• 한국결정성장학회지
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• 제7권4호
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• pp.578-588
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• 1997

RTCVD법으로 $SiH_4$과 $GeH_4$ 가스를 이용하여 oxidized Si 위에 SiH$_4$: $GeH_4$ flow ratio(1 : 0.1~2 : 1), 증착온도(400~$600^{\circ}C$) 그리고 증착압력(1~50 torr)인 조건에서 다결정 $Si_{1-x}Ge_x$박막을 증착하여, 증착변수 변화에따른 $Si_{1-x}Ge_x$ 박막의 Ge 조성 변화와, Ge 조성이 증착속도에 미치는 영향 등에 대해 살펴보았다. 실험결과, 증착온도와 Ge 조성 증가에따라 증착속도는 증가하였으나 증착온도 증가에따라 Ge 조성이 감소하였다. 또한 증착압력 변화에따른 증착속도와 Ge조성 변화는, 증착압력 10 torr까지는 거의 직선적으로 증가하였으나 그이상에서는 서서히 증가함을 알 수 있었다. 이와같이 10 torr 이상의 증착압력에서 증착속도가 서서히 증가하는것은 물질전달 속도에 비해 표면반응 속도가 늦어져 나타난 현상으로 생각된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.240-244
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• 2007

We investigated the diffraction grating efficiency by the Diode Pumped Solid State(DPSS 532 nm) laser beam wavelength to improve the diffraction efficiency on $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35},\;Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ and $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}/Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin film. Diffraction efficiency was obtained from DPSS laser, used (P:P)polarized laser beam on each thin films. As a result, for the laser beam intensity in $0.24mW/cm^2$, single $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin film shows the highest value of 0.161% diffraction efficiency at 300 s and for laser beam intensity in $2.4mW/cm^2$, it was recorded with the fastest speed of 50 s(0.013%), which the diffraction grating forming speed is faster than that of $0.24mW/cm^2$ beam. $Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ double layer and $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}/Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ multi-layered thin film also show the faster grating forming speed at $2.4mW/cm^2$ and higher value of diffraction efficiency at $0.24mW/cm^2$.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.60-60
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• 2003

디자인 룰에 의해 Gate Length 가 100nm 이하로 줄어듦에 따라 Gate delay 감소와 Switch speed 향상을 위해 보다 더 큰 drive current 를 요구하게 되었다. 본 연구는 dirve current 를 증가시키기 위해 고안된 Strained Si substrate 를 만들기 위한 SiGe layer 성장에 관한 연구이다. SiGe layer를 성장시킬 때 SiH$_4$ gas와 GeH$_4$ gas를 furnace에 flow시켜 Chemical 반응에 의해 Si Substrate를 성장시키는 LPCVD(low pressure chemical vapor depositio)법을 사용하였고 SIMS와 nanospec을 이용하여 박막 두께 및 Ge concentration을 측정하였고, AFM으로 surface의 roughness를 측정하였다. 본 연구에서 우리는 10,20,30,40%의 Ge concentration을 갖는 10nm 이하의 SiGe layer를 얻기 위하여 l0nm 이하의 fixed 된 두께로 SiGe layer를 성장시킬 때 temperature, GeH$_4$ gas pre-flow, SiH$_4$ 와 GeH$_4$의 gas ratio를 변화시켜 성장시킨 후 Ge 의 concentration과 실제 형성된 두께를 측정하였고, SiGe의 mole fraction의 변화에 따른 surface의 roughness 를 측정하였다. 그 결과 10 nm의 두께에서 temperature, GeH$_4$ gas pre-flow, SiH$_4$ 와 GeH$_4$ 의 gas ratio의 변화와 Ge concentration 과의 의존성을 확인 할 수 있었고, SiGe 의 mole traction이 증가하였을 때 surfcace의 roughness 가 증가함을 알 수 있었다. 이 연구 결과는 strained Si 가 가지고 있는 strained Si 내에서 n-FET 와 P-FET사이의 불균형에 대한 해결과 좀 더 발전된 형태인 fully Depleted Strained Si 제작에 기여할 것으로 보인다.

• 한국식품영양학회지
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• 제25권4호
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• pp.737-746
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• 2012

본 연구는 mushroom complete medium(MCM) 액체배지에 수삼 추출물(GE, $65^{\circ}Bx$)을 첨가하여 면역활성이 증진된 노루궁뎅이버섯(Hericium erinaceum) 균사체를 배양하고, 균사체로부터 활성다당성분을 분획하고자 하였다. MCM에 대하여 GE를 5, 10과 15%(v/v) 첨가한 액체배지에서 균사체를 배양하고, 각각의 조다당획분(HE-GE-5-CP, HE-GE-10-CP와 HE-GE-15-CP)으로 분획하여 면역활성을 측정한 결과, HE-GE-10-CP는 HE-GE-5-CP와 HE-GE-15-CP보다 높은 활성을 나타내었으며, GE를 첨가하지 않은 MCM에서 배양된 균사체 조다당획분(HE-CP)보다 유의적으로 증진된 면역활성을 나타내었다. 또한, HE-GE-10-CP의 DEAE-Sepharose CL-6B 분획물 중 가장 높은 활성을 나타낸 HE-GE-10-CP-II획분은 대조군인 HE-CP의 어떠한 획분보다도 유의적으로 높은 면역활성과 암 전이 억제활성을 나타내었다. 한편, 활성획분인 HE-GE-10-CP-II는 arabinose, rhamnose, galactose, glucose와 uronic acid(molar ratio; 0.34:0.26:0.99:1.00:0.39)로 구성되어 있으나, 대조군인 HE-CP의 동일용매 용출획분으로서 HE-GE-10-CP-II보다는 활성이 낮은 HE-CP-II는 fucose, mannose, galactose와 glucose(molar ratio; 0.32:0.55:1.00:0.96)를 함유하여 다른 구성당 분포를 나타내었다. 따라서 노루궁뎅이버섯 균사체 액체배양에서 수삼 추출물 첨가는 균사체의 구성당 변화를 통한 면역활성 증진에 관여하는 것으로 사료되어 기능성 소재 개발에 유용할 것으로 사료된다.

• 한국토양비료학회지
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• 제44권3호
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• pp.465-472
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• 2011

게르마늄 종류별 양액재배시 갓의 생육특성 및 게르마늄 흡수 특성을 조사하기 위해 갓 재배시 무기게르마늄 ($GeO_2$)과 유기게르마늄 (Ge-132)을 농도별로 각각 처리하여 게르마늄 독성발생 범위, 생장반응, 갓 부위별 게르마늄 함량 그리고 갓의 게르마늄 흡수량 및 흡수율을 조사하였다. 무기 및 유기게르마늄 모두 $10mg\;L^{-1}$까지는 생육저해 현상이 거의 없었으나, Ge $25mg\;L^{-1}$ 이상부터는 심한 생육저해 현상을 보여 Ge 75 및 $100mg\;L^{-1}$에서는 새싹 생성이 거의 되지 않을 정도로 저해현상이 나타났다. 대조구와 비교 하였을 때, 무기게르마늄은 Ge $5mg\;L^{-1}$ 처리까지, 유기게르마늄은 Ge $10mg\;L^{-1}$ 처리까지 지상부 및 지하부 생장반응이 대조구에 비하여 약간 증가되는 경향이었다. 게르마늄의 흡수량을 살펴보면 무기게르마늄의 경우 총 흡수된 게르마늄 중 지상부인 잎에 약 70%, 지하부인 뿌리에 약 30%가 분포되어 있었다. 유기게르마늄의 경우에는 무기게르마늄과는 반대로 잎에 약 23%, 뿌리에 약 77%로 뿌리에 훨씬 많이 분포되어 있었다. 초기 용액 내 투여된 게르마늄에 대한 식물체내 흡수율을 부위별로 살펴보면, 무기게르마늄의 경우 지상부에서 2.4~4.3% 범위로 평균 약 3.0%이고, 지하부에서 0.2~0.7%범위로 평균 약 0.4%이었다. 유기게르마늄의 경우에는 지상부에서 1.2~2.1% 범위로 평균 약 1.7%, 지하부에서는 0.5~0.9% 범위로 평균 약 0.8%이었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제26권10호
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• pp.1543-1548
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• 2005

Two isostructural new alkaline earth germanium nitrides, $Sr_6Ge_5N_2\;and\;Ba_6Ge_5N_2$, were obtained as single crystals from constituent elements in molten Na. They both crystallize in space group $P_{mmn}$ (No. 59) with a = 4.0007(8), b = 17.954(3), c = 9.089(2) $\AA$, Z = 2, and a = 4.1620(2), b = 18.841(1), c = 9.6116(5) $\AA$, Z = 2, for $Sr_6Ge_5N_2\;and\;Ba_6Ge_5N_2$, respectively. Their crystal structure contains features for both Zintl and nitride phases: zigzag anionic chain of $_{\infty}Ge^{2-}$, and dumbbell-shaped bent anion of ${GeN_2}^{4-}$. Counter cations of Sr or Ba wrap these anionic units in a channel-like arrangement. Unlike in other germanium nitrides, bond lengths of both Ge-N arms of the ${GeN_2}^{4-}$, are same in $Sr_6Ge_5N_2\;and\;Ba_6Ge_5N_2$.

• 대한전자공학회논문지
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• 제4권2호
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• pp.16-21
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• 1967

이 보고는 처음에 Li drifted Ge 검출기에 관해서 이 Li drifted Ge 검출기에 의한 열중성자로부터의 Cl(n, r) 반응에서 생기는 r선 스텍트로를 보여준다. 이 Li drifted Ge 검출기의 에너지 분해능은 의 122KeV에서 4.5KeV, 의 1333KeV에서 10KeV이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.55-55
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• 2011

질소 등을 GST225 상변화재료에 첨가시켜 비저항을 증가시킴으로서 PCRAM의 동작 전류를 감소시킨 연구가 선행된 바 있다. 본 연구에서는 GST225와 달리 고속 동작 특성을 갖는 것으로 널리 알려진 Ge-doped SbTe (GeST) 상변화 재료에 Carbon을 첨가하여 박막 특성을 연구하여 동작 전류 감소의 가능성을 타진하였다. 실험을 위한 박막 제작을 위해 2 inch size의 GeST 및 C doped GeST (C-GeST) single target을 이용하여 RF magnetron co-sputtering 하였다. 박막은 carbon이 첨가되지 않은 GeST와 carbon 첨가량이 늘어나는 순서로 C-GeST 1, C-GeST 2, C-GeST 3로 구성된다. 이 때 제작한 박막의 composition analysis를 위해 XRF/RBS/AES가 사용되었고 제작된 박막의 기본적인 특성평가를 위해 resistivity(${\rho}$)와 crystallzation temp.(Cx), surface morphology(AFM), x-ray diffraction pattern(XRD)를 측정하였다. 실험결과 GeST, C-GeST 1, C-GeST 2, C-GeST 3 박막의 Cx는 각각 209, 225, 233, $245^{\circ}C$로 측정되어 carbon 첨가량이 증가됨에 따라 결정화 온도가 증가되는 것을 알 수 있었다. 또한 ${\rho}$도 마찬가지로 annealing 온도를 약 $320^{\circ}C$로 할 경우 ${\rho}$(as-dep)와 ${\rho}$(crystalline) 모두 0.03 / $2.61*10^{-6}$, 0.08 / $7.93*10^{-6}$, 0.09 / $11.99*10^{-6}$, 0.13 / $13.49*10^{-6}{\Omega}{\cdot}m$로 증가하였다. 증가된 ${\rho}$의 원인이 박막의 grain size의 감소라고 단언 할 수는 없으나 AFM 측정결과 grain이라고 추측되는 박막 feature들의 size가 점차 감소하는 것을 확인하였다.

• Journal of Ginseng Research
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• 제29권3호
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• pp.145-151
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• 2005

식물조직배양기술을 이용하여 Ge를 함유한 인삼 root를 생산하고자, 0.5mg/L BAP와 3.0mg/L NAA조합의 식물생장 조절물질로 유도된 인삼 root를 이용하여 배양을 위한 최적 $GeO_2$농도, $GeO_2$ 첨가시기 및 배지의 pH를 조사하였다. 인삼 root의 생장에 가장 좋은 $GeO_2$ 농도는 10ppm, $GeO_2$ 첨가시기는 배양 초기(0주), pH는 5.5였고, 인삼 root내 Ge의 함량이 가장 높았을 때의 $GeO_2$농도는 100ppm이었다. $GeO_2$를 첨가하여 배양한 기간이 길수록 Ge함량이 증가하였으나 6주 이후부터 생장율이 둔화되어 $GeO_2$ 100ppm에서는 생장율이 아주 낮아 대조구의 1/2 정도였다. 배양 초기에 $GeO_2$를 첨가하여 8주간 배양한 인삼 root의 Ge 함량이 $29.4mg\%$인데 반해, 배양 2주째에 $GeO_2$를 첨가한 인삼 root의 경우는 Ge 함량이 $38.6mg\%$이므로, 배양 후 2주 후에 $GeO_2$를 첨가하는 것이 인삼 root의 Ge흡수에 더욱 효과적이었다. Ge흡수가 가장 잘 이루어지는 최적 pH는 5.5였으며 사포닌 함량은 $GeO_2$의 첨가농도가 증가할수록 감소하였다.

• 한국약용작물학회지
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• 제3권3호
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• pp.251-258
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• 1995

명조건에서 명일엽의 캘러스 유도와 증식은 $GeO_2$와 C.E. Ge.O. 처리 모두 거의 되지 않았다. 암조건 하의 캘러스 유도는 명일엽에서 $GeO_2$와 C. E. Ge. O. 처리 모두 5ppm까지 양호했고, 50ppm부터 저해되다가 100ppm $GeO_2$처리시는 거의 되지 않은 반면 100ppm C. E. Ge. O. 처리시는 다소 되었다. 명일엽의 캘러스 유도와 증식은 배지의 PH가 pH 5.7 > pH 5.4 > pH 6.0 순서로 좋았다. 명조건 하의 인삼에서는 $1{\sim}10ppm$에서 불량하게 생육하나 신초를 잘 형성했다. 암조건 하의 캘러스 증식은 명일엽에서 $GeO_2$나 C.E.Ge.O. 처리 시 모두 5ppm까지 양호했고, $GEO_2$처리시 50ppm부터 거의 되지 않았으나 C. E. Ge. O. 처리시는 pH5.7의 경우 100ppm에서도 다소 좋았다. 명일엽에서는 캘러스 증식 중 신초 형성이 많았는데 pH5.7에서 현저했다. 인삼에서는 암상태에서 $GeO_2$처리시 10ppm부터, C. E. Ge. O. 처리시는 50ppm부터 불량하면서 갈색으로 변했다. 암조건 하에서 $GeO_2$와 C. E. Ge. O. 의 모든 농도에서 명일엽의 캘러스가 인삼의 캘러스보다 함량이 높았다. 두 식물 모두 동일 농도에서 $GeO_2$처리한 캘러스가 C. E .Ge. O.의 것보다 높았다. 흡수양상에서 있어서는 명일엽의 경우 $GeO_2$는 10ppm까지 급속하게 홉수하고 그 이상의 농도에서는 완만한 반면 C. E. Ge. O.는 $GeO_2$에 비하여 100ppm까지 완만하게 흡수되었다.