Kim, Ji-Su;Son, Ji-Hun;Kim, Tae-Woo;Kang, Jun-Seok;Choi, Myeong-Soo;Kim, Tae-Woong
Proceedings of the KIPE Conference
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2019.11a
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pp.102-103
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2019
본 논문에서는 3상 다이오드정류회로로 구성된 AC-DC 컨버터, 그리고 인버터로 구성된 고용량 교류전동기의 구동시스템에 있어서 돌입전류제한용 저항과 직류링크 과전압방지용 회생저항의 2가지 기능을 하나로 묶은 하이브리드 저항을 이용한 직류링크회로와 이에 대한 시퀀스제어를 제안한다. 이를 통해 기존 직류링크회로에 비하여 가격경쟁력을 갖추고 돌입전류 및 과전압을 효율적으로 제어할 수 있도록 하고, 시뮬레이션해석을 통하여 이에 대한 유효성을 검증한다.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.52
no.4
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pp.88-95
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2015
This paper presents a new analysis of RF negative resistance (RFNR) circuits, known as a negative resistance generator. For accurate equation analysis of RFNR, this study examined the effects of the gate resistance and the source parasitic capacitance of the transistor. In addition, the input admittance of the conventional equation was calculated by looking into the source-terminal of the transistor, whereas that of the proposed equation was calculated by examining the gate-terminal of the transistor. The proposed equation analysis is more accurate than that of the conventional analysis, especially for higher frequency range. This paper verify the accuracy of the proposed analysis at high frequency range using the simulation.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.5
no.1
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pp.17-22
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2010
Generally, there are Chua's Circuit, Lorenz Circuit and Duffing circuit in the chaos circuit. Among these chaos circuits, Chua's circuit is well known to make the electronic parts easily. Chua's circuit is the constitute of the linearelements. These are constitute of Resistor component(R), inductor component(L), capacitor(C), and nonlinear element which is constitute of nonlinear resistor. However, L element have a difficult problem to implement real hardware by using commercial parts. Due to this, it has a saturation characteristic. In this paper, we analyzed the simplified Chua's circuit which is replace L to C by PSPICE program. Because L element has a difficult problem to make a real hardware, L has a saturation characteristic and we also confirm this analysis as the result.
본 발명은 전기설비의 중요한 부분을 차지하고 있는 차단기의 동작코일 단선유무를 감지하기 위한 센서에 관한 것으로 보조계전기, 브릿지회로, 전압분배회로 및 출력회로로 구성되어 있다. 차단기동작코일에 동작코일의 저항값보다 충분히 큰 저항를 병렬로 연결하고, 이 병렬회로를 브릿지회로의 한변으로 이용하며, 전압분배회로를 설계하여 동 브릿지회로의 전원공급용으로 사용한다. 차단기동작코일이 정상상태일 경우에는 브릿지 회로의 출력단자에는 전압이 발생하지 않아 발광다이오우드(LED)가 동작하지 않고, 단선될 경우에는 브리릿지회로의 출력단자에 전압이 발생하여 발광다이오우드가 점둥되게 함으로써 차단기 운영의 신뢰성을 높일수 있는 장점이 있다.
본 논문에서는 저주파 신호 증폭기에서 DC 이득에 의해 앰프가 포화되는 것을 막기 위해 필요한 큰 커플링 커패시터와 바이어스 저항의 면적을 줄이기 위한 회로를 제안한다. 또한, 이 경우 연산증폭기의 양 입력 단에 연결되는 바이어스 저항과 앰프의 이득을 설정하기 위해 사용되는 저항사이의 큰 값의 차이로 인해 발생하는 오프셋을 줄이기 위해 적절한 기준 전압을 정의하는 방법을 소개한다. 제안된 회로를 사용했을 때, 기존의 저항으로 앰프의 입력단을 바이어스할 때의 한계인 오프셋의 문제를 해결함으로써 보다 최적화된 면적으로 설계가 가능했다. 이 기법을 적외선 리모콘 수신 IC의 앰프에 적용했을 때, 커플링 커패시터와 바이어스 저항으로 설정되는 -3dB 주파수를 3kHz에 설정한 경우, 저항과 커패시터가 차지하던 면적의 12%를 차지했다.
In this paper, we have designed signal conditioning circuitry for piezoresistive pressure sensor. Signal conditioning circuitry consists of voltage reference circuit for sensor driving voltage and instrument amplifier for sensor signal amplification. Signal conditioning circuitry is simulated using HSPICE in a single poly double metal $1.5\;{\mu}m$ BiCMOS technology. Simulation results of band-gap reference circuit showed that temperature coefficient of $21\;ppm/^{\circ}C$ at the temperature range of $0\;{\sim}\;70^{\circ}C$ and PSRR of 80 dB. Simulation results of BiCMOS amplifier showed that dc voltage gain, offset voltage, CMRR, CMR and PSRR are outperformed to CMOS and Bipolar, but power dissipation and noise voltage were more improved in CMOS than BiCMOS and Bipolar. Designed signal conditioning circuitry showed high input impedance, low offset and good CMRR, therefore, it is possible to apply sensor and instrument signal conditioning circuitry.
KSTAR 핵융합 장치에 초전도 코일을 사용하는 경우 코일의 저항이 제로에 가까우므로 낮은 전압으로 20kA 이상의 전류를 흘릴 수 있어 많은 전력을 필요로 하지 않는 장점이 있다 그러나 초전도 코일 내부의 한 부분에서 온도가 상승하여 저항이 증가하는 치 현상이 자주 일어날 수 있으며 이 경우 코일이 손상된다 이를 막기 위한 회로가 치 보호회로이며 대전류 차단기와 에너지를 소비시킬 저항으로 구성되어 있다 초전도 코일에 적용 되는 전원장치의 용량은 20kA에서 35kA에 이르며 치 보호를 위해 직류 대전류 차단기를 필요로 한다. 그러나 현재 상업적으로 생산되고 있는 기계적 차단기는 교류에서만 동작하며 직류 차단이 가능한 차단기들은 용량이 위의 값에 미치지 못하며 크기와 가격 및 반복성에 있어서 제약을 가지고 있다. 따라서 기계적 스위치의 장점과 반도체 싸이리스터 스위치의 장접을 결합한 직류 대전류 차단기를 개발함으로써 시스템의 크기와 가격을 낮추어 경제적으로 더 나은 효과를 가져오며 신뢰성 및 반복성을 높인 회로를 개발하여 KSTAR 토카막 초전도 코일 치 보호시스템에 적용하고자 한다.일 치 보호시스템에 적용하고자 한다.하고자 한다.
Ji, Sung-Hyun;Kim, Boo-Kang;Nam, Sang-Guk;Nguyen, Van Ha;Park, Yong Su;Song, Han Jung
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.16
no.2
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pp.1348-1354
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2015
In this paper, chaotic circuit of the voltage controlled Lorentz system for engineering applications has been designed and implemented in an electronic circuit. The proposed circuit consists of MOS variable resistor, multipliers, capacitors, fixed resistors and operational amplifiers. The circuit was analysed by PSPICE program. PSPICE simulation results show that chaotic dynamics of the circuit can be controlled by the MOS variable resistor through time series analysis, frequency analysis and phase diagrams. Also, we implemented the proposed circuit in an electronic hardware system with discrete elements. Measured results of the circuit showed controllability of the circuit using the MOS resistor.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.2
no.3
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pp.353-358
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1998
This paper presents development of a LNA operating at 1.71 ∼ 1.18 GHz used for a receiver of KOREA PCS base station and transponder. Using resistive decoupling circuits, a signal at low frequency is dissipated by a resistor. This design method increases the stability of the LNA and suitable for input stage matching. The LNA consists of low noise GaAs FET ATF-10136 and internally matched VNA-25. The LNA is fabricated with both the RF circuit and the self-bias circuits in aluminum housing. As a result, the characteristics of the LNA implemented here shows 30 dB in gain and 0.85 dB in noise figure.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.26
no.4
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pp.47-53
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2019
Stiffness-gradient stretchable electronic packages of the soft PDMS/hard PDMS/PTFE structure were processed using the polydimethylsiloxane (PDMS) as the base substrate and the more stiff polytetrafluoroethylene (PTFE) as the island substrate, and their stretchable deformation-resistance characteristics were characterized. The flip-chip joints, formed by bonding the chip bumps of 50 ㎛-diameter onto the PDMS/PTFE substrate pads, exhibited an average contact resistance of 96 mΩ. When the stretchable package of the soft PDMS/hard PDMS/PTFE structure was deformed to 30% elongation, the strain on the PTFE was restrained to 1%, resulting in a negligible resistance increase of 1% in the daisy-chain circuit formed on the PTFE island substrate. The circuit resistance increased for 1.7% after 2,500 cycles of 0~30% stretchable deformation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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