• 제목/요약/키워드: 2-band structure

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A New Comb Circular Polarizer Suitable for Millimeter-Band Application

  • Eom, Soon-Young;Korchemkin, Y.B.
    • ETRI Journal
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    • 제28권5호
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    • pp.656-659
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    • 2006
  • This letter presents a new polarizer which has a simple comb structure inside a circular waveguide. The electrical performance of the proposed comb polarizer is optimized by a circular waveguide radius and by the physical parameters of the comb plates. This polarizer is suitable for providing good performance in millimeter-band application because of its simple structure and low fabrication cost. In our experiments the dual-band comb polarizer designed in band 1(K) and band 2(Ka) showed good electrical performance without any tuning elements.

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PBG 구조를 이용한 Dual-band VCO 설계 (Desing of Dual-band VCO Using PBG Structure)

  • 조용기;서철헌
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 통신소사이어티 추계학술대회논문집
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    • pp.64-67
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    • 2003
  • This paper presents the design of dual-band VCO using PBG structure for IEEE 802.11A/B. By adding switch circuit to the single-band VCO, we could achieve a dual-band VCO. The center frequencies of dual-band VCO are 5.93GHz(-13dBm) and 2.37GHz (3.50dBm). The phase noise is improved about l0dB by using PBG Structure.

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개구면 공유 구조를 가지는 S / X 이중 광대역 패치 안테나의 방사 특성 (Radiation Characteristics of a S / X Dual Broad Band Patch Antenna with Shared Aperture Structure)

  • 곽은혁;이용승;김부균
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제26권8호
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    • pp.718-729
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    • 2015
  • S-대역과 X-대역에서 동작하며, 개구면 공유 구조를 가지는 광대역 패치 안테나를 제작하였다. S-대역 안테나는 $2{\times}2$로 천공된 패치를 가지며, 천공된 자리에 X-대역에서 동작하는 패치 안테나를 $2{\times}2$ 배열하였다. 두 대역에서 모두 20 % 이상의 넓은 대역폭 특성을 가지는 개구면 공유 구조를 가지는 이중 대역 안테나를 제작하고, 방사 특성을 분석하였다.

The effect of strain on the electronic properties of MoS2 monolayers

  • Park, Soon-Dong;Kim, Sung Youb
    • Coupled systems mechanics
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    • 제5권4호
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    • pp.305-314
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    • 2016
  • We utilize first-principles calculations within density-functional theory to investigate the possibility of strain engineering in the tuning of the band structure of two-dimensional $MoS_2$. We find that the band structure of $MoS_2$ monolayers transits from direct to indirect when mechanical strain is applied. In addition, we discuss the change in the band gap energy and the critical stains for the direct-to-indirect transition under various strains such as uniaxial, biaxial, and pure shear. Biaxial strain causes a larger change, and the pure shear stain causes a small change in the electronic band structure of the $MoS_2$ monolayer. We observe that the change in the interaction between molecular orbitals due to the mechanical strain alters the band gap type and energy.

SSD(Simultaneous Single Band Duplex) 시스템을 위한 효과적인 자기 간섭 제거 방법 (Effective Self-Interference Cancellation for SSD(Simultaneous Single Band Duplex) System)

  • 안창영;유흥균
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제25권2호
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    • pp.189-198
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    • 2014
  • 본 논문에서는 동일 대역에서 동시에 전 이중 통신을 하기 위한 프레임 구조를 사용하는 터보 등화기를 결합한 SSD (Simultaneous Single band Duplex) 시스템을 제안한다. 본 논문에서는 자기 간섭 신호를 보다 효율적으로 제거하기 위하여 프레임 구조를 사용한다. 본 논문에서는 송수신 프레임 구조를 사용할 경우의 시스템의 특성을 분석하기 위하여 프레임 구조를 사용하지 않는 시스템과 성능을 비교하였다. 시뮬레이션 결과로 본 논문에서 제안하는 시스템은 프레임 구조를 사용하였을 경우, 프레임 구조를 사용하지 않았을 경우보다 더 좋은 성능을 내며, 프레임 구조를 사용하는 제안하는 시스템은 더 적은 터보 등화기의 전역 반복으로 프레임 구조를 사용하지 않은 시스템과 유사한 성능을 낼 수 있는 것을 확인하였다.

무선 랜 대역을 저지하는 초광대역 대역통과 여파기 (Ultra-Wideband Band-Pass Filter with Notched Wireless-LAN band)

  • 정승백;양승인
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제46권9호
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    • pp.60-65
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    • 2009
  • 본 논문에서는 대역통과 여파기와 대역저지 여파기를 하나의 구조로 합성하여 크기 증가 없이 초광대역 특성을 가지면서 Wireless-LAN 대역을 저지하는 대역통과 여파기를 설계, 구현하였다. 대역저지 특성을 얻으면서도 여파기의 크기증가가 없어야 하기 때문에 전송선에 내장된 형태의 오픈 스터브를 사용하였다. 그리고 저역 통과 특성을 얻기 위하여 접지 면에 식각할 수 있는 DGS(Defected Ground Structure) 구조를 이용하였다. 기존의 대역통과 여파기와 저역통과 여파기를 직접 연결하였을 때 보다 크기를 줄일 수 있었다. 측정결과 통과대역은 $2.21GHz{\sim}10.92GHz$ 이고 삽입손실은 최대 0.7dB, 반사손실은 최소 17dB, 군 지연 변화폭은 0.22ns였으며 $5.3GHz{\sim}5.7GHz$의 저지대역을 형성하였다.

Radial deformation and band-gap modulation of pressurized carbon nanotubes

  • Taira, Hisao;Shima, Hiroyuki;Umeno, Yoshitaka;Sato, Motohiro
    • Coupled systems mechanics
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    • 제2권2호
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    • pp.147-157
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    • 2013
  • We numerically investigate the electronic band structure of carbon nanotubes (CNTs) under radial corrugation. Hydrostatic pressure application to CNTs leads to a circumferential wave-like deformation of their initially circular cross-sections, called radial corrugations. Tight-binding calculation was performed to determine the band gap energy as a function of the amplitude of the radial corrugation. We found that the band gap increased with increasing radial corrugation amplitude; then, the gap started to decline at a critical amplitude and finally vanished. This non-monotonic gap variation indicated the metal-semiconductor-metal transition of CNTs with increasing corrugation amplitude. Our results provide a better insight into the structure-property relation of CNTs, thus advancing the CNT-based device development.

Zinc Blende 구조를 가지는 ZnSe 결정의 밴드 특성에 관한 연구 (A Study on the Band Characteristics of ZnSe Thin Film with Zinc-blende Structure)

  • 박정민;김환동;윤도영
    • 전기화학회지
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    • 제14권3호
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    • pp.145-151
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    • 2011
  • ZnSe는 가시광선 영역에서 넓은 밴드갭을 가지고 있는 II-VI족 화합물 반도체 소자로서 레이저 다이오드, 디스플레이 그리고 태양전지와 같은 다양한 응용분야에 적용되고 있다. 본 연구에서는 전기화학적 전착방법을 이용하여 ITO 전극상에 ZnSe 박막을 합성하여, XRD와 SEM으로 ZnSe 결정의 합성과 zinc blende 구조의 형태를 관측하였고, UV 분광기를 활용하여 밴드갭을 측정한 결과 2.76 eV이었다. 또한, 분자동역학에서 활용되는 밀도범함수 이론 (DFT, Density Functional Theory)을 도입하여 ZnSe 결정에 대한 밴드 구조의 해석을 수행하였다. Zinc blende구조를 갖는 ZnSe 결정에 대하여 LDA (Local Density Approximation), PBE (Perdew Burke Ernzerhof), 그리고 B3LYP (Becke, 3-parameter, Lee-Yang-Parr) 범함수를 이용하여 밴드구조와 상태밀도 (Density of State)를 모사하였다. 각각의 경우에 대해 에너지 밴드갭을 구한 결과, B3LYP 범함수로 해석한 경우에 실험치와 근사치인 2.65 eV의 밴드갭을 보여주었다.

B 이온을 주입시킨 GaAs의 Photoreflectance에 관한 연구 (A study on the photoreflectance of B ion implanted GaAs)

  • 최현태;배인호
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제9권4호
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    • pp.372-378
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    • 1996
  • The phtoreflectance(PR) spectra of B ion implanted semi-insulating(SI) GaAs were studied. Ion implantation was performed by 150keV implantation energy and 1*10/aup 12/-10$^{15}$ ions/c $m^{2}$ doses. Electronic band structure was damaged by ion implantation with above 1*10$^{13}$ ions/c $m^{2}$ dose. When samples were annealed, " peak was observed at 30-40meV below band gap( $E_{g}$). It should be noted that this energy is close to the ionization energies of S $i_{As}$ , and GeAs in G $a_{As}$ which are also found as impurities in LEC GaAs, it is therefore possible that this feature is related to S $i_{As}$ , or G $e_{As}$ and B ions by implanted defect associated with them. From PR spectra of etched samples which is as-implanted by 1*10$^{14}$ and 1*10$^{15}$ ions/c $m^{2}$ dose, the depth of destroyed electronic band structure was from surface to 0.2.mu.m below surface.nic band structure was from surface to 0.2.mu.m below surface.

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LTE, ISM, WLAN에 적용 가능한 Arm 구조 삼중대역 안테나 최적 설계 (The Optimal Design of a Triple-Band Antenna with Additional Arm Resonating Structure for LTE, ISM and WLAN Application)

  • 이승제;오승훈;이정혁;김형석
    • 전기학회논문지
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    • 제63권12호
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    • pp.1655-1660
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    • 2014
  • In this paper, we propose a design of a triple-band microstrip circular patch antenna. The proposed antenna generates the triple frequency resonance at 1.85GHz(LTE), 2.45GHz(ISM) and 5.5GHz(WLAN). Firstly, we design the dual-band antenna. The dual-band antenna consist of the circular patch, slits, and the slot. The circular patch and slot are designed for dual frequency of 2.45GHz and 5.5GHz, respectively. And then the dual-band antenna is combined with additional arm-shaped structure for the triple-band characteristic. The arm-shaped structure is operated as the dipole. It is designed for lowest frequency of 1.85GHz. Each part of the antenna unites to a new structure. In order to design the proposed antenna automatically and optimally, APSO algorithm is adopted. During APSO, the mismatch of the proposed antenna is resolved. The optimal designed antenna has an acceptable return loss(-10dB) at each bands(i.e, 1.85GHz, 2.45GHz and 5.5GHz).