• 한국버섯학회지
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• 제12권2호
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• pp.132-137
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• 2014

균상느타리버섯에서 발생하는 곰팡이 병해 중에서 가장 많은 문제를 발생하는 것은 Trichoderma disease 또는 green mould 등으로 불리우는 푸른곰팡이병이다. 이 병은 Trichoderma, Penicillium, Aspergillus 등의 속(genus)에 포함되는 종들에 의해 발병되는 병을 총칭하는 것으로 발생빈도와 피해가 가장 큰 것은 Trichoderma 속의 병원균에 의해 발생하였다. 느타리버섯 균상에 분리된 병원균은 T. longibrachiatum, T. koningii, Trichoderma virens, T atroviride, T. hazianum, T. pseudokoningii 6종이었으며, 발생빈도가 높은 것은 T. virens, T. hazianum, T. longibrachiatum 3종이었고, 각각의 균은 배양적 특성 및 병원성도 각기 다른 특성을 보이고 있었다. T. longibrachiatum 균사생장이 매우 빠르고, 포자형성이 빠르며, 특히 후막포자형성이 잘되는 특성을 있으며, 후기에는 진한 녹색으로 변색된다. Trichoderma koningii는 균사생장은 빠르고, 공중균사가 많은 편이며, 포자는 공중균사에 밀집되어 형성된다. 특히 Trichoderma virens 같은 경우에는 포자형성에 의한 색깔변화가 느리며, 감염후기에 발견되어 그 피해가 심한 편이었다. Trichoderma atroviride. 균사생장은 보통이며, 포자형성은 공중균사에 드물게 형성되며, 후기에는 진녹색을 띤다. 이균의 특징은 coconut 냄새와 유사한 향기가 나는 것이다. T. hazianum은 초기에는 균사가 백색으로 매우 빠르고, 공중균사에 포자가 형성하며, 후기에는 진한 녹색으로 변색된다. 공중 균사에 형성된 포자는 육안적으로 pustules or tufts의 형태를 나타내었다. Trichoderma pseudokoningii 균사생장은 빠르며, 포자형성은 접종부위를 중심으로 형성되며, 후기에는 환무니를 형성하며, 특히 배지 색이 변색되고 후막포자 잘 형성되는 특징이 있었다.

• 한국균학회지
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• 제22권1호
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• pp.50-61
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• 1994

토양으로부터 분리한 380개체의 균주 중 Fusarium solani에 대해 길항능력이 있는 방선균 및 세균 42개 균주로부터 길항작용이 큰 균주로 CHA 1과 5-PFHR 6을 공시하여 동정한 결과 각각 Promicromonospora sp.와 Pseudomonas pseudoalcaligenes로 동정되었다. PDA 평판배지상에서 두 균주는 모두 F. solani의 저해작용으로 균사의 길이 생장억제, 비정상적인 균사의 분지, 세포벽 분해에 의한 돌기형성 등이 관찰되었다. F. solani 포자발아에 미치는 길항균주의 배양여과액의 작용으로 감자즙액 배지나 nutrient broth에 배양한 여과액은 포자발아 억제력이 높아 14.3%의 낮은 발아율을 보였으며, 토양침출액 단독 또는 두 영양배지에 토양침출액을 첨가하여 준비한 배양 여과액에서의 발아율은 85% 이상으로 포자발아가 촉진되었으나 S-PFHR 6의 경우 두 영양배지에 소량의 토양침출액을 첨가한 배앙여과액에서 4%의 발아율을 보였다. 자연토양에서 대형포자는 19.4%, 후막포자는 17.7%가 발아하였으나 증기살균 토양에서의 발아율은 79.7% 이상으로 증가하였다. 자연토양에 공시길항균 CHA 1과 S-PFHR 6의 균체를 처리하면 토양 정균력이 증가되어 F. solani의 대형 포자 발아율은 각 처리구에서 각각 14.7%, 11.7%로 감소하였다. 길항균을 처리한 토양에 glucose와 asparagine을 처리하면 토양의 정균력이 점차 해소되어 대형포자의 발아율은 48.0% 이상으로 증가하였다. 공시균주의 2차 대사산물에 의한 길항작용으로 두 균주의 배양여과액을 토양에 처리한 경우 CHA 1의 배앙여과액을 처리한 토양에서의 F. solani 대형포자의 발아율은 9.3%, 5-PFHR 6 처리구에서의 발아율은 38.0%가 되었다. F. solani의 후막포자는 공시길한균주의 균체나 배양여과액 처리구에서의 발아율이 자연토양에서의 발아율보다 낮았으며 이러한 현상은 영앙원을 첨가해 주어도 변하지 않았다.

• 센서학회지
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• 제10권4호
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• pp.222-231
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• 2001

$SnO_2$의 물성을 $Fe_2O_3$ 첨가량, 산소분압, CO 기체농도, 그리고 온도의 함수로서 관찰하였다. 시편은 후막인쇄 기법으로 알루미나 기판 위에 제조하였다. $700^{\circ}C$/6h 소성한 시편들의 $Fe_2O_3$첨가량에 따른 미세구조와 입자분포의 차이는 거의 없었다. $Fe_2O_3$를 첨가하지 않은 $SnO_2$의 전기적 성질은 소성온도가 낮은 경우와 산소분압이 낮은 경우에 전도성이 높게 측정되었다. $Fe_2O_3$를 첨가한 $SnO_2$의 전도성은 측정온도 증가로 증가하지만 $Fe_2O_3$ 첨가량 증가로 전도성은 감소하였다. 산소분압 의존성은 $Fe_2O_3$ 첨가로 감소하였다. CO 가스에 대한 기체 센서 특성 중 감도는 $350^{\circ}C$, 0.1 mol% $Fe_2O_3$를 첨가한 경우에 가장 높았고, 재현성 및 응답성도 양호하게 나타났다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권12호
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• pp.955-960
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• 2012

We fabricated piezoelectric unimorph cantilever generators (UCG) using $Pb(Zr_{0.54}Ti_{0.46})O_3$ + 0.2 wt% $Cr_2O_3$ + 1.0 wt% $Nb_2O_5$ (PZCN) piezoelectric thick films, which were produced by a tape casting method. The PZCN thick films were tailored with same width and thickness but different lengths from 7.7 to 57.7 mm in order to evaluate optimized UCG for energy harvesting device applications. When the length of PZCN film was increased, the resonance frequency of UCG was slightly increased from 7 Hz to 8 Hz, which could be due to enlarged area of the highly stiff piezo-ceramic film. However, the output power was proportionally increased with the length of PZCT film and it reached 4.68 mW (1.221 $mW/cm^3$) when the film's length was 57.7 mm under 25 g of tip mass at 8 Hz, which is sufficient for micro-scale device applications.

• 농업과학연구
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• 제15권1호
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• pp.27-35
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• 1988

한국산(韓國産) 영지(靈芝)버섯의 계통분류(系統分類) 및 유전형질(遺傳形質)을 탐색(探索)하기 위하여 영지균(靈芝菌)의 배양적(培養的) 특성(特性)을 조사(調査)한 결과(結果)는 다음과 같다. 1. 한국산(韓國産) 자생영지균(自生靈芝菌)은 Oat meal agar 및 Rice bran extract agar에서 균사생장(菌絲生長)이 양호(良好)하고 Mycelial sector, Mycelial strand, Concentric zone의 형성(形成)은 배지(培地)의 영향(影響)을 받으나 균주(菌株)에 따라서도 차이(差異)를 보였다. 2. 영지균(靈芝菌)은 온도(溫度) $30^{\circ}C$, pH 5.5~6.0일때 균사생장(菌絲生長)이 좋았으며 백색형광등(白色螢光燈) 조사(照射)는 균사생장(菌絲生長)을 억제(抑制)하였고 광처리(光處理)의 균사생장억제기간(菌絲生長抑制時間)은 4~8시간(時間)사이였다. 3. 균사생장중(菌絲生長中)의 Mycelial strand의 형성(形成)에는 광(光)의 조사(照射) 그리고 Mycelial sector의 형성(形成)에는 배지(培地)의 영양원(營養源)과 광(光)의 조사등(照射等) 제(諸) 요인(要因)이 관여(關與)하였고 균주간(菌株間)에도 명확(明確)한 차이(差異)를 보였다. 4. 균배양중(菌培養中) 및 균사생장후(菌絲生長後) 광조사(光照射)는 자실체형성(子實體形成)을 유도하였는데 그 영향(影響)은 균주(菌株)에 따라 뚜렷한 차이(差異)를 보였고 균사생장중(菌絲生長中) 후막포자(厚膜胞子)의 형성(形成)은 인공재배시(人工栽培時) 편각형(扁角型) 자실체(子實體)를 형성(形成)하는 균주(菌株)에서 많이 발견(發見)되었고 녹각형(鹿角型) 자실체(子實體)를 형성(形成)하는 균주(菌株)에서는 많지 않았다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제24권4호
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• pp.39-46
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• 2017

본 연구는 평판형 히터용 금속방열판상의 세라믹 절연층 제조, 즉 절연성 금속기판에 관한 것이다. 반도체나 디스플레이의 열처리 공정 등에 사용되는 평판형 히터를 제조함에 있어서, 온도 균일도를 높이기 위해 금속 방열판으로서 열전도율이 높고, 비교적 가벼우며, 가공성 좋은 알루미늄 합금 기판이 선호된다. 이 알루미늄 기판에 발열 회로 패턴을 형성하기 위해서는 금속 기판에 절연층으로서 고온 안정성이 우수한 세라믹 유전체막을 코팅하여야 한다. 금속 기판상에 세라믹 절연층을 형성함에 있어서 가장 빈번히 발생하는 첫 번째 문제는 금속과 세라믹의 이종재료 간의 큰 열팽창계수 차이와 약한 결합력에 의한 층간박리 및 균열발생이다. 두 번째 문제는 절연층의 소재 및 구조적 결함에 따른 절연파괴이다. 본 연구에서는 이러한 문제점 해소를 위해 금속소재 기판과 세라믹 절연층 사이에 완충층을 도입하여 이들 간의 기계적 매칭과 접합력 개선을 도모하였고, 다중코팅 방법을 적용하여 절연막의 품질과 내전압 특성을 개선하고자 하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제17권1호
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• pp.1-5
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• 2007

본 연구에서는 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 r-plane 사파이어 기판 위에 무극성의 (11-20) a-plane GaN을 성장하여 구조적인 특성을 관찰하였다. HVPE 방법으로 저온($500/550/600/660^{\circ}C$)에서 성장한 AIN 버퍼층이 고온의 a-GaN에 미치는 영향을 확인하였다. 또한, AIN 버퍼층과의 비교를 위하여 저온에서 성장한 GaN 버퍼층과 InGaN 버퍼층 같은 다양한 버퍼층을 이용하여 a-plane GaN의 성장도 실시하였다. 고온에서 성장된 a-GaN의 구조적 형상은 저온버퍼층의 성장 조건에 크게 영향을 받음을 알 수 있었다. $GaCl_3$ 전 처리를 실시하고 $820^{\circ}C$에서 성장한 경우에 가장 평탄한 표면을 가지는 a-GaN을 얻을 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제30권2호
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• pp.41-46
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• 2020

본 연구에서는 HVPE 성장법으로 GaN 성장 시 GaN 내에 잔류하는 stress로 인한 crack 현상을 감소시키고자 기판 종류 및 V/III 비를 조절하여 잔류 stress 특성을 알아보고자 하였다. Sapphire, GaN template 위에 각각 V/III 비 5, 10, 15의 조건으로 GaN을 성장시켜 형성된 hexagonal pit의 분포 및 깊이를 분석하였다. 이를 통해 GaN on GaN template 성장에서 V/III 비가 높을수록 hexagonal pit의 분포 영역 및 깊이가 증가하는 것을 확인하였다. Raman 측정을 통해 hexagonal pit 영역 및 깊이가 컸던 GaN on GaN template 성장에서 V/III 비가 높을수록 stress가 감소하는 것을 확인하였다. 이를 통해 hexagonal pit의 분포 및 깊이가 증가할수록 잔류 stress가 낮아짐을 확인할 수 있었으며, 향후 후막 GaN 성장 시 stress 감소 가능성에 대해 확인하였다.

• 센서학회지
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• 제11권6호
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• pp.327-334
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• 2002

초기 물질은 $SnCl_2{\cdot}2H_2O$와 $C_2H_5OH$를 사용하여 sol-gel 법으로 제조된 $SnO_2$ 미세 분말의 제반 물성과 전기적 센싱 특성에 대하여 검토하였다. Gel 분말은 sol을 72시간과 168시간 숙성(aging) 시킨 후 $120^{\circ}C$에서 건조하여 제조하였다. $600^{\circ}C$이하에서는 휘발성 물질이 제거되면서 $SnO_2$ 상이 증가하고. $700^{\circ}C$/30min 열처리로 $SnO_2$ 상 생성은 거의 완결된다. 입자 크기는 $700^{\circ}C$ 이하에서 30nm 이하로 유사하고 입도 분포도 좁았다. 전기적 성질 측정을 위한 시편은 후막법으로 알루미나 기판위에 제조하였다. 공기 중의 전도성은 $450^{\circ}C$ 부터 반도성 세라믹스의 진성(intrinsic) 거동을 보이고, $200-450^{\circ}C$ 구간에서는 $SnO_2$ 입자 표면에서의 산소흡착에 기인해서 전도성 변화가 작았다. 환원성 CO 기체에 대한 응답성, 회복성 그리고 감도 특성은 숙성일자 증가로 향상되었다.

• 한국재료학회지
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• 제11권7호
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• pp.562-568
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• 2001

60ZnO-20B$_2$O$_3$-10SiO$_2$-10PbO의 조성을 가진 결정성 봉착용 유리분말과 ZrB$_2$분말을 출발물질로 사용하여 Na분위기 하에서 소결한 복합소결체를 저항체 후막으로써 사용가능성을 검토하였다. 도전성입자 ZrB$_2$는 소결중 매우 민감한 산화특성을 나타내었으며, 이것은 로내 또는 시편내에 잔류된 미량의 산소 및 유리성분 중 B$_2$O$_3$의 반응에 의한 배위수 변화과정에서 유리되는 산소가 원인으로 될 수 있다는 것을 시편의 밀도 및 부피변화 등을 통해 확인되었다. 각 혼합물의 소결온도와 혼합비 변화에 따라 내부조직의 변화와 함께 10~$10^{5}{\Omega}/cm^2$정도의 제어 가능한 저항값을 얻을 수 있었다. 이러한 결과들로부터 유리기지 중에서 ZrB$_2$입자들의 치밀화 경향을 갖는 복합소성시편들에 대한 거시적인 관점에서 도전성경로형성 및 도전기구를 설명하였다.