteristics of the device, the power divider/combiner was designed separately with two parts-the inner part and the outer part. Utilizing the rectangular approximation of the outer part, we can design the low loss device which is not affected by the partition number N of the outer part. The small return loss which is lower than 20dB was obtained on the frequency range of 5.15GHz(7.45~12.60GHz). A conical connector was employed for smooth connection between the central coaxial line and the outer radial line. Making use of the $47^{\circ}$ and $90^{\circ}$ 2-stage conical connector, the return loss lower than 30dB was obtained on the operating frequency range of 5GHz. The total return loss of the designed divider/combiner was lower than 20dB on the frequency range of 5GHz for the partition number N=11, N=12 and N=16.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제16권2호
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• pp.85-88
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• 2017

In this paper, we have designed and fabricated a RF-DC voltage multiplier for 5.8GHz microwave wireless power transmission. In order to obtain higher voltage, the RF-DC voltage multiplier with 10 diodes (D-10) and the receiver module with an antenna and BPF (Band Pass Filter) was manufactured. The measured and compared results show that the voltages of the proposed one are lower than those of the previous tripler module up to 40cm. However, the voltage of the proposed one with the voltage multiplier is higher than that of the tripler module at the distances of 45cm and 50cm due to the voltage multiplier with 10 diodes.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권2호
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• pp.333-338
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• 2008

본 논문에서는 유효한 DC 전압을 얻기 위해 요구되는 최소입력전압이 충분히 낮으면서도 소비전력이 기존의 정류기 보다 낮은 새로운 NMOS 전류미러형 브리지 정류기를 제안하였다. 설계된 정류기는 13.56 MHz의 HF (for ISO 18000-3)부터 915 MHz의 UHF (for ISO 18000-6) 및 2.45 GHz의 마이크로파 대역 (for ISO 18000-4)까지의 전 주파수 범위에 대해 RFID Transponder에 내장된 마이크로 칩을 구동하기에 충분히 높고 잘 정류된 직류전압을 공급할 수 있다. 제안된 NMOS 정류기의 출력특성은 고주파 등가회로를 이용하여 해석하였으며, 동작 주파수 종가에 따른 게이트 누설전류를 효과적으로 감소시킬 수 있는 회로적 방법을 이론적으로 제시하였다. 이러한 방법을 사용하여 설계된 NMOS 전류미러형 브리지 정류기는 3V 피크-투-피크 입력전압과 $45\;K{\Omega}$ 부하저항에서 $100\;{\mu}W$의 소비전력 특성과 2.13V의 DC 출력전압이 구해졌다. 제안된 NMOS 전류미러형 브리지 정류기는 기존의 정류기에 비해 UHF 및 마이크로파 대역에서도 안정적으로 동작하며, 보다 우수한 특성들을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1997년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.236-238
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• 1997

A cellular power amplifier using an APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)-grown SiGe base HBT of ETRI has been designed with a linear simulation CAD. The Si/SiGe HBT with an emitter area of 2$\times$8${\mu}{\textrm}{m}$$^2$typically has a cutoff frequency(f$_{T}$) of 7.0 GHz and a maximum oscillation frequency(f$_{max}$) of 16.1 GHz with a pad de-embedding A packaged power Si/SiGe HBT with an emitter area of 2$\times$8$\times$80${\mu}{\textrm}{m}$$^2$typically shows a f$_{T}$ of 4.7 GHz and a f$_{max}$ of 7.1 GHz at a collector current (Ic) of 115 mA. The power amplifier exhibits a Forward transmission coefficient(S21) of 13.5 dB, an input and an output reflection coefficients of -42 dB and -45 dB respectively. Up to now the III-V compound semiconductor devices hale dominated microwave applications, however a rapid progress in Si-based technology make the advent of the Si/SiGe HBT which is promising in low to even higher microwave range because of lower cost and relatively higher reproducibility of a Si-based process.ess.ess.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권2호
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• pp.135-141
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• 1995

마이크로파 (2.45 GHz) 에너지를 이용한 PZT계 세라믹스의 소결특성과 전기적 특성을 조사하였다. 소결은 $1050 ~ 1130^{\circ}C$ 범위에서 5분간 행하였다. 소결온도가 높아질수록 소결밀도가 높은 치밀한 소결체를 얻을 수 있었으며, 전기적 특성이 증가하는 경향을 보였다. 그러나 소결온도가 $1090^{\circ}C$이상으로 증가하게 되면 PbO의 휘발로 인하여 소결밀도가 감소하였으며, 이에 따라 유전율과 전기기계결합계수 값도 감소하였다. PbO 분위기 조절없이 마이크로파로 $1090^{\circ}C$에서 소결한 시편의 전기적 특성은 유전율, 기계적품질계수, 전기기계결합계수 등의 값이 각각 1900, 80, 0.53으로 일반적인 전기로에 의한 소결과 비교하여, 비슷한 특성을 나타내었다. 마이크로파 에너지를 이용하여 소결공정을 20분 안에 끝마칠 수 있는 급속소결법으로 공정시간과 에너지를 크게 절감할 수 있었다.

• 생물환경조절학회지
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• 제32권3호
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• pp.217-225
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• 2023

본 실험은 마이크로웨이브 처리가 상추 유묘의 생육 변화와 이차대사산물 함량의 변화를 알아보고자 수행되었다. 파종 후 3주째 상추 유묘에 2.45GHz 주파수와 200W의 마이크로웨이브를 0, 4, 8 및 12초 동안 처리하고, 4주간 식물공장에서 재배한 후 생육 및 성분 분석을 수행하였다. 지하부와 지상부의 생체중과 건물중, 엽면적, 엽장 및 엽수는 마이크로웨이브 처리시간이 증가할수록 감소하였다. 4초 처리구와 비교하여 12초 처리구에서 chlorophyll a, chlorophyll b 및 총 carotenoids의 함량이 증가되었으며 총 페놀 함량은 감소하였다. 무처리구와 비교하여 8초 처리구에서 총 플라보노이드 함량이 감소하였다. 이러한 결과들은 산화적 스트레스에 의해 이차대사산물 함량이 변화된 것으로 사료된다. 총 플라보노이드 함량을 제외한 이차대사산물 함량은 각 처리구에서 무처리구와 비교하여 유의한 차이가 없었지만, 각 처리구 사이의 유의한 차이는 200W와 2.45GHz의 마이크로웨이브 처리가 4주 후 상추의 이차대사산물 함량에 영향을 줄 수 있다는 것을 시사한다.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권4호
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• pp.343-353
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• 1999

2.45 GHz의 microwave가 수열 합성법으로 제조된 BaTiO3 분말의 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 700W 출력으로 반응시켰을 때, microwave-autoclave system에서는 약 5분만에 BaTiO3 결정이 형성되기 시작하여, 10분 이상의 반응에서는 더 이상 결정성 증가는 관찰되지 않았다. Microwave-system의 경우에는 15분만에 결정이 형성되기 시작하여, 1시간정도의 반응으로 충분한 BaTiO3 분말을 얻을 수 있었다. Microwave를 이용한 균일가열의 영향으로 분말들은 균일하게 분산되어 있었고, 기존의 전기적인 가열 방법에서 나타나는 응집 현상이나 grain의 성장 등은 보이지 않았다. 제조된 분말의 크기는 보통 30~60 nm정도였는데, 졸 안의 Ba/Ti의 비가 분말의 크기를 결정하는데 중요한 역할을 하였다. 이는 여분의 바륨이 Ba(OH)2등과 같은 다른 상을 형성하여 BaTiO3 분말의 계면에 얇은 막을 형성하여 분말들의 응집 현상이나 grain의 성장을 억제하는 것으로 추정하였다. M1-crowave-autoclave 에서는 15분 정도의 반응만으로도 미량이지만 tetragonal-BaTiO3를 직접적으로 형성할 수 있었고, microwave-reflux에서는 25$0^{\circ}C$의 건조로써 미량의 tetragonal-BaTiO3를 얻을 수 있었다.

• 한국항행학회논문지
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• 제24권2호
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• pp.107-114
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• 2020

2.4 GHz ISM대역 전력증폭기를 설계하고 송신 시스템을 구현하였다. 고효율 증폭기는 E급이나 F급 증폭기로 구현 가능하다. 본 연구에서는 회로 구조가 간단한 E급으로 20 W 급 고효율 증폭기를 설계하여 ISM 대역 응용에 적용하도록 하였다. E급 회로 설계이론 및 회로 시뮬레이션을 통해 임피던스 정합회로를 설계하였으며 2.45 GHz에서 출력전력 44.2 dBm 및 전력부가효율 69%를 얻었다. 설계된 전력증폭기에 30 dBm의 입력전력을 인가하기 위하여 앞단에 전압제어발진기와 구동증폭기를 제작하여 입력전력 공급회로를 구현하였고, 제작한 전력증폭기는 43.2 dBm 출력 및 65%의 전력부가효율 특성을 나타내었다. 본 연구결과는 무선전력전송, 전파차단장치, 고출력 송신장치 등 다양한 무선통신시스템용 출력 전력증폭기 설계에 활용될 수 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1630-1632
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• 1997

We have investigated activation phenomena of implanted ions on silicon wafers using microwave(2.45GHz). It is found that the higher concentration of impurities makes the better activation effects by microwave annealing. We have exposed poly-Si TFTs by microwave in order to anneal and improved the device performance. Microwave activates source/drain ions and lowers the contact resistance so that the current of the poly-Si TFTs increases. In addition, the leakage current of hydrogen passivated poly-Si TFTs is decreased after microwave annealing, due to the diffusion of hydrogen ions and curing the defects in the poly-Si active channel.