• 한국전자파학회논문지
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• 제20권12호
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• pp.1264-1271
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• 2009

본 논문에서는 이동 무선 통신 기기에 적합하고 다중 대역에서 동작하도록 설계된 칩 슬롯 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 시스템 회로 기판(30 mm$\times$60 mm$\times$0.8 mm) 위에 칩 안테나(10 mm$\times$20 mm$\times$1.27 mm)를 접속시킨 구조이며, 안테나의 F자 형태의 패턴의 끝단은 비아를 통해 시스템 회로 기판과 연결되어졌다. 따라서 칩 안테나는 시스템 회로 기판의 마이크로스트립 선로로부터 접지면 슬롯 사이의 전이(transition)를 통하여 효과적으로 에너지를 방사한다. 제작된 안테나의 측정 결과 3:1 VSWR 임피던스 대역폭($\leq$-6 dB)은 1.98 GHz(1.61~3.59 GHz)와 0.8 GHz(5.2~6 GHz)로 나타났다. 제안된 안테나는 DCS, PCS, UMTS, WLAN의 주파수 대역을 만족함으로 무선 통신 기기에 적용 가능할 것으로 사료된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권9호
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• pp.25-30
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• 2004

본 논문에서는 0.1㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT (High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 100 GHz 대역의 MIMIC(Millimeter-wave Monolithic Integrated Circuit) 증폭기를 설계 및 제작하였다. MIMIC 증폭기의 제작을 위해 Metamorphic HEMT(MHEMT)를 설계 및 제작하였으며, 제작된 MHEMT의 드레인 전류 밀도는 640 mA/mm 최대 전달컨덕턴스(Gm)는 653 mS/mm를 얻었으며, RF 특성으로 fT는 173 GHz, fmax는 271 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 100 GHz MIMIC 증폭기의 개발을 위해 MHEMT의 소신호 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이를 이용하여 MIMIC 증폭기를 설계하였다. 설계된 증폭기는 본 연구에서 개발된 MHEMT MIMIC 공정을 이용해 제작되었으며, 100 GHz MIMIC 증폭기의 측정결과, 100 GHz에서 10.1 dB 및 97.8 Gllz에서 12.74 dB의 양호한 S21 이득 특성을 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제17권5호
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• pp.423-429
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• 2006

본 논문은 실용적인 면을 고려한 휴대전화 단말기용 전파 흡수체 개발을 위해 연구하였다. 이에 Sendust 배합율, $Al(OH)_3$ 코팅 함유량, 시편의 두께, 지지재의 변화가 전파 흡수체의 전파 흡수능에 치는 영향을 연구하였다. 중심 주파수는 전파 흡수체의 두께가 1 mm, 2 mm, 3 mm로 증가할수록 2.2 GHz, 1.29 GHz, 842 MHz의 저주파대로 이동하였고, Sendust의 배합율이 80 wt%에서 85 wt%로 증가되면서 2.2 GHz에서 1.91 GHz로, 1.29 GHz에서 801 MHz로, 842 MHz에서 801 MHz로 각각 저주파대로 조절할 수 있었다. 전파 흡수 대역은 Sendust에 $Al(OH)_3$를 코팅했을 때가 코팅하지 않았을 때보다 흡수 대역이 넓어졌다. 이때 전파 흡수체는 지지재는 CPE로 하였으며, 제작 온도는 $70^{\circ}C$로 일정하게 하였다. 제작된 전파 흡수체는 두께가 0.85 mm일 때 1.8 GHz에서 5.76 dB의 우수한 전파 흡수능을 보였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.216-220
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• 1988

GaAs MESFET을 사용한 12GHz저잡음 증폭기를 MIC로 설계하였다. 증폭기의 입출력 결합은 칩 캐패시터와 대칭구조의 DC블록을 포함시켜 각기 실현하였다. 실험을 통하여 칩 캐패시터를 사용하는 경우 11.8-12.1GHz에서 8-11dB의 이득을 얻었으며 DC 블록을 포함하는 경우 12.16-12.19GHz에서 16-18dB의 이득을 나타내는 비교 결과를 얻었다.

• 한국항해항만학회지
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• 제26권5호
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• pp.525-528
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• 2002

제안된 EMC 필터는 높은 투자율의 페라이트 비드와 관통형 콘덴서로 구성하여 제작하였고, 10 MHz ~ 1.5 GHz에서 전원선에서 광대역 노이즈 신호에 대한 EMC 요구를 만족시킨다. 최적의 필터를 설계하기 위하여 페라이트 비드의 임피던스를 계산하여 찾았다. 그 결과, 광대역 EMC 필터는 차동모드 노이즈와 공통모드 노이즈에 대해 10 MHz ~ 1.5 GHz대역에서 30 dB 이상의 필터 특성을제안된 EMC 필터는 높은 투자율의 페라이트 비드와 관통형 콘덴서로 구성하여 제작하였고, 10 MHz ~ 1.5 GHz에서 전원선에서 광대역 노이즈 신호에 대한 EMC 요구를 만족시킨다. 최적의 필터를 설계하기 위하여 페라이트 비드의 임피던스를 계산하여 찾았다. 그 결과, 광대역 EMC 필터는 차동모드 노이즈와 공통모드 노이즈에 대해 10 MHz ~ 1.5 GHz대역에서 30 dB 이상의 필터 특성을 나타내었다. 그리고, DC ~ 1.8 GHz 주파수 대역에서 10 ~ 30 dB이상의 내성 특성을 향상시켰다. 나타내었다. 그리고, DC ~ 1.8 GHz 주파수 대역에서 10 ~ 30 dB이상의 내성 특성을 향상시켰다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.795-802
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• 2011

본 논문에서는 제3차 고조파 대역에서의 감쇄를 -30 dB 이하로 얻기 위해서 중심도체에 여파기 회로가 삽입된 1.8GHz 대역 Y-junction 스트립라인 아이솔레이터를 설계하였다. 설계한 1.8GHz 대역 스트립라인 아이솔레이터의 비가역특성을 확인하기위하여 HFSS를 이용하여 시뮬레이션을 하였고 제작한 스트립라인 아이솔레이터에 대하여 실험을 하였다. 이들 결과로부터 설계된 스트립라인 아이솔레이터는 제 3 차 고조파 대역에서 -30dB 이상 높은 감쇄를 얻는데 효과적임을 확인하였으며, 또한 0.16T의 포화자화 값을 갖는 페라이트를 사용하는 것이 0.12T의 포화자화 값을 갖는 페라이트를 사용할 때 보다 동작대역으로부터 약 1.2 GHz 더 멀리 이동시킬 수 있음을 확인하였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제10권4호
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• pp.105-113
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• 2010

240 GHz 대역의 캐리어 주파수를 이용하여 1.485 Gbps 비디오 전송 시스템을 설계 및 시뮬레이션 하였다. 송수신기는 Schottky Barrier 다이오드 기반의 Sub-harmonic 믹서를 이용하였으며 특히, 수신기는 Heterodyne 및 Direct Detection 두 가지 방식을 적용하여 각각의 성능을 시뮬레이션 하였다. 변조방식은 ASK이며, 수신기에서는 Envelop 검출 방식을 사용하였다. 송신기 시뮬레이션 결과 Sub-harmonic 믹서의 LO 전력 7 dBm(5 mW)에서 IF 입력 전력 -3 dBm(0.5 mW)일 때 RF 출력 전력은 -11.4 dBm($73{\mu}W$)이었으며, SSB(Single Side Band) Conversion Loss는 8.4 dB이다. VDI사의 상용모델 WR3.4SHM(220~325 GHz)의 240 GHz에서의 Conversion loss 8.0 dB(SSB)와 근접한 결과를 얻었다. 1.485 Gbps NRZ 신호전송 시뮬레이션 결과 전송신호와 동일한 수신 파형을 얻었다.

• 전자공학회논문지
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• 제53권11호
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• pp.66-70
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• 2016

본 논문에서는 심장박동 측정 레이더 송수신기용 24 GHz I/Q 발생기를 제안한다. 공정 변화에 따른 I/Q LO 신호간의 부정합 특성을 개선하기 위하여 인덕터와 캐패시터로 구성된 high-pass 위상천이기와 low-pass 위상천이기 기반 24 GHz I/Q LO 발생기를 제안하였다. 제안한 24 GHz I/Q 발생기는 LO 버퍼와 high-pass 위상천이기와 low-pass 위상천이기 구성된 24 GHz I/Q LO 발생기는 65 nm CMOS 공정에서 설계되었고, 전원 전압 1 V에서 8 mA의 전류를 소모하면서 24.05 GHz에서 24.25 GHz의 주파수 대역에서 7.5 dB의 전압 이득, 2.3 dB의 잡음 지수, 공정 및 온도 변화에 대해 0.1 dB의 I/Q 이득 부정합, 4.3도의 I/Q 위상 부정합의 성능을 보인다.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제1권1호
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• pp.119-233
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• 1996

본 논문에서는 게이트의 길이가 0.25$\mu\textrm{m}$dlsGaAs HEMT(High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 11.7GHz-12.2GHz 대역 위성통신용 수신기를 설계하였다. 설계된 수신기의 전체이득은 38dB 이상, 잡음지수 1.8dB 이하, 입출력단의 반사손실은 -10dB 이하를 보였다. 수신기는 저잡음증폭기(LNA), 중간주파수증폭기(IFA) , 믹서(Mixer), 국부발진기(LO) 로 구성되어 있으며 LO 주파수와 IF 주파수는 각각 10.75GHz 와 0.95GHz-1.45GHz이고 칩의 크기는 1.7mm $\times$2.5mm이다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.1-8
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• 1976

게이트의 길이가 2mm인 GaAb 금속반도체전계치과트랜지스터를 HP8545 자동회로망분석기에 의하여 주파수 1∼2GHz 사이에서 산란계수를 측정하였고, 산란계수의 도움으로 완전한 등가회로를 구현하였다. 본 논문에서는 50Ω의 높은 입출력 Impedance로 정합시키기 위하여 Microstrip을 사용하여 GaAs MESFET증폭기를 개발하였으며 전력이득이 8dB, 정재파비가 1.5보다 적은 결과를 얻었다. Microwave GaAs Metal Semiconductor Field effect Transistors (MESFET) with the gate-length of two micrometers are investigated. The scattering parameters of the transistors have been measured from 1GHz to 2GHz by Hp8545 Automatic network analyzer. From the measured data, an equivalent circuit is established which consists of an ntrinsic and. extrinsic transistor elements. In this paper, GaAb MESFET Amplifier is used in conjunction with conventional microstrip techniques to match into a 50 ohms high input/output impedances system. We found that Power gain is less than 8dB and VSWR is less than 1.5 in L-Band.