• Journal of Internet Computing and Services
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• v.18 no.6
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• pp.101-112
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• 2017

The purpose of this study was to examine the factors affecting innovation resistance and intention of use of social TV non-users focused on innovation diffusion theory and innovation resistance model. The results were as follows: First, compatibility among perceived innovation characteristics by social TV non-users influenced negatively on innovation resistance, and complexity among perceived innovation characteristics by social TV non-users influenced positively on innovation resistance. Second, perceived risk by social TV non-users influenced positively on innovation resistance. Third, compatibility among perceived innovation characteristics by social TV non-users influenced positively on social TV intention to use. And complexity among perceived innovation characteristics by social TV non-users influenced negatively on social TV intention to use. Fourth, perceived risk by social TV non-users influenced not significantly on social TV intention to use. Fifth, innovation resistance by social TV non-users influenced negatively on social TV intention to use.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2003.07b
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• pp.715-718
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• 2003

본 논문에서는 MOSFET source/drain 고체 확산 원으로써 도핑된 폴리 실리콘을 사용하였으며 확산 후 남은 폴리 실리콘은 elevated source/drain 역할을 하여 저항을 줄여 준다. 또한 제안 된 구조는 게이트 절연막 공정 이전에 확산 공정이 이루어 지기 때문에 후속 열처리에 취약한 고유전율 게이트 절연막 공정과 금속 게이트 공정에 적합한 공정으로 적합함을 보였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.12 no.6
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• pp.283-287
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• 2002

We have studied Zr(Si)N film as a diffusion barrier between Cu metal and Si substrate for application of interconnection metal in ULSI circuits. Zr(Si)N film was deposited with reactive DC magnetron sputtering system using $Ar/N_2$mixed gas. The value of the resistivity was the lowest for the ZrN film using 29 : 1 of Ar : $N_2$reactant gas ratio at room temperature and decreased with increasing of Si substrate temperature. As the value of ZrN film resistivity was decreased, the direction of crystal growth was toward to (002) plane. The barrier property of ZrN film added with Si was improved. But Si was added too much in ZrN film, the barrier property was degraded. The adhesive property was improved with increasing of Si in ZrN. For the analysis of the film, XRD, Optical microscopy, Scretch tester, so on were used.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.237-238
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• 2008

Electrical properties of Pd/Zn/Pd/Au contacts to p-InP were investigated as function of the V/III ratio of p-InP. P-type InP was made by the Zn diffusion into InP and activation process with rapid thermal annealing (RTA) measurement. After activation, the hole concentration was two orders of magnitude higher than that of the sample having only diffusion process. According to transmission line method (TLM) results, the specific contact resistance of p-InP was lower as used InP having the lower V/III ratio. The experimental results represent that the diffusion of Zn in undoped InP deeply related to the equilibrium between interstitials and substitutional Zn is established via indium interstitials.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.80-80
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• 1998

RU02 박막은 전이금속으로서 rutile 구조이며, 넓은 온도 영역에서 금속성의 를 나타내고, 700도 이상의 높은 온도에서 열적 안정성을 갖는 물질이다 이러한 특성 때문 에 RU02 박막은 실리콘 디바이스에서 배선 게이트 전극 확산 장벽 등에 응용가능성이 높 은 물질로 각광을 받고 있다- 특히 다결정 RU02 박막은 DRAM (dynamic random access m memory) 내의 강유전성 축전기의 전극으로서 유망한 물질이다. 지금까지 이러한 응용분야에 사용된 전극물질은 pt 금속이었다 그러나 이러한 금속전극은 SI 산소 그리고 강유전체의 구성물질 등과의 상호확산, pt 표면의 hillock의 존재로 생기는 전기적 단락, 기판과의 나쁜 점작성, 어려운 에칭 프로세스 등의 단점을 가지고 있다 더욱 더 심각한 문제는 P Pt'ferroelectric/Pt 구조에서 나타나는 aging과 fatigue인데, 이는 108 사이쿨 이후에 스위칭 가 능한 잔류 pOlarization 으$\mid$ 감소를 유발하게 된다- 최근 Berstein은 Pt 대신에 RU02를 사용함으로써 강유전체 축전기에서의 fatigue 현상을 크게 감소시켰다고 보고 한 바 있다 Burst川도 RU02 가 실리콘 표면과 유전체 물질 사이에 전기전도 어떠한 상호 확산도 일어나지 않음을 보였다. 그러나 이러한 연구 결과에도 증착조건과 RU02 박악의 특성에 관한 상호 관계가 충분히 더욱 더 중은 강유전성 박막올 만들기 위해서는 이러한 박막 전극에 않고 있다 연구되지 대한 상세한 연구가 반드시 필요하다고 본다. RU02 박막은 실리콘 기판 위에 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착하였다. 사용 한 타켓은 2 인치의 직경을 가지는 CERAC 사에서 제작한 Ruol다 초기 진공은 1O~6 Torr 이하였고, 고주파 전력은 20 - 80W 까지 변화시켰다 반응성 스퍼터링율 하기 위해 아르곤과 산소롤 주입하였고, 산소/(산소+아르곤)의 비를 변화시켰다 기판의 온도와 증착압력은 각각 상온에 서 500도까지 , 5mTorr에 서 100mTorr 까지 변 화시 켰 다 RU02 박막의 결정성을 조사하기 위해 XRD 표면 형상과 단면을 조사하기 위해 SEM을 사용하였다‘ 박악의 비저항을 조사하기 위해 4-단자법 van der Pauw 방법을 사용하였다. RU02 박막은 증착압력이 높을수록 비저항은 높아지고, 두께는 감소하였다. 특히 1 100mTorr에서는 작업가스와 스퍼터된 입자사이의 심각한 산란 때문에 아예 증착이 이루어 지지 않았다‘ RF 전력이 증가할수록 비저항이 낮아졌다. 이는 두께에 의존하는 결과이며 전형적인 금속박막에서 나타나는 현상과 유사함을 알 수 있었다- 기판온도와 작업가스의 산소 분압이 높을수록 비저항이 감소하였다‘ 이러한 사실은 성장한 박악의 결정구조와 밀접한 관련이 있음을 보여준다.

• Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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• v.20 no.4
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• pp.59-67
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• 2016

Concrete is a very useful construction material for the sealing disposal of hazardous substances. In general, mass concrete is applied to these structures. And, the mineral admixtures are recommended for the long term performance. Calcium leaching could be happened due to the contact with pure water in underground structures. Thus, it is needed to evaluate the resistance of calcium leaching for concrete mixed with mineral admixtures. From the test results, the mineral admixtures are effective to the improvement of long term compressive strength and chloride diffusion coefficient in concrete members. When calcium leaching is happened, however, the reduction of compressive strength and chloride penetration resistance is severe than OPC case, the micro pore distribution is adversely affected. Consequently, when the mineral admixtures are applied to underground structures which is exposed to calcium leaching environment, it is desirable to reduce water-to-binder ratio, to expose after the sufficient pozolanic reaction, and to use BFS than FA.

• Nuclear industry
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• v.24 no.9 s.259
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• pp.47-51
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• 2004

• The Bimonthly Magazine for Agrochemicals and Plant Protection
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• v.13 no.3 s.108
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• pp.80-88
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• 1992

• Life and Agrochemicals
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• s.266
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• pp.34-37
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• 2011

• Proceedings of the Korean Society of Crop Science Conference
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• 1985.10a
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• pp.21-21
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• 1985